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XP8081
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：Silicon N-channel junction FET (Tr1) Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2) 器件厂商：PANASONIC [Panasonic Semiconductor] 厂商主页：http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html 文件大小：48.07KB 文件页数：4 PDF阅读：XP8081.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： 1 Composite Transistors XP8081 Silicon N-channel junction FET (Tr1) Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2) For analog switching (Tr1)/switching (Tr2) n Features l Two elements incorporated into one package. l Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. n Basic Part Number of Element l 2SK1103+UN1213 (transistors with built-in resistor) n Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C) Unit: mm Marking Symbol: 9Z Internal Connection Parameter Symbol Ratings Unit Gate to drain voltage V GDS –50 V Drain current I D 20 mA Gate current I G 10 mA Collector to base voltage V CBO 50 V Collector to emitter voltage V CEO 50 V Collector current I C 100 mA Total power dissipation P T 150 mW Junction temperature T j 150 ?C Storage temperature T stg –55 to +150 ?C Tr1 Overall Tr2 1 : Drain (Tr1) 4 : Emitter (Tr2) 2 : Source (Tr1) 5 : Base (Tr2) 3 : Collector (Tr2) 6 : Gate (Tr1) EIAJ : SC–88 S–Mini Type Package (6–pin) 2.1– 0.1 0.2 – 0.05 0.65 0.65 2.0 – 0.1 0.9 – 0.1 0 to 0.1 1.25– 0.10.425 0.425 1 2 3 6 5 4 0.2– 0.1 0.7 – 0.1 0.2 0.12 +0.05 –0.02 1 Tr2 Tr1 2 34 6 5 相关器件：

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EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn

器件描述：Silicon N-channel junction FET (Tr1) Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)
器件厂商：PANASONIC [Panasonic Semiconductor]
厂商主页：http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
文件大小：48.07KB
文件页数：4
PDF阅读：XP8081.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
1
Composite Transistors
XP8081
Silicon N-channel junction FET (Tr1)
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)
For analog switching (Tr1)/switching (Tr2)
n
Features
l Two elements incorporated into one package.
l Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
n
Basic Part Number of Element
l 2SK1103+UN1213 (transistors with built-in resistor)
n
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Unit: mm
Marking Symbol: 9Z
Internal Connection
Parameter Symbol Ratings Unit
Gate to drain voltage V
GDS
–50 V
Drain current I
D
20 mA
Gate current I
G
10 mA
Collector to base voltage V
CBO
50 V
Collector to emitter voltage V
CEO
50 V
Collector current I
C
100 mA
Total power dissipation P
T
150 mW
Junction temperature T
j
150 ?C
Storage temperature T
stg
–55 to +150 ?C
Tr1
Overall
Tr2
1 : Drain (Tr1) 4 : Emitter (Tr2)
2 : Source (Tr1) 5 : Base (Tr2)
3 : Collector (Tr2) 6 : Gate (Tr1)
EIAJ : SC–88
S–Mini Type Package (6–pin)
2.1– 0.1
0.2
–
0.05
0.65
0.65
2.0
–
0.1
0.9
–
0.1
0 to 0.1
1.25– 0.10.425 0.425
1
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+0.05 –0.02
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