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2N5551

器件型号:2N5551
器件类别:晶体管   
厂商名称:Transys Electronics Limited
厂商官网:http://www.transyselectronics.com
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器件描述

600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

参数

2N5551端子数量 3
2N5551晶体管极性 NPN
2N5551最大集电极电流 0.6000 A
2N5551最大集电极发射极电压 160 V
2N5551状态 DISCONTINUED
2N5551包装形状
2N5551包装尺寸 圆柱形的
2N5551端子形式 线
2N5551端子位置 BOTTOM
2N5551包装材料 塑料/环氧树脂
2N5551结构 单一的
2N5551元件数量 1
2N5551晶体管应用 放大器
2N5551晶体管元件材料
2N5551最大环境功耗 0.6250 W
2N5551晶体管类型 通用小信号
2N5551最小直流放大倍数 30
2N5551额定交叉频率 100 MHz

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2N5551器件文档内容

Transys

Electronics

   LIMITED

         TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

      2N5551 TRANSISTOR (NPN)                       TO-92

FEATURES                                            1. EMITTER
                                                    2. BASE
  Power dissipation                                 3. COLLECTOR

              PCM : 0.625 W (Tamb=25)                                           123
  Collector current

              ICM: 0.6 A
  Collector-base voltage

              V(BR)CBO : 180 V
  Operating and storage junction temperature range

              TJ, Tstg: -55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless otherwise specified)

Parameter                        Symbol          Test conditions     MIN TYP MAX UNIT

Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO        Ic= 100 A, IE=0    180                  V
                                                 Ic= 100 A, IB=0
Collector-emitter          breakdown V(BR)CEO    IE= 100 A, IC=0    160                  V
voltage
                                                  VCB= 180 V, IE=0
Emitter-base breakdown voltage   V(BR)EBO          VEB= 4 V, IC=0    6                    V

Collector cut-off current        ICBO           VCE= 5 V, IC= 1 mA                   0.1  A
                                               VCE= 5 V, IC = 10 mA
Emitter cut-off current          IEBO          VCE= 5 V, IC= 50 mA                   0.1  A
                                               IC= 50 mA, IB= 5 mA
                                 hFE(1)        IC= 50 mA, IB= 5 mA   80

DC current gain                  hFE(2)                              80              250

                                 hFE(3)                              50

Collector-emitter saturation voltage VCEsat                                          0.5  V

Base-emitter saturation voltage  VBEsat                                              1    V

  Transition frequency           fT            VCE= 5 V,IC= 10 mA, f =30MHz 80                      MHz

CLASSIFICATION OF hFE(2)            A                  B                                 C
                                 80-160             120-180                          150-250
   Rank
   Range
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