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2N2219A

器件型号:2N2219A
器件类别:晶体管   
厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
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2N2219A器件文档内容

NPN 2N2218A 2N2219A

                 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

                The 2N2218A and 2N2219A are NPN transistors mounted in TO-39 metal case .
                                They are designed for high-speed switching applications,

    And feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage currents and low
                                                         saturation voltages.
                                                        Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

   Symbol                               Ratings        2N2218A  Value  Unit
                                                       2N2219A
VCEO       Collector-Emitter Voltage                   2N2218A    40     V
VCBO                                                   2N2219A
VEBO       Collector-Base Voltage                      2N2218A  75                                        V
IC                                                     2N2219A
PD         Emitter-Base Voltage                        2N2218A  6                                         V
PD                                                     2N2219A
TJ         Collector Current                           2N2218A  800    mA
TStg       Total Power Dissipation                     2N2219A
           Total Power Dissipation    @ Tamb = 25     2N2218A  0.8    Watts
           Junction Temperature       @ Tcase= 25     2N2219A
                                                       2N2218A  3      Watts
                                                       2N2219A
                                                       2N2218A  175                                       C
                                                       2N2219A
           Storage Temperature range                            -65 to +200 C

THERMAL CHARACTERISTICS

   Symbol                               Ratings        2N2218A  Value  Unit
                                                       2N2219A
RthJ-a     Thermal Resistance, Junction to ambient in  2N2218A    50   C/W
RthJ-c     free air                                    2N2219A  187.5  C/W

           Thermal Resistance, Junction to case

           COMSET SEMICONDUCTORS                                       1/3
NPN 2N2218A 2N2219A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25C unless otherwise noted

Symbol   Ratings                      Test Condition(s)                  Min Typ Mx  Unit

ICBO      Collector Cutoff Current     VCB=60 V, IE=0            2N2218A  -   - 10     nA
ICBO                                                             2N2219A               A
IEBO                                                                                   nA
ICEX      Collector Cutoff Current     VCB=60 V, IE=0, Tj=150C  2N2218A  -   - 10     nA
VCEO (1)                                                         2N2219A                V
VCBO                                                                                    V
VEBO      Emitter Cutoff Current       VBE=3.0 V, IC=0           2N2218A  -   - 10      V
                                                                 2N2219A
hFE (1)                                                                                  -
          Collector Cutoff Current     VCE=60 V, -VBE=3V         2N2218A  -   - 10
VCE(SAT)                                                         2N2219A                V
VBE(SAT)
          Collector Emitter Breakdown  IC=10 mA, IB=0            2N2218A  40  -  -
          Voltage                                                2N2219A

          Collector Base Breakdown     IC=10 A, IE=0            2N2218A  75  -  -
          Voltage                                                2N2219A

          Emitter Base Breakdown       IE=10 A, IC=0            2N2218A  6   -  -
          Voltage                                                2N2219A

                                       IC=0.1 mA, VCE=10 V       2N2218A 20 - -

                                                                 2N2219A 35 - -

                                       IC=1 mA, VCE=10 V         2N2218A 25 - -

                                                                 2N2219A 50 - -

                                       IC=10 mA, VCE=10 V        2N2218A 35 - -

                                                                 2N2219A 75 - -

          DC Current Gain              IC=10 mA, VCE=10 V        2N2218A 15 - -
                                                                 2N2219A 35 - -
                                       Tamb = -55

                                       IC=150 mA, VCE=1 V        2N2218A 20 - -

                                                                 2N2219A 50 - -

                                       IC=150 mA, VCE=10 V       2N2218A 40 - 120

                                                                 2N2219A 100 - 300

                                       IC=500 mA, VCE=10 V       2N2218A 25 - -

                                                                 2N2219A 40 - -

          Collector-Emitter saturation IC=150 mA, IB=15 mA       2N2218A  -   - 0.3
                                                                 2N2219A

          Voltage (1)                  IC=500 mA, IB=50 mA       2N2218A  -   -  1
                                                                 2N2219A

          Base-Emitter saturation      IC=150 mA, IB=15 mA       2N2218A  -   - 1.2
                                                                 2N2219A

          Voltage (1)                  IC=500 mA, IB=50 mA       2N2218A  -   -  2
                                                                 2N2219A

Symbol    Ratings                      Test Condition(s)                  Min Typ Mx  Unit

fT        Transition frequency         IC=20 mA, VCE=20 V        2N2218A 250 - -      MHz
                                       f= 100MHz                 2N2219A 300 - -         -
                                                                 2N2218A 30 - 150
hfe       Small signal current gain    IC=1 mA, VCE=10 V         2N2219A 50 - 300
                                       f= 1kHz                   2N2218A 50 - 300
                                                                 2N2219A 75 - 375
                                       IC=10 mA, VCE=10 V
                                       f= 1kHz

                                COMSET SEMICONDUCTORS                            3/3
NPN 2N2218A 2N2219A

   Symbol             Ratings                       Test Condition(s)           Min Typ Mx                          Unit

td         Delay time                     IC=150 mA, IB =15 mA         2N2218A  -  - 10                              ns
                                          -VBB=0.5 V, VCC=30 V         2N2219A     - 25                              ns
                                                                                   - 225                             ns
tr         Rise time                      IC=150 mA, IB =15 mA         2N2218A  -  - 60                              ns
                                          -VBB=0.5 V, VCC=30 V         2N2219A     - 150                             ps

ts         Storage time                   IC=150 mA, IB1 = -IB2 =15 mA 2N2218A  -

                                          VCC=30 V                     2N2219A

tf         Fall time                      IC=150 mA, IB1 = -IB2 =15 mA 2N2218A  -

                                          VCC=30 V                     2N2219A

rb,CC      Feedback time constant         IC=20 mA, VCE=20 V           2N2218A  -
                                          f= 31.8MHz                   2N2219A

(1) Pulse conditions : tp < 300 s,  =2%

MECHANICAL DATA CASE TO-39

DIMENSIONS

           mm

A          6,25

B          13,59

C          9,24

D          8,24

E          0,78

F          1,05

G          0,42

H          45

L          4,1

Pin 1 :       Emitter
Pin 2 :          Base
Case :
            Collector

         Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability
                       for the consequences of use of such information nor for errors that could appear.

                                     Data are subject to change without notice.

                               COMSET SEMICONDUCTORS                                                           3/3
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