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2N2222A

器件型号:2N2222A
器件类别:晶体管   
厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
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器件描述

500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18

500 mA, 40 V, NPN, , 小信号晶体管, TO-18

参数

2N2222A端子数量 3
2N2222A晶体管极性 NPN
2N2222A最大导通时间 35 ns
2N2222A最大关断时间 285 ns
2N2222A最大集电极电流 0.5000 A
2N2222A最大集电极发射极电压 40 V
2N2222A状态 DISCONTINUED
2N2222A包装形状
2N2222A包装尺寸 圆柱形的
2N2222A端子形式 线
2N2222A端子涂层 锡 铅
2N2222A端子位置 BOTTOM
2N2222A包装材料 金属
2N2222A结构 单一的
2N2222A元件数量 1
2N2222A晶体管应用 开关
2N2222A晶体管元件材料
2N2222A最大环境功耗 0.4000 W
2N2222A晶体管类型 通用小信号
2N2222A最小直流放大倍数 100
2N2222A额定交叉频率 300 MHz

文档预览

2N2222A器件文档内容

NPN 2N2222 2N2222A
PNP 2N2907 2N2907A

           SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

    The 2N2222 and 2N2222A are NPN transistors mounted in TO-18 metal package with the collector
                                                       connected to the case .

They are primarily intended for high speed switching. The 2N2222 is also suitable for d.c. and v.h.f./u.h.f.
                                                               amplifiers .

                                       PNP complements are 2N2907 and 2N2907A .
                                                        Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

   Symbol                               Ratings         2N2222A  Value  Unit
                                                        2N2222
VCEO       Collector-Emitter Voltage                    2N2222A  40(1)    V
VCBO                                                    2N2222     30     V
VEBO       Collector-Base Voltage                       2N2222A    75     V
IC                                                      2N2222     60    mA
PD         Emitter-Base Voltage                         2N2222A     6   Watts
PD                                                      2N2222      5   Watts
TJ         Collector Current          @ Tamb = 25      2N2222A   800
TStg       Total Power Dissipation    @ Tcase= 25      2N2222
           Total Power Dissipation                      2N2222A    0.5
           Junction Temperature                         2N2222
                                                        2N2222A    1.2
                                                        2N2222
                                                        2N2222A  200    C
                                                        2N2222
           Storage Temperature range                             -65 to +200 C

(1) Applicable up to IC = 500mA

THERMAL CHARACTERISTICS

   Symbol                               Ratings         2N2222A  Value  Unit
                                                        2N2222
RthJ-a     Thermal Resistance, Junction to ambient in   2N2222A   350   K/W
RthJ-c     free air                                     2N2222    146   K/W

           Thermal Resistance, Junction to case

                                 COMSET SEMICONDUCTORS                  1/3
NPN 2N2222 2N2222A
PNP 2N2907 2N2907A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25C unless otherwise noted

Symbol   Ratings                      Test Condition(s)                  Min Typ Mx   Unit

ICBO      Collector Cutoff Current     VCB=60 V, IE=0V          2N2222A   -    - 10     nA
ICBO                                   VCB=50 V, IE=0V          2N2222                  A
IEBO                                                                                    nA
ICEX      Collector Cutoff Current     VCB=60 V, IE=0V, Tj=150C 2N2222A  -    - 10     nA
VCEO                                   VCB=50 V, IE=0V, Tj=150C 2N2222                  V
VCBO                                                                                     V
VEBO      Emitter Cutoff Current       VBE=3.0 V, IC=0          2N2222A   -    - 10      V
                                                                2N2222
hFE                                                                                       -
          Collector Cutoff Current     VCE=60 V, -VBE=3V        2N2222A   -    - 10
VCE(SAT)                                                        2N2222                   V
VBE(SAT)
          Collector Emitter Breakdown  IC=10 mA, IB=0           2N2222A 40 - -
          Voltage                                               2N2222 30 - -

          Collector Base Breakdown     IC=10 A, IE=0           2N2222A 75 - -
          Voltage                                               2N2222 60 - -

          Emitter Base Breakdown       IE=10 A, IC=0           2N2222A 6 - -
          Voltage                                               2N2222 5 - -

                                       IC=0.1 mA, VCE=10 V      2N2222A   35   -  -
                                                                2N2222

                                       IC=1 mA, VCE=10 V        2N2222A
                                                                2N2222 50 -       -

                                       IC=10 mA, VCE=10 V       2N2222A   75   -  -
                                                                2N2222

          DC Current Gain              IC=10 mA, VCE=10 V       2N2222A 35 - -
                                                                2N2222 - - -
                                       Tamb = -55

                                       IC=150 mA, VCE=1 V (1)   2N2222A   50
                                                                2N2222
                                                                               -  -

                                       IC=150 mA, VCE=10 V (1)  2N2222A   100  -  -
                                                                2N2222

                                       IC=500 mA, VCE=10 V (1) 2N2222A 40 -       -

                                                                2N2222 30 - -

          Collector-Emitter saturation IC=150 mA, IB=15 mA      2N2222A -      - 0.3
                                                                2N2222 -       - 0.4

          Voltage (1)                  IC=500 mA, IB=50 mA      2N2222A -      -1
                                                                2N2222 -       - 1.6

          Base-Emitter saturation      IC=150 mA, IB=15 mA      2N2222A -      - 1.2
                                                                2N2222 -       - 1.3

          Voltage (1)                  IC=500 mA, IB=50 mA      2N2222A -      -2
                                                                2N2222 -       - 2.6

Symbol   Ratings                      Test Condition(s)                  Min Typ Mx Unit

fT        Transition frequency         IC=20 mA, VCE=20 V       2N2222A 250 -     -    MHz
hfe       Small signal current gain    f= 100MHz                2N2222 300 -      -
                                                                2N2222A 3 -
                                       IC=1 A, VCE=2.0 V        2N2222 2.5 -      -    -
                                                                                  -

                           COMSET SEMICONDUCTORS                                  3/3
NPN 2N2222 2N2222A
PNP 2N2907 2N2907A

    Symbol               Ratings          Test Condition(s)               Min Typ Mx                                 Unit

   td         Delay time                  IC=150 mA ,IB =15 mA   2N2222A -   - 10                                     ns
   tr         Rise time                   -VBE=0.5 V                         - 25                                     pF
                                                                 2N2222A -                                            pF
   CC         Collector capacitance       IE= Ie = 0 ,VCB=10 V               -8                                       ps
                                          f = 100kHz             2N2222A  -
                                                                 2N2222      - 25
                                          IC= Ic = 0 ,VEB=0.5 V              --
   CE         Emitter capacitance         f = 100kHz             2N2222A -   - 150
                                                                             --
                                          IC=20 mA, VCE=20 V     2N2222 -
                                          f= 31.8MHz
   rb,CC      Feedback time constant                             2N2222A -

                                                                 2N2222 -

(1) Pulse conditions : tp < 300 s,  =2%

MECHANICAL DATA CASE TO-18

       DIMENSIONS

          mm     inches

A         12,7     0,5

B         0,49 0,019

D             5,3 0,208

E             4,9 0,193

F             5,8 0,228

G         2,54     0,1

H             1,2 0,047

I         1,16 0,045

L           45    45

Pin 1 :            Emitter
Pin 2 :               Base
Pin 3 :
                 Collector

          Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability
                        for the consequences of use of such information nor for errors that could appear.

                                      Data are subject to change without notice.

                                     COMSET SEMICONDUCTORS                                                      3/3
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小广播

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