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2N5401N

器件型号:2N5401N
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厂商名称:AUK [AUK corp]
厂商官网:http://www.auk.co.kr/english/index.html
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2N5401N器件文档内容

Semiconductor                                                                          2N5401N

                                                                                      PNP Silicon Transistor

Description

General purpose amplifier

High voltage application

Features

High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V
Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.)
Complementary pair with 2N5551N

Ordering Information             Marking                                              Package Code
                                 2N5401                                                  TO-92N
          Type NO.

         2N5401N

Outline Dimensions                                                                                  unit : mm

                      4.20~4.40                                            2.25 Max.

4.20~4.40

0.52 Max.                        2.14 Typ.
                                                              13.50~14.50
0.90 Max.
  1.27 Typ.                      0.40 Max.

          12 3

                 3.55 Typ

           3.09~3.29

                                 KSD-T0C040-000                                       PIN Connections
                                                                                      1. Emitter
                                                                                      2. Base
                                                                                      3. Collector

                                                                                                                     1
                                                                                    2N5401N

Absolute Maximum Ratings                            Symbol               Rating       (Ta=25C)

                Characteristic                        VCBO                 -160     Unit
                                                      VCEO                 -160
Collector-base voltage                               VEBO                            V
Collector-emitter voltage                                                   -5       V
Emitter-base voltage                                   IC                 -600       V
Collector current                                      PC                 400      mA
Collector power dissipation                            TJ                 150      mW
Junction temperature                                  Tstg             -55~150      C
Storage temperature range                                                           C

Electrical Characteristics                                                          (Ta=25C)

Characteristic                        Symbol           Test Condition       Min. Typ. Max. Unit

Collector-emitter breakdown voltage   BVCEO         IC=-1mA, IB=0           -160 -  -       V
Collector cut-off current              ICBO         VCB=-160V, IE=0
Emitter cut-off current                IEBO         VEB=-5V, IC=0           -    -  -100 nA

                                                                            -    -  -100 nA

DC current gain                       hFE (1)       VCE=-5V, IC=-1mA        50   -          -

DC current gain                       hFE (2)       VCE=-5V, IC=-10mA       60   -  240     -

DC current gain                          hFE (3)    VCE=-5V, IC=-50mA       50   -          -
Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat)(1)*  IC=-10mA, IB=-1mA
Collector-emitter saturation voltage  VCE(sat)(2)*  IC=-50mA, IB=-5mA       -    -  -0.2    V
Base-emitter saturation voltage       VBE(sat)(1)*  IC=-10mA, IB=-1mA
                                                                            -    -  -0.5    V

                                                                            -    -  -1      V

Base-emitter saturation voltage       VBE(sat)(2)* IC=-50mA, IB=-5mA        -    -  -1      V

Base-emitter voltage                  VBE           VCE=-5V, IC=-50mA       -    -0.7 -0.9  V

Transition frequency                  fT            VCE=-10V, IC=-10mA      100  -  400 MHz

Collector output capacitance          Cob           VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  -    -  6       pF

* : Pulse Tester : Pulse Width 300s, Duty Cycle 2.0%

                                      KSD-T0C040-000                                             2
                                                                  2N5401N

Electrical Characteristic Curves  Fig. 2 IC - VBE

     Fig. 1 Pc - Ta

Fig. 3 fT - IC                    Fig. 4 VCE(sat), VBE(sat) - IC

Fig. 5 Cob - VCB

                                  KSD-T0C040-000                  3
                2N5401N

The AUK Corp. products are intended for the use as components in general electronic
equipment (Office and communication equipment, measuring equipment, home
appliance, etc.).

   Please make sure that you consult with us before you use these AUK Corp. products
in equipments which require high quality and / or reliability, and in equipments which
could have major impact to the welfare of human life(atomic energy control, airplane,
spaceship, transportation, combustion control, all types of safety device, etc.). AUK
Corp. cannot accept liability to any damage which may occur in case these AUK Corp.
products were used in the mentioned equipments without prior consultation with AUK
Corp..

  Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice.

KSD-T0C040-000                                                                          4
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