厂商名称:NCE Power





                                                                                              Pb-Free Product

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description                                                       VDS      650  V

  The series of devices use advanced super junction                       RDS(ON)  190  m

technology and design to provide excellent RDS(ON) with low               ID       20   A
gate charge. This super junction MOSFET fits the industry's
AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power
conversion, and industrial power applications.


New technology for high voltage device
Low on-resistance and low conduction losses
small package
Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements
100% Avalanche Tested

Application                                                                    Schematic diagram

Power factor correctionPFC
Switched mode power supplies(SMPS)
Uninterruptible Power SupplyUPS

Package Marking And Ordering Information

Device                     Device Package  Marking

NCE20N65T                     TO-247       20N65C3

Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25)                                              TO-247

           Parameter                                         Symbol                NCE20N65T      Unit

Drain-Source Voltage (VGS=0V                                 VDS                          650       V
                                                                                         30        V
Gate-Source Voltage (VDS=0V)                                 VGS                           20       A
                                                                                          12.5      A
Continuous Drain Current at Tc=25C                          ID (DC)                       60       A

Continuous Drain Current at Tc=100C                          ID (DC)                      50     V/ns
Pulsed drain current (Note 1)                                IDM (pluse)
                                                                                          208       W
Drain Source voltage slope, VDS = 480 V, ID = 20 A, Tj =     dv/dt                        1.67    W/C
125 C                                                                                    690
                                                                                           20      mJ
Maximum Power Dissipation(Tc=25)                             PD
           Derate above 25C
Single pulse avalanche energy (Note 2)                       EAS

Avalanche current(Note 1)                                    IAR

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd      Page 1

                                                                                                       Pb-Free Product

Repetitive Avalanche energy tAR limited by Tjmax     EAR                                                  1            mJ
                                                   TJ,TSTG                                          -55...+150
(Note 1)                                                                                                                C
                                                  Symbol                                         NCE20N65T
Operating Junction and Storage Temperature Range                                                                      Unit
                                                     RthJC                                              0.6
* limited by maximum junction temperature            RthJA                                               62           C /W
                                                                                                                      C /W
Table 2. Thermal Characteristic

Thermal ResistanceJunction-to-CaseMaximum
Thermal ResistanceJunction-to-Ambient Maximum

Table 3. Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)

               Parameter                 Symbol                                 Condition        Min  Typ       Max   Unit

On/off states                                                                                    650    3         1     V
                                                                                                                100    A
Drain-Source Breakdown Voltage           BVDSS    VGS=0V ID=250A                                 2.5  17.5      100   A
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25)    IDSS    VDS=650V,VGS=0V                                     2300       3.5   nA
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125)   IDSS    VDS=650V,VGS=0V                                               190     V
                                                                                                       95              m
Gate-Body Leakage Current                IGSS     VGS=30V,VDS=0V                                       7       114
                                                                                                       85               S
Gate Threshold Voltage                   VGS(th)  VDS=VGS,ID=250A                                      11       100    PF
                                                                                                       33        12    PF
Drain-Source On-State Resistance         RDS(ON)                                VGS=10V, ID=10A        10        20    PF
                                                                                                        5        60    nC
Dynamic Characteristics                                                                                67        1.3   nC
                                                                                                        4              nC
Forward Transconductance                 gFS      VDS = 20V, ID = 10A
                                                                                                       0.9             nS
Input Capacitance                        Clss                                                         500              nS
Output Capacitance                                            VDS=100V,VGS=0V,                         11              nS
Reverse Transfer Capacitance                                                                                           nS
                                                                    F=1.0MHz                                            A
                                         Crss                                                                           V
Total Gate Charge                        Qg                                                                            nC
Gate-Source Charge                                            VDS=480V,ID=20A,
Gate-Drain Charge


Switching times

Turn-on Delay Time                       td(on)

