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12N65

器件型号:12N65
厂商名称:ISC
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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12N65器件文档内容

INCHANGE Semiconductor                                         isc Product Specification

isc N-Channel Mosfet Transistor                                                   12N65

FEATURES
Drain Current ID= 12A@ TC=25
Drain Source Voltage-

  : VDSS= 650V (Min)
Static Drain-Source On-Resistance

  : RDS(on) = 0.85(Max)
Avalanche Energy Specified
Fast Switching
Simple Drive Requirements

DESCRITION
Designed for high efficiency switch mode power supply.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL   PARAMETER                                VALUE  UNIT

VDSS     Drain-Source Voltage                     650    V
VGS      Gate-Source Voltage-Continuous
                                                  30    V

ID       Drain Current-Continuous                 12     A

IDM      Drain Current-Single Plused              48     A

PD       Total Dissipation @TC=25                 225    W

Tj       Max. Operating Junction Temperature      150   

Tstg     Storage Temperature                      -55~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL   PARAMETER                                MAX UNIT

Rth j-c  Thermal Resistance, Junction to Case     0.56 /W
Rth j-a  Thermal Resistance, Junction to Ambient  62.5 /W

isc website www.iscsemi.com                       1 isc & iscsemi is registered trademark
INCHANGE Semiconductor                                            isc Product Specification

isc N-Channel Mosfet Transistor                                                      12N65

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25 unless otherwise specified

   SYMBOL  PARAMETER                        CONDITIONS            MIN MAX UNIT

   V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage  VGS= 0; ID= 0.25mA    650        V

   VGS(th) Gate Threshold Voltage           VDS= VGS; ID= 0.25mA  2    4     V
                                            VGS= 10V; ID= 6.0A
   RDS(on) Drain-Source On-Resistance       VGS= 30V; VDS= 0          0.85  

   IGSS    Gate-Body Leakage Current                                   100 nA

   IDSS    Zero Gate Voltage Drain Current  VDS= 650V; VGS= 0          1     A

   VSD     Forward On-Voltage               IS= 12A; VGS= 0            1.4   V



isc website www.iscsemi.com                 2 isc & iscsemi is registered trademark
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