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2N2907

器件型号:2N2907
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:STMICROELECTRONICS
厂商官网:http://www.st.com/
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器件描述

Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose

参数
产品属性属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商:
Manufacturer:
STMicroelectronics
产品种类:
Product Category:
Bipolar Transistors - BJT
RoHS:YES
安装风格:
Mounting Style:
Through Hole
封装 / 箱体:
Package / Case:
TO-18-3
Transistor Polarity:PNP
Configuration:Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:- 60 V
Collector- Base Voltage VCBO:- 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO:- 5 V
Maximum DC Collector Current:0.6 A
Gain Bandwidth Product fT:200 MHz
最小工作温度:
Minimum Operating Temperature:
- 65 C
最大工作温度:
Maximum Operating Temperature:
+ 150 C
系列:
Series:
2N2907
DC Current Gain hFE Max:300
高度:
Height:
5.3 mm
长度:
Length:
5.8 mm
封装:
Packaging:
Bulk
宽度:
Width:
5.8 mm
商标:
Brand:
STMicroelectronics
Continuous Collector Current:- 0.6 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:75
Pd-功率耗散:
Pd - Power Dissipation:
1.8 W
产品类型:
Product Type:
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
1
子类别:
Subcategory:
Transistors

2N2907器件文档内容

                                                                                    2N2905A

                 ®                                                                  2N2907A

                                             SMALL            SIGNAL PNP TRANSISTORS

DESCRIPTION

The  2N2905A        and  2N2907A     are  silicon     Planar

Epitaxial  PNP      transistors  in  Jedec      TO-39  (for                  Product(s)

2N2905A)   and      in   Jedec   TO-18    (for  2N2907A)

metal     case.  They    are  designed  for     high  speed

saturated        switching    and    general    purpose

applications.

                                                              ObsoTlOe-1t8e             TO-39

solete Product(s) ABSOLUTE                             -      INTERNAL       SCHEMATIC  DIAGRAM

ObSymbol            MAXIMUM     RATINGS

                                   Parameter                                 Value               Unit

VCBO       Collector-Base Voltage (IE = 0)                                   -60                 V

VCEO       Collector-Emitter Voltage (IB = 0)                                -60                 V

VEBO       Emitter-Base Voltage (IC = 0)                                     -5                  V

     IC    Collector Current                                                 -0.6                A

     ICM   Collector Peak Current (tp < 5 ms)                                -0.8                A

Ptot       Total Dissipation at Tamb ≤ 25 oC

                                 for 2N2905A                                 0.6                 W

                                 for 2N2907A                                 0.4                 W

                                 at TC ≤ 25 oC

                                 for 2N2905A                                 3                   W

                                 for 2N2907A                                 1.8                 W

Tstg       Storage Temperature                                          -65 to 175               oC

     Tj    Max. Operating Junction Temperature                               175                 oC

February 2003                                                                                        1/7
2N2905A/2N2907A

THERMAL              DATA

                                                                                       TO-39      TO-18

Rthj-case     Thermal      Resistance  Junction-Case                         Max       50               83.3        oC/W

Rthj-amb      Thermal      Resistance  Junction-Ambient                      Max       250              375         oC/W

ELECTRICAL           CHARACTERISTICS                 (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symbol               Parameter                             Test Conditions                  Min.  Typ.  Max.        Unit

     ICBO     Collector Cut-off        VCB = -50 V                                                            -10   nA

              Current (IE = 0)         VCB = -50 V                  Tj = 150 oC                               -10   µA

     ICEX     Collector Cut-off        VCE = -30 V                                                            -50   nA
                                                                                            Product(s) -60
              Current (VBE = 0.5V)

     IBEX     Base Cut-off Current     VCE = -30 V                                                            -50   nA

              (VBE = 0.5V)

V(BR)CBO      Collector-Base           IC = -10 µA                                                                  V

              Breakdown Voltage

              (IE = 0)

V(BR)CEO∗     Collector-Emitter        IC =             -10 mA                              -60                     V
lete V(BR)EBO
              Breakdown Voltage

              (IB = 0)

bso VCE(sat)∗
              Emitter-Base             IE =             -10 µA                                -5                    V

              Breakdown Voltage

              (IC = 0)

- O VBE(sat)∗
              Collector-Emitter        IC =             -150 mA        IB = -15 mA                            -0.4  V

