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1N6631US

器件型号:1N6631US
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:New Jersey Semiconductor
厂商官网:http://www.njsemi.com
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2.8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N6631US器件文档内容

                    -^e,mi-Conductoi tPioduati, Una.

20 STERN AVE.                                          1IM6626 thru                                                TELEPHONE: (973) 376-2922
                                                                                                                                       (212)227-6005
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A                                                                                                                          FAX: (973) 376-8960

                                                               1N6631                                                                             .040 +/. .002
                                                                                                                                                   DIA. (1.02)
                                                    ULTRA FAST RECTIFIERS
                                                                                                                                                     Figure 1A
Features                                                                                                                                             Package E
                                                                                                                                                     Axial
AXIAL AND SURFACE MOUNT CONFIGURATIONS
HIGH VOLTAGE WITH ULTRA FAST RECOVERY TIME
VERY LOW SWITCHING LOSS AT HIGH TEMPERATURE
LOW CAPACITANCE
METALLURGICALLY BONDED
NON-CAVITY GLASS PACKAGE
SURFACE MOUNT DIODES THERMALLY MATCHED FOR

   USE ON CERAMIC PRINTED WIRING BOARDS

Maximum Ratings @ 25C

      TYPE          REVERSE     OPERATING    OPERATING         PEAK FORWARD               RJL         "frJEC     1N6626US thru
    NUMBER          VOLTAGE      CURRENT      CURRENT          SURGE CURRENT            L = .375"                      1N6631US
                                               (Note 3)
                                   (Note T)                          (Note 2)

1N6626andUS           200            4.0A    2.0A                  75A                    22'GW 10'OW

1N6627andU5           400            4.0A    2.0A                  75A                    22'OW 10'CW

1N6628ar>dUS          600            4.0A    2.0A                  75A                    22'C/W 10'C/W

1N6629andUS           800            3.0A    1.4A                  75A                    22'OW 10'OW              -JS---*---)                     .-- D *
                                                                                                                                        ic
1N6630andU5           900            3.0A    1.4A                  75A                    22'e/W 10'OW                                  J   i
                                                                                                                                            O--
1N6631andUS 1000                     2.5A    1.4A                  60A                    22'C/W 10'OW
                                                                                                                                                (_J
Operating Temperature: -65'C to +175X.
Storage Temperature: -65'C to +200'C.                                                                                         Inch          mm
Note I: TL = +75'C, l=.375 inch for axial parts. Derate linearly at 1.0%/'C forTL> +75'C. For surface mount
                                                                                                                              WIN. MAX. WIN. MAX.
         devices, US suffix, these currents apply witn a maximum end cap temperature of 110'C Derate linearly at
         1.b%/'C above 110'C.                                                                                      F gure 16  Tot; A .205   5010 6350
Note 2: Test pulse = 8.3ms, half sine wave.                                                                        Pickage F                0483 0.71_V
Note 3: Independent of heatsinking.                                                                                S jrface   B .019
                                                                                                                   Mount      C ".003       "b.076
Electrical Characteristics @ 25C
                                                                                                                              D .137 Ml 3. 1ftf) 3.759

rvre   MINIMUM                 MAXIMUM      MAXIMUM D.C. MAXIMUM MAXIMUM PEAK FORWARD
          BREAK-                FORWARD
NUMBER    DOWN                   VOLTAGE     REVERSE CURRENT REVERSE JUNCTION RECOVERY RECOVERY
        VOLTAGE
                                   v, u IF   0 RATED           RECOVERY  CAPACITANCE      CURRENT      VOLTAGE
             %                               REVERSE VOLTAGE TIME
         in . ',OUA                                                              Cj        |RM<')     VFRM Max.   Mechanical
                                                   !R          l             VR=10V         If.iA.      If = 0.5A  Characteristics

                                             TA-25'C TA-ISO'C  Note 1                     ICKWlJi      tr = 12ns    AXIAL LEADED DEVICES

              V           VOA        VA     C*        I-*     ns             P'          A            V            CASE: Voidiess Hermetically
                                                                                                                    Sealed Hard Glass.
IN6626andUS 220 1.35V 1.2A 1.50V W4.0A 2.0            500     30             40          3.5          8
                                                                                                                    LEAD MATERIAL: Solder
1N6627andUS 440 1.3SV1.2A 1.50VC4.0A 2.0              500     30             40          3.5          8            Dipped Copper.

1N6628anduS 660 1.35V* 1.2A 1.50VO4.0A 2.0             500     30             40          3.5          8           MARKING: Body Painted, Alpha
                                                                                                                   Numeric.
1N6629andUS 880 1.40V VOA 1.70V3.0A 2 0             SOO     50             40          4.2          12
                                                                                                                   POLARITY: Cathode Band.
1N6630andUS 990 1.40V01.0A 1.70VS3.0A 2.0              500     SO             40          4.2          12
                                                                                                                   SURFACE MOUNT DEVICES
IN6631 and US 1100    1 60V01.0A 1.9SV2.5A 4.0        600     60             40          5.0          20
                                                                                                                   CASE: Voidiess Hermetically
NOTE 1 Reverse Recovery Time Test Conditions: Ip = 0.5A. lp|y = 1 .OA, IR(REQ = 0-2SA,                             Sealed Hard Glass.

        4 AMP SERIES            ?                               2.5 AND                    (f r*

                                                            - 3 AMPSERII                                           Silver.
                          //                                                            yA /, Y
        ^ 1 >0'C H it 'A '                         C                                                               END CAP CONFIGURATION:
3                                                  0)                                                              Square.

D                                                                         ,                                       POLARITY: Cathode Dot on End

                    A If>     --55'                p          !/ y 1 0-C f/ '^'/ '/ I--55 c                      Cap.

rD                  / It                           ra
    -?7/ + I?S'C
S                         25 C                                 1/7f / 125'C       L- 25-
o                                                                             ^
            I// 1                                                             1

        .2 .4 6 .8 1.01.2 1 41.61.8202224                      ,2 .4 6 8 1.01.2141.61,82.02.22,4

        Vp - Forward Voltage - (V)                             VF - Forward Voltage - (V)

                    FIGURE 2                                              FIGURE 3

        Typical Forward Current                                Typical Forward Current

                      vs                                                     vs

              Forward Voltage                                        Forward Voltage

    NI Semi-C i imJuulon rrv!i the rlgM la dump (at candillom, pvramttir limiH ;d pickup JlmcMinm wihwn notic*
    liiibrmulkMi lumnhJ by Ml Svmi-C unJutCUrt il bdhvcd to rn huh ucvurMt ,im! rdiuhb n |h iiin uf guinf lt> press. However M
    icini (. i iklinlnn bMiiiNs IHI rc^pi'iuibilily (i)f my ern      n-.ri ii-iT-i I" viiih 'hn l:il.-i-.KcM ire^iirrtitf h THERMAL RESISTANCES

Symbol                           Parameter                   Value       Unit
                                                              100        C/W
Rth (j-a)  Junction to ambient  Lead length = 10 mm           45
Rth (j-l)                                                               c/w
            Junction to lead     Lead length = 10 mm

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol      Parameter            Tests Conditions       1N5817 1N5818 1N5819 Unit

IR* Reverse leakage              Tj = 25C   VR - VRRM  0.5  0.5    0.5  mA

            current              Tj = 100C             10   10     10   mA

VF* Forward voltage drop Tj = 25C           lp= 1 A    0.45 0.50 0.55   V

                                 Tj = 25C   IF= 3 A    0.75 0.80 0.85   V
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