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2N5551

器件型号:2N5551
器件类别:晶体管   
厂商名称:AUK
厂商官网:http://www.auk.co.kr/english/index.html
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器件描述

600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

参数

2N5551端子数量 3
2N5551晶体管极性 NPN
2N5551最大集电极电流 0.6000 A
2N5551最大集电极发射极电压 160 V
2N5551状态 DISCONTINUED
2N5551包装形状
2N5551包装尺寸 圆柱形的
2N5551端子形式 线
2N5551端子位置 BOTTOM
2N5551包装材料 塑料/环氧树脂
2N5551结构 单一的
2N5551元件数量 1
2N5551晶体管应用 放大器
2N5551晶体管元件材料
2N5551最大环境功耗 0.6250 W
2N5551晶体管类型 通用小信号
2N5551最小直流放大倍数 30
2N5551额定交叉频率 100 MHz

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2N5551器件文档内容

Semiconductor                                                                2N5551

                                                                           NPN Silicon Transistor

Descriptions

General purpose amplifier

High voltage application

Features

High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V
Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)
Complementary pair with 2N5401

Ordering Information                  Marking                    Package Code
                                       2N5551                           TO-92
          Type NO.

          2N5551

Outline Dimensions                                                             unit : mm

                             4.50.1                             3.450.1
                                                                 2.250.1

                    4.50.1

                                      0.40.02                   2.060.1

14.00.40

1.200.1                                     1.27 Typ.                     PIN Connections
                                0.38         2.54 Typ.                     1. Emitter
                                                                           2. Base
                             123                                           3. Collector

                                                   KST-9041-000                                          1
                                                                                   2N5551

Absolute maximum ratings                            Symbol            Ratings         (Ta=25C)

                Characteristic                        VCBO               180       Unit
                                                      VCEO               160
Collector-Base voltage                               VEBO                           V
Collector-Emitter voltage                                                 6         V
Emitter-Base voltage                                   IC               600         V
Collector current                                      PC               625       mA
Collector dissipation                                  Tj               150       mW
Junction temperature                                  Tstg           -55~150       C
Storage temperature                                                                C

Electrical Characteristics                                                            (Ta=25C)

Characteristic                        Symbol        Test Condition         Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage      BVCBO         IC=100A, IE=0         180  -  -    V

Collector-Emitter breakdown voltage   BVCEO         IC=1mA, IB=0           160  -  -    V
Emitter-Base breakdown voltage        BVEBO         IE=10A, IC=0
                                                                           6    -  -    V

Collector cut-off current             ICBO          VCB=120V, IE=0         -    -  100 nA

Emitter cut-off current               IEBO          VEB=4V, IC=0           -    -  100 nA

DC current gain                       hFE (1)       VCE=5V, IC=1mA         80   -       -

DC current gain                       hFE (2)       VCE=5V, IC=10mA        80   -  250  -

DC current gain                          hFE (3)    VCE=5V, IC=50mA        30   -       -
Collector-Emitter saturation voltage  VCE(sat)(1)*  IC=10mA, IB=1mA
Collector-Emitter saturation voltage  VCE(sat)(2)*  IC=50mA, IB=5mA        -    -  0.2  V
Base-Emitter saturation voltage       VBE(sat)(1)*  IC=10mA, IB=1mA
Base-Emitter saturation voltage                     IC=50mA, IB=5mA        -    -  0.5  V
Transition frequency                  VBE(sat)(2)*  VCE=10V, IC=10mA
                                           fT                              -    -  1    V

                                                                           -    -  1    V

                                                                           100  -  400 MHz

Collector output capacitance          Cob           VCB=10V, IE=0, f=1MHz  -    -  6    pF

* : Pulse Tester : Pulse Width 300s, Duty Cycle 2.0%

                                                    KST-9041-000                                2
                                                                  2N5551

Electrical Characteristic Curves  Fig. 2 IC - VBE

         Fig. 1 PC-Ta

Fig. 3 fT - IC                    Fig. 4 VCE(sat), VBE(sat) - IC

Fig. 5 Cob - VCB

                                  KST-9041-000                    3
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