H5610
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器件描述：PNP SILICON TRANSISTOR
器件厂商：ETC [
ETC]
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文件大小：62.64KB
文件页数：1
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摘要：
汕头华汕电子器件有限公司
P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R
H5610
对应国外型号
HIT5610
█ 主要用途 █ 外形图及引脚排列
作音频放大。
█ 极限值（T
a
=25℃）
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基 极，B
TO-92
T
stg
——贮存温度………………………………… -55~150℃
T
j
——结温……………………………………………150℃
P
C
——集电极耗散功率…………………………………750mW
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………-25V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………-20V
V
EBO
——发射极—基极电压……………………………-5V
I
C
——集电极电流………………………………………-1A
█ 电参数（T
a
=25℃）
参数符号 符 号 说 明 最小值典型值最大值单位 测 试 条 件
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
HFE
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极电压
特征频率
共基极输出电容
-25
-20
-5
60
-0.2
-0.8
360
38
-1
240
-0.5
-1
V
V
V
μA
V
V
MHz
pF
IC=-10μA，IE=0
IC=-1mA，IB=0
IE=-10μA，IC=0
VCB=-20V, IE=0
VCE=-2V, IC=-500mA
IC=0.8A, IB=-80mA
VCE=-2V, IC=-500mA
VCE=-2V, IC=-500mA
VCB=-10V,IE=0，f=1MHz
█ 分档及其标志
A B C
60—120 85—170 120—240
