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2N3055

器件型号:2N3055
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Jinmei
厂商官网:http://www.jmnic.com/
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器件描述

15 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA

15 A, 70 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-204AA

参数
2N3055端子数量 2
2N3055晶体管极性 NPN
2N3055最大集电极电流 15 A
2N3055最大集电极发射极电压 70 V
2N3055加工封装描述 TO-3, 2 PIN
2N3055状态 ACTIVE
2N3055包装形状 ROUND
2N3055包装尺寸 FLANGE MOUNT
2N3055端子形式 PIN/PEG
2N3055端子涂层 TIN LEAD
2N3055端子位置 BOTTOM
2N3055包装材料 METAL
2N3055结构 SINGLE
2N3055元件数量 1
2N3055晶体管元件材料 SILICON
2N3055最大环境功耗 6 W
2N3055晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER
2N3055最小直流放大倍数 5

2N3055器件文档内容

Product Specification                                                      www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors                                                  2N3055

DESCRIPTION
   With TO-3 package
   Complement to type MJ2955
   DC Current Gain -hFE = 2070 @ IC = 4 Adc
   CollectorEmitter Saturation Voltage -
   VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
   Excellent Safe Operating Area

APPLICATIONS
   Designed for generalpurpose switching
   and amplifier applications.

PINNING           DESCRIPTION                     Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol
     PIN  Base
       1  Emitter
       2  Collector
       3

Absolute maximum ratings(Ta= )

SYMBOL    PARAMETER                                            CONDITIONS  VALUE    UNIT
                                               Open emitter                   100     V
VCBO      Collector-base voltage               Open base                      60      V
                                               Open collector                  7      V
VCEO      Collector-emitter voltage                                           15      A
                                               TC=25                           7      A
VEBO      Emitter-base voltage                                                115     W
                                                                              150
IC        Collector current
                                                                           -65~200
IB        Base current

PC        Collector power dissipation

Tj        Junction temperature

Tstg      Storage temperature

THERMAL CHARACTERISTICS                PARAMETER                           VALUE    UNIT
                                                                             1.52      /W
SYMBOL

Rth j-c   Thermal resistance junction to case
Product Specification                                                www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors                                            2N3055

CHARACTERISTICS

Tj=25 unless otherwise specified

SYMBOL  PARAMETER                     CONDITIONS               MIN TYP. MAX UNIT

VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A ;IB=0   60         V

VCER    Collector-emitter sustaining voltage IC=0.2A ;RBE=100  70         V

VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=0.4A         1.1  V

VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=10A ;IB=3.3A        3.0  V

VBE     Base-emitter on voltage    IC=4A ; VCE=4V                    1.5  V

ICEO    Collector cut-off current  VCE=30V; IB=0                     0.7  mA

ICEX    Collector cut-off current  VCE=100V; VBE(off)=1.5V           1.0  mA
                                   TC=150                            5.0

IEBO    Emitter cut-off current    VEB=7V; IC=0                      5.0  mA

hFE-1   DC current gain            IC=4A ; VCE=4V              20    70

hFE-2   DC current gain            IC=10A ; VCE=4V             5.0
Is/b
fT     Second breakdown collector current VCE=40Vdc,t=1.0s,   2.87       A

        With base forward biased   Nonrepetitive

        Transition frequency       IC=0.5A ; VCE=10V           2.5        MHz

                                   2
Product Specification                                    www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors                                2N3055

PACKAGE OUTLINE

Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance: 0.1mm)
                                 3
Product Specification             www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors         2N3055

                               4
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