Turn-on Rise Time                        tr       VDD=380V,ID=20A,

Turn-Off Delay Time                      td(off)  RG=3.6,VGS=10V

Turn-Off Fall Time                       tf

Source- Drain Diode Characteristics

Source-drain current(Body Diode)         ISD                                    TC=25C

Pulsed Source-drain current(Body Diode)  ISDM

Forward on voltage                       VSD      Tj=25C,ISD=20A,VGS=0V

Reverse Recovery Time                    trr
Reverse Recovery Charge                               Tj=25C,IF=20A,di/dt=100A/s


Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

2. Tj=25,VDD=50V,VG=10V, RG=25

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd    Page 2                                                                       v1.0

                                                               Pb-Free Product


Figure1. Safe operating area for NCE20N65T     Figure3. Source-Drain Diode Forward Voltage

Figure4. Output characteristics                Figure5. Transfer characteristics

Figure6. Static drain-source on resistance     Figure7. RDS(ON) vs Junction Temperature

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 3                                     v1.0

                                                           Pb-Free Product

Figure8. BVDSS vs Junction Temperature               Figure9. Maximum ID vs Junction Temperature

Figure10. Gate charge waveforms                      Figure10. Capacitance

Figure11. Transient Thermal Impedance for NCE20N65T

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 4                               v1.0

                                                               Pb-Free Product

Test circuit

1 Gate charge test circuit & Waveform

2Switch Time Test Circuit
3Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  Page 5            v1.0

                                                                       Pb-Free Product

TO-247 Package Information

Symbol  Dimensions In Millimeters                         Dimensions In Inches

    A   Min.                                      Max.    Min.              Max.
    b   4.850                                     5.150   0.191             0.200
   b2   2.200                                     2.600   0.087             0.102
   c1   1.000                                     1.400   0.039             0.055
   E1   2.800                                     3.200   0.110             0.126
    L   1.800                                     2.200   0.071             0.087
   L2   0.500                                     0.700   0.020             0.028
    e   1.900                                     2.100   0.075             0.083
        15.450                                    15.750  0.608             0.620

                                       3.500 REF                 0.138 REF

                                       3.600 REF                 0.142 REF

        40.900                                    41.300  1.610             1.626

        24.800                                    25.100  0.976             0.988

        20.300                                    20.600  0.799             0.811

        7.100                                     7.300   0.280             0.287

                                       5.450 TYP                 0.215 TYP

                                       5.980 REF                 0.235 REF

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                                                                                                                           Pb-Free Product


Any and all NCE products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require

      extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications whose failure
      can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your
      NCE representative nearest you before using any NCE products described or contained herein in such applications.

NCE assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

      exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other parameters) listed
      in products specifications of any and all NCE products described or contained herein.

Specifications of any and all NCE products described or contained herein stipulate the performance, characteristics, and

      functions of the described products in the independent state, and are not guarantees of the performance, characteristics, and
      functions of the described products as mounted in the customer's products or equipment. To verify symptoms and states that
      cannot be evaluated in an independent device, the customer should always evaluate and test
      devices mounted in the customer's products or equipment.

NCE Power Semiconductor CO.,LTD. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

      semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could
      give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire, or that could
      cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so that these kinds of accidents or
      events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective circuits and error prevention circuits for safe
      design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all NCE products(including technical data, services) described or contained herein are controlled

      under any of applicable local export control laws and regulations, such products must not be exported without obtaining the
      export license from the authorities concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including

      photocopying and recording, or any information storage or retrieval system, or otherwise, without the prior written permission
      of NCE Power Semiconductor CO.,LTD.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not guaranteed for volume

      production. NCE believes information herein is accurate and reliable, but no guarantees are made or implied regarding its
      use or any infringements of intellectual property rights or other rights of third parties.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

      product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification" for the NCE product
      that you intend to use.

This catalog provides information as of Mar. 2010. Specifications and information herein are subject to change without notice.

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