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1N60

器件型号:1N60
器件类别:分立半导体
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厂商名称:UTC [Unisonic Technologies]
厂商官网:http://www.utc-ic.com/
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1N60器件文档内容

                UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

1N60                                                                                Power MOSFET

1.2 Amps,600 Volts                                                                              TO- 251

N-CHANNEL MOSFET                                                             1

      DESCRIPTION                                                                   1
                                                                                                        TO - 252
    The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to
have better characteristics, such as fast switching time, low gate        1         TO-220
charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed                   1
switching applications in power supplies, PWM motor controls, high                                         TO-220F
efficient DC to DC converters and bridge circuits.
                                                                       *Pb-free plating product number: 1N60L
       FEATURES

* RDS(ON) =9.3@VGS = 10V.
* Ultra Low gate charge (typical 5.0nC)
* Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 3.0 pF)
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness

       SYMBOL

                            2.Drain

1.Gate

                3.Source

ORDERING INFORMATION

                Order Number                      Package           Pin Assignment   Packing

        Normal            Lead Free Plating                         1  2        3      Tube
                                                                                       Tube
1N60-TA3-T                1N60L-TA3-T             TO-220            G  D        S      Tube
                                                                                    Tape Reel
1N60-TF3-T                1N60L-TF3-T             TO-220F           G  D        S      Tube

1N60-TM3-T                1N60L-TM3-T             TO-251            G  D        S

1N60-TN3-R                1N60L-TN3-R             TO-252            G  D        S

1N60-TN3-T                1N60L-TN3-T             TO-252            G  D        S

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source

        1N60L-TA 3-T

                          (1)Packing Type         (1) T: Tube, R: Tape Reel
                          (2)Package Type
                          (3)Lead Plating         (2) TA3: TO-220, TF3: TO-220F, TM3: TO-251,
                                                     TN 3: TO-252

                                                  (3) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn

www.unisonic.com.tw                                                                                   1 of 8
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
                                                                                               QW-R502-052,D
1N60                                                                                       Power MOSFET

  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25, unless otherwise specified)

                         PARAMETER                                  SYMBOL            RATINGS           UNIT

Drain-Source Voltage                                                VDSS              600               V

Gate-Source Voltage                                                 VGSS              30               V

Avalanche Current (Note 2)                                          IAR               1.2               A
Continuous Drain Current
                                              TC = 25              ID                1.2               A
                                              TC = 100
                                                                                      0.76

Drain Current-Pulsed (Note 2)                                       IDP               4.8               A

Avalanche Energy                              Repetitive(Note 2)    EAR               4.0               mJ

                                              Single Pulse(Note 3)  EAS               50                mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4)                                  dv/dt             4.5               V/ns

Total Power Dissipation                       TC=25                 PD                40                W

                                              Derate above 25C                       0.32              W/

Junction Temperature                                                TJ                +150              

Storage Temperature                                                 TSTG              -55 ~ +150        

Note:1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

  Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

  2. Repetitive Rating: Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature

  3. L=64mH, IAS=1.2A, VDD=50V, RG=25, Starting TJ =25C
  4. ISD1.2A, di/dt  200A/s, VDD  BVDSS, Starting TJ =25C

  THERMAL DATA

                                   PARAMETER             TO-251     SYMBOL            RATINGS           UNIT
Thermal Resistance Junction-Ambient                      TO-252         JA                112           /W
                                                         TO-220                           112
Thermal Resistance Junction-Case                         TO-251         Jc                 54
                                                         TO-252                            12
                                                         TO-220                            12
                                                                                           4

  ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25, unless otherwise specified.)

                   PARAMETER                  SYMBOL     TEST CONDITIONS              MIN TYP MAX UNIT
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage                BVDSS VGS = 0V, ID = 250a               600                  V

Zero Gate Voltage Drain Current               IDSS     VDS = 600V, VGS = 0V                         10 a
                                                       VDS = 480V, TC = 125
                                                                                                  100 a

Gate-Body Leakage Current        Forward      IGSS     VGS = 30V, VDS = 0V                        100 Na
                                 Reverse               VGS = -30V, VDS = 0V
                                                                                                  -100

Breakdown Voltage Temperature                 BVDSS/  ID = 250a                            0.4         V/
                                                 TJ
Coefficient

On Characteristics

Gate Threshold Voltage                        VGS(TH)  VDS = VGS, ID = 250a           2.0         4.0 V
                                              RDS(ON)  VGS = 10V, ID = 0.6A
Static Drain-Source On-Resistance                      VDS = 50V, ID = 0.6A (Note 1)        9.3 11.5
                                                gFS
Forward Transconductance                                                                    0.9            S

Dynamic Characteristics

Input Capacitance                             CISS                                          120 150 Pf
                                              COSS
Output Capacitance                            CRSS     VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz              20 25 Pf
                                                                                            3.0 4.0 Pf
Reverse Transfer Capacitance



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1N60                                                                     Power MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Cont.)

