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1N6263

器件型号:1N6263
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商名称:ST(意法半导体)
厂商官网:http://www.st.com/
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器件描述

Schottky Diodes & Rectifiers 15mA 60 Volt

参数
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DO-35
包装说明DO-35, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID179076
Samacsys Pin Count2
Samacsys Part CategoryDiode
Samacsys Package CategoryDiodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint NameDO-35
Samacsys Released Date2016-03-17 18:36:42
Is SamacsysN
其他特性MATCHED BATCH AVAILABLE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.015 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

1N6263器件文档内容

                 ®                                                                                                      1N6263

                                                        SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION

Metal to silicon junction diode featuring high break-

down, low turn-on voltage and ultrafast switching.

Primarly intended for high level UHF/VHF detec-

tion  and        pulse  application   with   broad     dynamic

range.

                                                                                             DO-35

ABSOLUTE            RATINGS (limiting values)

    Symbol                                   Parameter                                                     Value                     Unit

      VRRM          Repetitive Peak Reverse Voltage                                                        60                        V

      IF            Forward Continuous Current*                         Ta = 25°C                          15                        mA

      IFSM          Surge non Repetitive Forward Current*               tp ≤ 1s                            50                        mA

      Tstg          Storage and Junction Temperature Range                                                 - 65 to 200               °C

      Tj                                                                                                   - 65 to 200

      TL            Maximum Lead Temperature for Soldering      during 10s at 4mm                          230                       °C

                    from Case

THERMAL RESISTANCE

    Symbol                                   Test Conditions                                               Value                     Unit

      Rth(j-a)      Junction-ambient*                                                                      400                       °C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

STATIC CHARACTERISTICS

    Symbol                                   Test Conditions                                 Min.          Typ.         Max.         Unit

      VBR           Tamb = 25°C              IR = 10µA                                       60                                      V

      VF * *        Tamb = 25°C              IF = 1mA                                                                   0.41         V

                    Tamb = 25°C              IF = 15mA                                                                  1

      IR * *        Tamb = 25°C              VR = 50V                                                                   0.2          µA

DYNAMIC CHARACTERISTICS

    Symbol                                   Test Conditions                                 Min.          Typ.         Max.         Unit

      C             Tamb = 25°C              VR = 0V                    f = 1MHz                                        2.2          pF

      τ             Tamb = 25°C              IF = 5mA                   Krakauer Method                                 100          ps

* On infinite heatsink with 4mm lead length

**  Pulse test:  tp ≤ 300µs  δ < 2%.

Matched batches available on request. Test conditions (forward voltage  and/or capacitance)  according to  customer  specification.

October 2001 - Ed: 1B                                                                                                                    1/3
1N6263

Fig. 1:  Forward current versus forward voltage  Fig. 2: Capacitance C versus reverse applied

(typical values).                                voltage VR (typical values).

Fig. 3: Reverse current versus ambient tempera-  Fig. 4: Reverse current versus continuous re-

ture.                                            verse voltage (typical values).

2/3
                                                                                                                    1N6263

PACKAGE        MECHANICAL             DATA

DO-35

                                                        REF.                                          DIMENSIONS

       C       A                               C  O/ B               Millimeters                             Inches

                                                                     Min.                             Max.   Min.   Max.

                                                        A            3.05                             4.50   0.120  0.177

                                                        B            1.53                             2.00   0.060  0.079

       O/ D                           O/ D

                                                        C            28.00                                   1.102

                                                        D            0.458                            0.558  0.018  0.022

Cooling method : by convection and conduction

Marking: clear, ring at cathode end.

Weight: 0.15g

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of

use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by

implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to

change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied.

STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written

approval of STMicroelectronics.

                                      The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronics

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                                      STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES

       Australia - Brazil - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Italy - Japan - Malaysia

               Malta - Morocco - Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - U.S.A.

                                                  http://www.st.com

                                                                                                                                                      3/3
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