              Saturation Voltage       IC =             -500 mA        IB = -50 mA                            -1.6  V
     t(s) hFE∗
              Base-Emitter             IC =             -150 mA        IB = -15 mA                            -1.3  V

              Saturation Voltage       IC =             -500 mA        IB = -50 mA                            -2.6  V

     Produc fT
              DC Current Gain          IC            =  -0.1 mA        VCE = -10 V            75

                                       IC            =  -1 mA          VCE = -10 V          100

                                       IC            =  -10 mA         VCE = -10 V          100

                                       IC            =  -150 mA        VCE = -10 V          100               300

                                       IC            =  -500 mA        VCE = -10 V            50

     lete CEBOTransition Frequency     VCE              = -20 V     f  = 100 MHz            200                     MHz

                                       IC =             -50 mA

     so CCBO  Emitter-Base             IC =             0      VEB  = -2 V   f = 1MHz                         30    pF

              Capacitance

Obtd∗∗        Collector-Base           IE =             0      VCB  = -10 V  f = 1MHz                         8     pF

              Capacitance

              Delay Time               VCC              = -30 V     IC = -150 mA                              10    ns

                                       IB1 = -15 mA

     tr∗∗     Rise Time                VCC = -30 V                  IC = -150 mA                              40    ns

                                       IB1 = -15 mA

     ts∗∗     Storage Time             VCC = -6 V                   IC = -150 mA                              80    ns

                                       IB1 = -IB2 = -15 mA

     tf∗∗     Fall Time                VCC = -6 V                   IC = -150 mA                              30    ns

                                       IB1 = -IB2 = -15 mA

     ton∗∗    Turn-on Time             VCC = -30 V                  IC = -150 mA                              45    ns

                                       IB1 = -15 mA

     toff∗∗   Turn-off Time            VCC = -6 V                   IC = -150 mA                              100   ns

                                       IB1 = -IB2 = -15 mA

* Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 1 %

** See test circuit

2/7
                                                  2N2905A/2N2907A

Normalized DC Current Gain.                       Collector Emitter Saturation Voltage.

Collector Base and Emitter-base capacitances.     Obsolete Product(s) Switching Characteristics.

Obsolete Product(s)                            -

                                                                                                  3/7
2N2905A/2N2907A

Test Circuit for ton, tr, td.

Obsolete Product(s) - Obsolete Test                                 Product(s)

                          PULSE GENERATOR     :  TO OSCILLOSCOPE :

                          tr ≤ 2.0 ms            tr < 5.0 ns

                          Frequency = 150 Hz     ZIN > 10 MΩ

                          Zo = 50 Ω

     Circuit  for  toff,  to, tf.

                          PULSE GENERATOR :      TO OSCILLOSCOPE :

                          tr ≤ 2.0 ns            tr <  5.0 ns

                          Frequency = 150 Hz     ZIN > 100 MΩ

                          Zo = 50 Ω

4/7
                                                     2N2905A/2N2907A

                    TO-18 MECHANICAL DATA

                    mm                               inch

DIM.

              MIN.  TYP.      MAX.         MIN.      TYP.         MAX.

A                   12.7                             0.500

B                                0.49                             0.019
                                                     Product(s) 0.208
D                                5.3

E                                4.9                              0.193

F                                5.8                              0.228

G             2.54               lete 1.2  0.100

H                             - Obso 1.16                         0.047

I                                                                 0.045

L             P45o roduct(s)               45o

ObsH oI lete  G                            D                A

                          F   E

                    L

                                                               B

                                                  C

                                                               0016043

                                                                         5/7
2N2905A/2N2907A

                       TO-39 MECHANICAL DATA

                       mm                                    inch

     DIM.

              MIN.     TYP.         MAX.              MIN.   TYP.     MAX.

     A        12.7                                    0.500

     B                              0.49                              0.019
                                                             Product(s) 0.260
     D                              6.6

     E                              8.5                               0.334

     F                              9.4                               0.370

     G        5.08                  lete 1.2          0.200

     H                           - Obso 0.9                           0.047

     I                                                                0.035

     L        Product(s)                  45o (typ.)

ObsH oI lete        G                     D                  A

                              F  E

                           L

                                                                   B

                                                                      P008B

6/7
                                                                            2N2905A/2N2907A

Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)

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