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2N4921

器件型号:2N4921
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

1000 mA, 60 V, NPN, 硅, 小信号晶体管

参数
2N4921端子数量 3
2N4921晶体管极性 NPN
2N4921最大集电极电流 1 A
2N4921最大集电极发射极电压 60 V
2N4921加工封装描述 TO-126VAR, 3 PIN
2N4921状态 DISCONTINUED
2N4921包装形状 矩形的
2N4921包装尺寸 凸缘安装
2N4921端子形式 THROUGH-孔
2N4921端子涂层 锡 铅
2N4921端子位置 单一的
2N4921包装材料 塑料/环氧树脂
2N4921元件数量 1
2N4921晶体管元件材料
2N4921晶体管类型 通用小信号
2N4921最小直流放大倍数 30
2N4921额定交叉频率 3 MHz

2N4921器件文档内容

Product Specification                                                           www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors                          2N4921 2N4922 2N4923

DESCRIPTION
   With TO-126 package
   Complement to type 2N4918,2N4919 2N4920
   Excellent safe operating area
   Low collector-emitter saturation voltage

APPLICATIONS
   For driver circuits ,switching ,and
   amplifier applications

PINNING           DESCRIPTION
    PIN
      1  Emitter
      2
      3  Collector;connected to
         mounting base
         Base

Absolute maximum ratings(Ta=25 )

SYMBOL                 PARAMETER                             CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                                Open emitter                40
                                        2N4921  Open base                   60      V
                                                Open collector              80
VCBO     Collector-base voltage         2N4922                              40      V
                                                TC=25                       60
                                        2N4923                              80      V
                                                                             5      A
                                        2N4921                               1      A
                                                                             3      A
VCEO     Collector-emitter voltage 2N4922                                    1      W
                                                                            30
                                        2N4923                              150

VEBO     Emitter-base voltage                                            -65~150

IC       Collector current

ICM      Collector current-Peak

IB       Base current

PD       Total power dissipation

Tj       Junction temperature

Tstg     Storage temperature

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL                                  PARAMETER                        VALUE    UNIT
                                                                           4.16      /W
Rth j-c  Thermal resistance junction to case

                                                JMnic
Product Specification                                                                    www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors                                    2N4921 2N4922 2N4923

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL  PARAMETER                                    CONDITIONS               MIN TYP. MAX UNIT

                                   2N4921                                     40
                                   2N4922 IC=0.1A; IB=0
VCEO    Collector-emitter          2N4923                                     60        V
        sustaining voltage

                                                                              80

VCEsat  Collector-emitter saturation voltage  IC=1.0A ;IB=0.1A                     0.6  V
VBEsat  Emitter-base saturation voltage       IC=1.0A ;IB=0.1A
VBE    Emitter-base on voltage               IC=1A ; VCE=1V                       1.3  V

                                                                                   1.3  V

                                   2N4921 VCE=20V; IB=0

ICEO    Collector cut-off current 2N4922 VCE=30V; IB=0                             0.5 mA

                                   2N4923 VCE=40V; IB=0

ICBO    Collector cut-off current             VCB= Rated VCBO ;IE=0                0.1 mA

ICEX    Collector cut-off current             VCE= Rated VCEO; VBE(off)=1.5V       0.1  mA
                                              TC=125                               0.5

IEBO    Emitter cut-off current               VEB=5V; IC=0                         1.0 mA

hFE-1   DC current gain                       IC=50mA ; VCE=1V                40

hFE-2   DC current gain                       IC=500mA ; VCE=1V               30   150

hFE-3   DC current gain                       IC=1A ; VCE=1V                  10

fT      Transition frequency                  IC=250mA ; VCE=10V;f=1MHz       3.0       MHz
                                              f=100kHz ; VCB=10V;IE=0
COB     Output capacitance                                                         100 pF

                                              JMnic
Product Specification                                   www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors  2N4921 2N4922 2N4923

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 Outline dimensions

                        JMnic
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            datasheet.eeworld.com.cn

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