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1N4148

器件型号:1N4148
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Vishay
厂商官网:http://www.vishay.com/
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器件描述

0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

0.2 A, , 信号二极管, DO-35

参数
1N4148端子数量 2
1N4148元件数量 1
1N4148加工封装描述 HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
1N4148状态 TRANSFERRED
1N4148包装形状
1N4148包装尺寸 SMALL OUTLINE
1N4148表面贴装 Yes
1N4148端子形式 GULL WING
1N4148端子涂层 锡 铅
1N4148端子位置
1N4148包装材料 玻璃
1N4148结构 单一的
1N4148壳体连接 隔离
1N4148二极管元件材料
1N4148最大功耗极限 0.5000 W
1N4148二极管类型 信号二极管
1N4148反向恢复时间最大 0.0040 us
1N4148最大平均正向电流 0.2000 A

1N4148器件文档内容

                                                                1N4148.1N4448

                                                                  Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Diodes

Features

D Electrically equivalent diodes: 1N4148 1N914

     1N4448 1N914B

Applications

                                                                               94 9367

Extreme fast switches

Absolute Maximum Ratings

Tj = 25_C

           Parameter             Test Conditions          Type  Symbol Value   Unit

Repetitive peak reverse voltage                                 VRRM    100             V

Reverse voltage                                                 VR      75              V

Peak forward surge current       tp=1ms                         IFSM    2               A

Repetitive peak forward current                                 IFRM    500    mA

Forward current                                                 IF      300    mA

Average forward current          VR=0                           IFAV    150    mA
Power dissipation
                                 x l=4mm, TL=45C               PV      440    mW
Junction temperature
                                 l=4mm, TL 25C                 PV      500    mW

                                                                Tj      200    C

Storage temperature range                                       Tstg 65...+200 C

Maximum Thermal Resistance

Tj = 25_C

           Parameter                     Test Conditions        Symbol  Value  Unit

Junction ambient                 l=4mm, TL=constant             RthJA   350    K/W

Document Number 85521                                           www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 2, 01-Apr-99                                                                                                   1 (4)
1N4148.1N4448

Vishay Telefunken

Electrical Characteristics

Tj = 25_C                            Test Conditions          Type                                                            Symbol Min Typ Max Unit
         Parameter                                          1N4448
                              IF=5mA                        1N4148                                                             VF       0.62                   0.72 V
Forward voltage               IF=10mA                       1N4448                                                             VF       100                      1V
                              IF=100mA                                                                                         VF                                1V
Reverse current               VR=20 V                                                                                           IR                              25 nA
                              VR=20 V, Tj=150 C                                                                                IR                              50 mA
Breakdown voltage             VR=75 V                                                                                           IR                              5 mA
Diode capacitance             IR=100mA, tp/T=0.01,                                                                            V(BR)                                       V
Rectification efficiency      tp=0.3ms
Reverse recovery time         VR=0, f=1MHz, VHF=50mV                                                                          hCD            45                    4 pF
                              VHF=2V, f=100MHz                                                                                  r                                          %
                              IF=IR=10mA, iR=1mA
                                                                                                                              trr                                  8 ns
                              W IF=10mA, VR=6V,                                                                                                                    4 ns
                                                                                                                              trr
                              iR=0.1xIR, RL=100

Characteristics (Tj = 25_C unless otherwise specified)

1.2                                                                                                                     1000
                                                                                                                         100
1.0                                                                                                                           1 N 4148
VF Forward Voltage ( V )    IF = 100 mA
                                                                                           IF Forward Current ( mA )
0.8                                                                                                                                              Scattering Limit
                                                     10 mA
                                                                                                                        10
0.6
                                                      1 mA                                                              1

0.4
                                    0.1 mA

0.2

          0                                                        0.1                                                                                Tj = 25C
           30                                                           0
                0         30  60           90 120                                                                             0.4       0.8      1.2  1.6 2.0
94 9169                                                     94 9170
                Tj Junction Temperature ( C )                                                                                   VF Forward Voltage ( V )

Figure 1. Forward Voltage vs. Junction Temperature          Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage

www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600                                                                                                          Document Number 85521
2 (4)                                                                                                                                                      Rev. 2, 01-Apr-99
1000            1 N 4448                                                                                                            1N4148.1N4448
100IF Forward Current ( mA )
                                                                                            IR Reverse Current ( nA )                  Vishay Telefunken
                               Scattering Limit
                                                                                                                         1000
10
                                                                                                                                  Tj = 25C
                                                                                                                          100

                                                                                                                                        Scattering Limit
                                                                                                                            10

1

       0.1                                Tj = 25C                     1
             0                                                             1
                    0.4   0.8        1.2  1.6 2.0                                                                                  10                          100
94 9171                                                       94 9098
                         VF Forward Voltage ( V )                                                                                VR Reverse Voltage ( V )

Figure 3. Forward Current vs. Forward Voltage                 Figure 4. Reverse Current vs. Reverse Voltage

Dimensions in mm

                                                              Cathode Identification

technical drawings         1.7 max.                                                                                                                0.55 max.
according to DIN                                                                                                                       26 min.
specifications

94 9366

Standard Glass Case                                  26 min.                                                             3.9 max.
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
Weight max. 0.3 g

Document Number 85521                                                                                                              www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 2, 01-Apr-99                                                                                                                                                                      3 (4)
1N4148.1N4448

Vishay Telefunken

Ozone Depleting Substances Policy Statement

It is the policy of Vishay Semiconductor GmbH to

1. Meet all present and future national and international statutory requirements.

2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating
systems

   with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on
   the environment.

It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known
as ozone depleting substances ( ODSs ).

The Montreal Protocol ( 1987 ) and its London Amendments ( 1990 ) intend to severely restrict the use of ODSs and
forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban
on these substances.

Vishay Semiconductor GmbH has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use
of ODSs listed in the following documents.

1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively

2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental
   Protection Agency ( EPA ) in the USA

3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively.

Vishay Semiconductor GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting
substances and do not contain such substances.

   We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.
       Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer

  application by the customer. Should the buyer use Vishay-Telefunken products for any unintended or unauthorized
application, the buyer shall indemnify Vishay-Telefunken against all claims, costs, damages, and expenses, arising out

        of, directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or
                                                                   unauthorized use.

                             Vishay Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany
                                  Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423

www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  Document Number 85521
4 (4)                                              Rev. 2, 01-Apr-99
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