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2N5109

器件型号:2N5109
器件类别:TRANSISTOR
文件大小:31.03KB,共0页
厂商名称:SEMICOA [Semicoa Semiconductor]
厂商官网:http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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2N5109器件文档内容

Chip Type 2C5109                                   Data Sheet No. 2C5109
Geometry 1007
Polarity NPN                                     Generic Packaged Parts:
                                                 2N5109

Chip type 2C5109 by Semicoa Semi-              Product Summary:
conductors provides performance                APPLICATIONS:
similar to these devices.                      Designed for broadband applications. Us-
                                               able as high frequency current mode
Part Numbers:                                  switch to 200 mA.

2N5109, 2N5109UB, SD5109, SD5109F,             Features: Special Characteristics
SQ5109, SQ5109F
                                               ft = 1200 MHz (typ) at 50 mA/15V

                         Mechanical Specifications

         Metallization                   Top          Al - 15 k min.

       Bonding Pad Size               Backside        Au - 6.5 k nom.
         Die Thickness
           Chip Area                    Emitter       3.4 mils x 3.0 mils
          Top Surface
                                         Base         3.4 mils x 3.0 mils

                                                 8 mils nominal

                                                 15 mils x 20 mils

                                                 Silox Passivated

                         Electrical Characteristics

                                   TA = 25oC

Parameter                Test conditions         Min  Max                  Unit

BVCER      IC = 5.0 mA, RBE = 10 Ohms            40   ---                  V dc
BVCEO
ICEO                     IC = 5.0 mA             20   ---                  V dc
IEBO
hFE1                     VCE = 15 V dc           ---  20                   A
hFE2
                         VBE = 3.0 V dc          ---  100                  A

           IC = 360 mA, VCE = 3.0 V dc           5.0  ---                  ---

           IC = 50 mA, VCE = 15 V dc             40   120                  ---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less
than 300 s, duty cycle less than 2%.
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