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2N5401

器件型号:2N5401
器件类别:晶体管   
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厂商名称:AUK [AUK corp]
厂商官网:http://www.auk.co.kr/english/index.html
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器件描述

200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-

200 mA, 150 V, PNP, , 小信号晶体管, TO-

参数

2N5401端子数量 3
2N5401晶体管极性 PNP
2N5401最大集电极电流 0.2000 A
2N5401最大集电极发射极电压 150 V
2N5401状态 DISCONTINUED
2N5401包装形状
2N5401包装尺寸 圆柱形的
2N5401端子形式 线
2N5401端子位置 BOTTOM
2N5401包装材料 塑料/环氧树脂
2N5401结构 单一的
2N5401元件数量 1
2N5401晶体管应用 开关
2N5401晶体管元件材料
2N5401最大环境功耗 0.6250 W
2N5401晶体管类型 通用小信号
2N5401最小直流放大倍数 50
2N5401额定交叉频率 100 MHz

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2N5401器件文档内容

Semiconductor                                                                2N5401

                                                                           PNP Silicon Transistor

Description

General purpose amplifier

High voltage application

Features

High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -150V
Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.)
Complementary pair with 2N5551

Ordering Information                  Marking                    Package Code
                                      2N5401                        TO-92
          Type NO.

         2N5401

Outline Dimensions                                                             unit : mm

                             4.50.1                             3.450.1
                                                                 2.250.1

                    4.50.1

                                      0.40.02                   2.060.1

14.00.40

1.200.1                                     1.27 Typ.                     PIN Connections
                                0.38         2.54 Typ.                     1. Emitter
                                                                           2. Base
                             123                                           3. Collector

                                                   KST-9040-000                                          1
                                                                                    2N5401

Absolute maximum ratings                            Symbol              Ratings        (Ta=25C)

                Characteristic                        VCBO                 -160     Unit
                                                      VCEO                 -150
Collector-Base voltage                               VEBO                            V
Collector-Emitter voltage                                                   -5       V
Emitter-Base voltage                                   IC                 -600       V
Collector current                                      PC                 625      mA
Collector dissipation                                  Tj                 150      mW
Junction temperature                                  Tstg             -55~150      C
Storage temperature                                                                 C

Electrical Characteristics                                                             (Ta=25C)

Characteristic                        Symbol        Test Condition          Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage      BVCBO         IC=-100A, IE=0         -160 -  -     V

Collector-Emitter breakdown voltage   BVCEO         IC=-1mA, IB=0           -150 -  -     V
Emitter-Base breakdown voltage        BVEBO         IE=-10A, IC=0
                                                                            -5   -  -     V

Collector cut-off current             ICBO          VCB=-120V, IE=0         -    -  -100 nA

Emitter cut-off current               IEBO          VEB=-3V, IC=0           -    -  -100 nA

DC current gain                       hFE (1)       VCE=-5V, IC=-1mA        50   -        -

DC current gain                       hFE (2)       VCE=-5V, IC=-10mA       60   -  240   -

DC current gain                          hFE (3)    VCE=-5V, IC=-50mA       50   -        -
Collector-Emitter saturation voltage  VCE(sat)(1)*  IC=-10mA, IB=-1mA
Collector-Emitter saturation voltage  VCE(sat)(2)*  IC=-50mA, IB=-5mA       -    -  -0.2  V
Base-Emitter saturation voltage       VBE(sat)(1)*  IC=-10mA, IB=-1mA
Base-Emitter saturation voltage                     IC=-50mA, IB=-5mA       -    -  -0.5  V
Transition frequency                  VBE(sat)(2)*  VCE=-10V, IC=-10mA
                                           fT                               -    -  -1    V

                                                                            -    -  -1    V

                                                                            100  -  400 MHz

Collector output capacitance          Cob           VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  -    -  6     pF

* : Pulse Tester : Pulse Width 300s, Duty Cycle 2.0%

                                                    KST-9040-000                                 2
                                                                  2N5401

Electrical Characteristic Curves  Fig. 2 IC - VBE

       Fig. 1 PC-Ta

Fig. 3 fT - IC                    Fig. 4 VCE(sat), VBE(sat) - IC

Fig. 5 Cob - VCB

                                  KST-9040-000                    3
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