电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

2N1596

器件型号:2N1596
文件大小:998.81KB,共2页
厂商名称:COMSET
厂商官网:http://comset.halfin.com/
下载文档

器件描述

silicon thyristor

2N1596器件文档内容

2N1595 thru 2N1599

                                 SILICON THYRISTOR

                      Industrial-type, low-current silicon controlled rectifiers

             in a three-lead package ideal for printed-circuit applications.

             Current handling capability of 1.6 amperes at junction temperetures to 125°C

MAXIMUM RATINGS (*)

TJ=125°C unless otherwise noted

     Symbol                      Ratings                2N1595  2N1596            2N1597  2N1598  2N1599

VRSM(REP)    Peak reverse blocking voltage *            50      100               200      300    400     V

IT(RMS)      Forward Current RMS (all conduction                                  1.6                     Amp

             angles)

ITSM         Peak Surge Current                                                   15                      Amp

             (One Cycle, 60Hz, TJ=-65 to +125°C)

PGM          Peak Gate Power – Forward                                            0.1                     W

PG(AV)       Average Gate Power - Forward                                         0.01                    W

IGM          Peak Gate Current – Forward                                          0.1                     Amp

VGFM         Peak Gate Voltage - Forward                                          10                      V

VGRM         Peak Gate Voltage - Reverse                                          10                      V

TJ           Operating           Junction  Temperature               -65 to +125

             Range                                                                                        °C

TSTG         Storage Temperature Range                               -65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TJ=25°C unless otherwise noted, RGK=1000Ω

     Symbol                      Ratings                2N1595  2N1596            2N1597  2N1598  2N1599

VDRM         Peak Forward Blocking            Min  :    50      100               200      300    400     V

             Voltage *

IRRM         Peak Reverse Blocking Current                              Max : 1.0                         mA

             (Rated VDRM, TJ =125°C)

                                 COMSET SEMICONDUCTORS                                            1/2
2N1595 thru 2N1599

     Symbol                     Ratings                  2N1595                 2N1596  2N1597     2N1598      2N1599

                Peak Forward Blocking Current

IDRM            (Rated VDRM with gate open , TJ                                         Max :1.0                       mA

                =125°C)

IGT             Gate Trigger Current (2)                                                Typ : 2.0                      mA

                Anode Voltage=7.0 Vdc, RL=12Ω                                           Max : 10

                Gate Trigger Voltage                                                    Typ : 0.7

VGT             Anode Voltage=7.0 Vdc, RL=12Ω                                           Max : 3.0                      V

                VDRM = Rated, RL=100Ω, TJ=125°C                                         Min : 0.2

IH              Holding Current                                                                                        mA

                Anode Voltage=7.0 Vdc, gate open                                        Typ : 5.0

VTM             Forward On Voltage                                                      Typ : 1.1                      V

                IT=1 Adc                                                                Max : 2.0

tgt             Turn-On Time (td+tr)                                                                                   µs

                IGT=10 mA, IT=1 A                                                       Typ : 0.8

                Turn-Off Time

tq              IT=1    A,  IR  =1  A,  dv/dt=20  V/µs,                                                                µs

                TJ=125°C                                                                Typ : 10

                VDRM = Rated Voltage

* VDRM or VRSM can be applied for all types on a continuous dc basis without incurring damage.

MECHANICAL DATA CASE TO-39

    DIMENSIONS

         mm     inches

A        6,25   0,24

B        13,59  0,53

C        9,24   0,36

D        8,24   0,32

E        0,78   0,03

F        1,05   0,041

G        0,42   0,165

H        45°

L        5,1    0,2

Pin 1 :  Cathode

Pin 2 :         Gate

Pin 3 :         Anode

         Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, CS assumes no responsability

                for the consequences of use of such information nor for errors that could appear.

                                    Data are subject to change without notice.

                                    COMSET SEMICONDUCTORS                                                      2/2
This datasheet has been downloaded from:

datasheet.eeworld.com.cn

Free Download

Daily Updated Database

100% Free Datasheet Search Site

100% Free IC Replacement Search Site

Convenient Electronic Dictionary

Fast Search System

www.EEworld.com.cn

All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission

               Copyright © Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved