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2N5190_15

器件型号:2N5190_15
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

4 A, 60 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-126

参数
2N5190_15端子数量 3
2N5190_15晶体管极性 NPN
2N5190_15最大集电极电流 4 A
2N5190_15最大集电极发射极电压 60 V
2N5190_15加工封装描述 TO-126, 3 PIN
2N5190_15状态 ACTIVE
2N5190_15包装形状 RECTANGULAR
2N5190_15包装尺寸 FLANGE MOUNT
2N5190_15端子形式 THROUGH-HOLE
2N5190_15端子涂层 TIN LEAD
2N5190_15端子位置 SINGLE
2N5190_15包装材料 PLASTIC/EPOXY
2N5190_15结构 SINGLE
2N5190_15元件数量 1
2N5190_15晶体管应用 SWITCHING
2N5190_15晶体管元件材料 SILICON
2N5190_15最大环境功耗 40 W
2N5190_15晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
2N5190_15最小直流放大倍数 10
2N5190_15额定交叉频率 2 MHz

2N5190_15器件文档内容

Product Specification                                                         www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors                        2N5190 2N5191 2N5192

DESCRIPTION
   With TO-126 package
   Complement to type 2N5193,2N5194,2N5195
   Excellent safe operating area

APPLICATIONS
   For use in medium power linear and
   switching applications

PINNING           DESCRIPTION
    PIN
      1  Emitter
      2
      3  Collector;connected to
         mounting base
         Base

Absolute maximum ratings(Ta=25 )

SYMBOL   PARAMETER                                           CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                              Open emitter                  40
                                  2N5190      Open base                     60      V
                                              Open collector                80
VCBO     Collector-base voltage 2N5191                                      40      V
                                              TC=25                         60
                                  2N5192                                    80      V
                                                                             5      A
                                  2N5190                                     4      A
                                                                             7      A
VCEO     Collector-emitter voltage 2N5191                                    1      W
                                                                            40
                                  2N5192                                    150

VEBO     Emitter-base voltage                                            -65~150

IC       Collector current

ICM      Collector current-Peak

IB       Base current

PD       Total power dissipation

Tj       Junction temperature

Tstg     Storage temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL                                 PARAMETER                         VALUE    UNIT
                                                                           3.12      /W
Rth j-c  Thermal resistance junction to case

                                              JMnic
Product Specification                                                                      www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors                                      2N5190 2N5191 2N5192

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL    PARAMETER                             CONDITIONS              MIN TYP. MAX UNIT

                                     2N5190                             40
                                     2N5191 IC=0.1A; IB=0
VCEO      Collector-emitter          2N5192                             60       V
          sustaining voltage

                                                                        80

VCEsat-1  Collector-emitter saturation voltage  IC=1.5A ;IB=0.15A           0.6  V
VCEsat-2  Collector-emitter saturation voltage  IC=4A ;IB=1A
          Emitter-base on voltage               IC=1.5A ; VCE=2V            1.4  V
  VBE
                                                                            1.2  V

                                     2N5190 VCE=40V; IB=0

ICEO      Collector cut-off current 2N5191 VCE=60V; IB=0                    1.0 mA

                                     2N5192 VCE=80V; IB=0

                                     2N5190 VCB=40V; IE=0

ICBO      Collector cut-off current 2N5191 VCB=60V; IE=0                    0.1 mA

                                     2N5192 VCB=80V; IE=0

                                     2N5190     VCE=40V; VBE(off)=1.5V      0.1
                                                TC=125                      2.0

ICEX      Collector cut-off current  2N5191     VCE=60V; VBE(off)=1.5V      0.1  mA
                                                TC=125                      2.0

                                     2N5192     VCE=80V; VBE(off)=1.5V      0.1
                                                TC=125                      2.0

IEBO      Emitter cut-off current               VEB=5V; IC=0                1.0 mA

                                     2N5190

                                                                        25  100

hFE-1     DC current gain            2N5191 IC=1.5A ; VCE=2V

                                     2N5192                             20  80

                                     2N5190

                                                                        10

hFE-2     DC current gain            2N5191 IC=4A ; VCE=2V

                                     2N5192                             7

fT        Transition frequency                  IC=1A ; VCE=10V;f=1MHz  2        MHz

                                                JMnic
Product Specification                                      www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors     2N5190 2N5191 2N5192

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions

                           JMnic
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            datasheet.eeworld.com.cn

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