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2N3904

器件型号:2N3904
器件类别:晶体管   
厂商名称:UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD [UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD]
厂商官网:http://www.unisonic.com.tw/
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器件描述

200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

200 mA, 40 V, NPN, , 小信号晶体管, TO-92

参数

2N3904端子数量 3
2N3904晶体管极性 NPN
2N3904最大集电极电流 0.2000 A
2N3904最大集电极发射极电压 40 V
2N3904加工封装描述 TO-92, 3 PIN
2N3904状态 DISCONTINUED
2N3904包装形状
2N3904包装尺寸 圆柱形的
2N3904端子形式 THROUGH-孔
2N3904端子涂层 锡 铅
2N3904端子位置 BOTTOM
2N3904包装材料 塑料/环氧树脂
2N3904结构 单一的
2N3904元件数量 1
2N3904晶体管应用 开关
2N3904晶体管元件材料
2N3904最大环境功耗 0.6250 W
2N3904晶体管类型 通用小信号
2N3904最小直流放大倍数 30
2N3904额定交叉频率 540 MHz

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2N3904器件文档内容

        UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2N3904                                                 NPN SILICON TRANSISTOR

NPN GENERAL PURPOSE
AMPLIFIER

FEATURES

* Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V
* Collector Dissipation: PC(MAX)=625mW
* Complementary to 2N3906

                                                       Lead-free: 2N3904L
                                                       Halogen-free: 2N3904G

ORDERING INFORMATION

     Normal   Ordering Number            Halogen Free  Package  Pin Assignment   Packing
2N3904-T92-B                            2N3904G-T92-B
2N3904-T92-K  Lead Free Plating         2N3904G-T92-K   TO-92   12 3            Tape Box
               2N3904L-T92-B                            TO-92   EB C               Bulk
               2N3904L-T92-K                                    EB C

www.unisonic.com.tw                                                                    1 of 3
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
                                                                                QW-R201-027,C
2N3904                                                                                  NPN SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25)

                        PARAMETER                SYMBOL                                 RATINGS     UNIT

Collector-Base Voltage                           VCBO                                   60               V

Collector-Emitter Voltage                        VCEO                                   40               V

Emitter-Base Voltage                             VEBO                                   6                V

Collector Current                                IC                                     200            mA

Collector Dissipation                            PC                                     625            mW

Junction Temperature                             TJ                                     150            

Operating and Storage Temperature                TSTG                                   -55 ~ +150     

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25, unless otherwise specified)

               PARAMETER                SYMBOL   TEST CONDITIONS                             MIN TYP MAX UNIT

Collector-Base Breakdown Voltage        BVCBO IC=10A, IE=0                                   60             V

Collector-Emitter Breakdown Voltage (note) BVCEO IC=1mA,IB=0                                 40             V

Emitter-Base Breakdown Voltage          BVEBO IE=10A, IC=0                                   6              V

Collector-Emitter Saturation Voltage (note) VCE(SAT)1 IC=10mA, IB=1mA                               0.2 V
                                                             VCE(SAT)2 IC=50mA, IB=5mA
                                                                                                    0.3 V

Base-Emitter Saturation Voltage (note)  VBE(SAT)1 IC=10mA, IB=1mA                            0.65   0.85 V
                                        VBE(SAT)2 IC=50mA, IB=5mA
                                                                                                    0.95 V

Collector Cut-off Current               ICBO VCE=30V, VEB=3V                                        50 nA

Base Cut-off Current                    IBL VCE=30V, VEB=3V                                         50 nA

                                        hFE1 VCE=1V, IC=0.1mA                                40

                                        hFE2 VCE=1V, IC=1mA                                  70

DC Current Gain (note)                  hFE3 VCE=1V, IC=10mA                                 100    300

                                        hFE4 VCE=1V, IC=50mA                                 60

                                        hFE5 VCE=1V, IC=100mA                                30

Current Gain Bandwidth Product          fT VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz                        300            MHz

Output Capacitance                      Cob VCB=5V, IE=0, f=1MHz                                    4 pF

Turn on Time                            tON      VCC=3V,VBE=0.5V,IC=10mA,                           70 ns
                                                 IB1=1mA

Turn off Time                           tOFF IB1=1B2=1mA                                            250 ns

Note: Pulse test: Pulse Width300s, Duty Cycle2%

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                             2 of 3

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2N3904                                                                                                                  NPN SILICON TRANSISTOR

TYPICAL CHARACTERISTICSDC Current Gain, hFE                            Current Gain-Bandwidth Product, fT (MHz)  1000              fT vs. IC
                                                                                                                        VCE=20V
                                       hFE vs. IC                                                                  500
                240                                                                                                300
                200 VCE=1V
                160                                                                                               100
                                                                                                                   50
                120                                                                                                30
                  80
                  40                                                                                               10
                   0                                                                                                  0.1 0.3 0.5 1 3 5 10 30 50100
                    0.1 0.3 0.5 1 3 5 10 30 50100                                                                             Collector Current, IC (mA)
                            Collector Current, IC (mA)

Saturation Voltage, VBE(SAT), VCE(SAT)                                  Capacitance, Cob (pF)

UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.

                                        UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                3 of 3

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