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2N1711

器件型号:2N1711
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
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器件描述

Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

参数
产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
Bipolar Transistors - BJT
制造商:
Manufacturer:
Microsemi
RoHS:No
安装风格:
Mounting Style:
Through Hole
封装 / 箱体:
Package / Case:
TO-5-3
商标:
Brand:
Microsemi
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
100

2N1711器件文档内容

                                                                               TECHNICAL DATA

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/225

Devices                                                                                    Qualified Level

2N1711                                           2N1890                                             JAN

                                                                                                    JANTX

MAXIMUM RATINGS

                   Ratings                       Symbol     2N1711       2N1890  Unit

Collector-Base Voltage                           VCBO       75           100     Vdc

Emitter-Base Voltage                             VEBO               7.0          Vdc

Collector Current                                IC                 500          mAdc

Total Power Dissipation        @ TA = +250C (1)  PT                 0.8          W

                               @ TC = +250C (2)                     3.0          W

Operating & Storage Junction Temperature Range   TJ, Tstg   -65 to +200          0C

THERMAL CHARACTERISTICS

                   Characteristics               Symbol         Max.             Unit

Thermal Impedance                                ZθJX               58           0C/W               TO-5*

1) Derate linearly 4.57 mW/0C for TA > 250C

2) Derate linearly 17.2 mW/0C for TC > 250C

                                                                                           *See appendix A for package

                                                                                           outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless                otherwise noted)

                         Characteristics                                Symbol   Min.      Max.            Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

IC = 100 µAdc                                    2N1711, S          V(BR)CBO           75                  Vdc

                                                 2N1890, S                           100

Collector-Emitter Breakdown Voltage

RBE  = 10 Ω,   IC = 100 mAdc                     2N1711, S          V(BR)CER           50                  Vdc

                                                 2N1890, S                             80

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC = 30 mAdc                                     2N1711, S          V(BR)CEO           30                  Vdc

                                                 2N1890, S                             60

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE = 100 µAdc                                                       V(BR)EBO          7.0                  Vdc

Collector-Base Cutoff Current

VCB = 60 Vdc                                     2N1711                  ICBO              10            ηAdc

VCB = 80 Vdc                                     2N1890                                    10

Emitter-Base Cutoff Current                                              IEBO                            ηAdc

VEB = 5.0 Vdc                                                                              5.0

6 Lake Street, Lawrence, MA         01841                                                                  120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803                                               Page 1 of 2
                                              2N1711, 2N1890     JAN  SERIES

                    Characteristics                                   Symbol       Min.  Max.  Unit

ON CHARACTERISTICS (3)

Forward-Current Transfer Ratio

IC = 10 µAdc, VCE = 10 Vdc                                                         20

IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc                                                   hFE  100   300

IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc                   2N1711,         S                    50

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc                   2N1711,         S       VCE(sat)           1.5   Vdc

                                              2N1890,         S                          5.0

IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc                   2N1890,         S                          1.2

Base-Emitter Saturation Voltage

IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc                                           VBE(sat)           1.3   Vdc

IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mVdc                   2N1890,         S                          0.9

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Small-Signal Short-Circuit Forward-Current Transfer Ratio

IC = 1.0 mAdc, VCE  = 5.0 Vdc                                                 hfe  80    200

IC = 5.0 mAdc, VCE  = 10 Vdc                                                       90    270

Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-Circuit

Forward-Current Transfer Ratio                                        hfe

IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc; f = 20 MHz                                             3.5   12

Small-Signal Short-Circuit Input Impedance                                                     Ω

IC = 5.0 mAdc, VCB  = 10 Vdc                                                  hib  4.0   8.0

Small-Signal Short-Circuit Output Admittance

IC = 5.0 mAdc, VCB = 10 Vdc                                                   hob              µΩ

                                              2N1711,         S                          1.0

                                              2N1890,         S                          .03

Output Capacitance

VCB = 10 Vdc, IE = 0, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHz   2N1711,         S       Cobo         8.0   25    pF

                                              2N1890,         S                    5.0   15

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Time + Turn-Off Time                                          ton + toff               ηs

(See figure 1 of MIL-PRF-19500/225)                                                      30

(3) Pulse Test: Pulse Width 250 to 350µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841                                                                 120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803                                          Page 2 of 2
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