           PARAMETER                SYMBOL            TEST CONDITIONS    MIN TYP MAX UNIT

Switching Characteristics

Turn-On Delay Time                  tD (ON)                              5 20 ns

Rise Time                             tR VDD=300V, ID=1.2A, RG=50        25 60 ns
Turn-Off Delay Time                 tD (OFF) (Note 1,2)
                                                                         7    25 ns

Fall Time                           tF                                   25 60 ns

Total Gate Charge                   QG       VDS=480V, VGS=10V, ID=1.2A  5.0 6.0 nC
Gate-Source Charge                  QGS      (Note 1,2)
Gate-Drain Charge                                                        1.0  nC
Drain-Source Diode Characteristics
                                    QGD                                  2.6  nC

Drain-Source Diode Forward Voltage  VSD VGS=0V, ISD = 1.2A,                   1.4 V

Continuous Drain-Source Current     ISD                                       1.2 A

Pulsed Drain-Source Current         ISM                                       4.8 A

Reverse Recovery Time               tRR VGS=0V, ISD = 1.2A               160  ns
Reverse Recovery Charge             QRR di/dt = 100A/s (Note1)
                                                                         0.3  C

Note: 1. Pulse Test: Pulse Width 300s, Duty Cycle2%

2. Essentially Independent of Operating Temperature

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1N60                                                                           Power MOSFET

       TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

                        D.U.T.              +

                                            VDS

                                                -
                +

                 -                                  L

                    RG

                                            Driver                                    VDD

                                                    * dv/dt controlled by RG

           VGS          Same Type                   * ISD controlled by pulse period
                                                    * D.U.T.-Device Under Test
                        as D.U.T.

                 Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

   VGS                              Period                      P. W.
(Driver)                                              D=
           P.W.
   ISD                                                          Period
(D.U.T.)
                                                                                      VGS= 10V
    VDS
(D.U.T.)               IFM, Body Diode Forward Current
                                                                                 di/dt

                                                              IRM
                                                  Body Diode Reverse Current

                                           Body Diode Recovery dv/dt
                                                                                                       VDD

                                Body Diode          Forward Voltage Drop                     

                                  Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms                4 of 8

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1N60                                                                                                   Power MOSFET

       TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)

                     VDS             RL                    VDS 90%
                                                 VDD
             VGS
     RG

     10V                             D.U.T.                      10%                                   tD (OFF)
                                                           VGS                                                     tF
              Pulse Width  1s
                                                                             tD(ON )
                                                                                           tR

                             Duty Factor 0.1%

                                                                                                                                      





     Fig. 2A Switching Test Circuit                        Fig. 2B Switching Waveforms

                                     Same Type

                         50k         as D.U.T.                                                 QG

  12V                          0.3F                        10V
                   0.2F

                                                      VDS

                                                                     QGS                       QGD

     VGS

                                     DUT

                               3mA                         VG

                                                                                                   Charge

     Fig. 3A Gate Charge Test Circuit                                Fig. 3B Gate Charge Waveform

                                                   L
                               VDS

                                                                                                                       BVDSS

         RD                                           VDD

10V                                  D.U.T.

     tp                                                         IAS

                                                                                                   tp                  Time

                                                                                                                                


  Fig. 4A Unclamped Inductive Switching Test Circuit    Fig. 4B Unclamped Inductive Switching Waveforms

     UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                           5 of 8

     www.unisonic.com.tw                                                                                               QW-R502-052,D
1N60                                                                                                                                                       Power MOSFET

       TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

                                                               Output Characteristics                                                              Transfer Characteristics

                                                         V GS                                                                          VDS=50V
                                              Top: 15.0V                                                                               250s Pulse Test

Drain Current, ID (A)                   100           10 .0V                                    Drain Current, ID (A)
                                                        8 .0V
                                                        7 .0V                                                                   100
                                                        6 .5V
                                                        6 .0V

                                              Bottorm :5.5V

                                                                                                                                             125

                                        10-1                                                                                                 25

                                                                                                                                                                 -40

                                        10-2                              250s Pulse Test                                       10-1
                                             10-1                         TC=25                                                    2

                                                               100             101                                                        4                6           8              10

                                                    Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                         Gate-Source Voltage, VGS (V)

                                                    On-Resistance vs. Drain Current                                                      Source- Drain Diode Forward Voltage
                                                                                                                                      VGS=0V
Drain-Source On-Resistance, RDS(ON) ()  30 TJ=25                      VGS=10V                  Reverse Drain Current, IDR (A)        250s Pulse Test
                                        25                          VGS=20V
                                                                                                                                100
                                        20                                                                                               125 25

                                        15                                                                                      10-1
                                                                                                                                    0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
                                        10                                                                                                      Source-Drain Voltage, VSD (V)

                                              5

                                              0  0.0 0.5 1.0              1.5          2.0 2.5

                                                               Drain Current, ID (A)

                                                   Capacitance vs. Drain-Source Voltage                                                Gate Charge vs. Gate-Source Voltage

                                        200                                    Ciss=CGS+CGD                                     12
                                        150                                    (CDS=shorted)
                                        100                                    Coss=CDS+CGD     Gate-Source Voltage, VGS (V)              VDS=120V
                                                                               Crss=CGD
Capacitance (pF)                                                    Ciss                                                        10        VDS=300V
                                                                    Coss
                                                                                                                                                 VDS=480V
                                                                                                                                8

                                                                                                                                6

                                                                                                                                4

                                        50                          Crss

                                                 VGS=0V                                                                         2

                                        0        f = 1MHz                                                                       0                                            ID=1.2A

                                              10-1             100             101                                                  0  1     2                3        4              5

                                                    VDS, Drain-SourceVoltage (V)                                                          Total Gate Charge, QG (nC)

                                                   UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                             6 of 8

                                                   www.unisonic.com.tw                                                                                                 QW-R502-052,D
1N60                                                                                                                                                         Power MOSFET

       TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS(cont.)

                                                                   Breakdown Voltage vs. Temperature                                              On-Resistance vs. Temperature

                          Drain-Source Breakdown Voltage,  1.2 VGS=0V                                        Drain-Source On-Resistance,  3.0 VGS=10V
                             BVDSS, (Normalized)                 ID=250A                                        RDS(ON) (Normalized)      2.5 ID=0.6A

                                                           1.1                                                                            2.0

                                                           1.0                                                                            1.5

                                                                                                                                          1.0

                                                           0.9

                                                                                                                                          0.5

                                                           0.8                 50 100 150 200                                             0.0                50 100 150              200
                                                               -100 -50 0                                                                    -100 -50 0
                                                                                                                                                                                         
                                                                     Junction Temperature, TJ ()                                                      Junction Temperature, TJ ()

                                                                     Max. Safe Operating Area                                                   Max. Drain Current vs. Case Temperature
                                                                                                                                          1.2
                                                                     Operation in This Area                                               0.9

                                                           101       is Limited by RDS(on)

                          Drain Current, ID (A)                                                   100s       Drain Current, ID (A)

                                                           100                                    1ms

                                                                                             10ms                                         0.6

                                                                                             DC

                                                           10-1  Tc=25                                                                   0.3

                                                                 TJ=150

                                                 10-2 Single Pulse                                                                        0.0
                                                                100       101                102        103                                   25
                                                                                                                                                  50     75  100 125 150

                                                                     Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                     Case Temperature, TC ()

                                                                         Thermal Response

Thermal Response, JC (t)         D=0.5                                         JC (t) = 3.13/W Max.
                          100                                                  Duty Factor, D=t1/t2
                                                                               TJM -TC=PDMJC (t)
                                  0.2
                                                                                        PDM
                                  0.1 0.05                                                       t1
                                     0.02

                          10-1 0.01
                                         Single pulse

                                                                                                  t2

                                                           10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101

                                                                 Square Wave Pulse Duration, t1 (sec)

                                                                 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                     7 of 8

                                                                 www.unisonic.com.tw                                                                         QW-R502-052,D
1N60                                  Power MOSFET

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other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
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      UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD         8 of 8

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