电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

12FT06A-S

器件型号:12FT06A-S
厂商名称:Nell
厂商官网:https://www.nellsemi.com
下载文档

器件描述

Sensitive and Standard SCRs, 12A

12FT06A-S器件文档内容

SEMICONDUCTOR                                                        12PT Series RRooHHSS

                                         Sensitive and Standard SCRs, 12A

Main Features         Value                         Unit                                                 2                            2
                         12                          A
        Symbol                                       V                      1                                       12
         IT(RMS)  600 to 1000                       mA                         23                                         3
      VDRM/VRRM     0.2 to 15
                                                                       TO-251 (I-PAK)                        TO-252 (D-PAK)
            IGT                                                            (12PTxxF)                             (12PTxxG)

                                                                                                          2

DESCRIPTION                                                            12 3                                  12 3

Available either in sensitive or standard gate                         TO-220AB (Non-lnsulated)              TO-220AB (lnsulated)
triggering levels, the 12A SCR series is suitable                                     (12PTxxA)                       (12PTxxAI)
to fit all modes of control found in applications
such as overvoltage crowbar protection, motor                                               A2
control circuits in power tools and kitchen aids,
inrush current limiting circuits, capacitive                           A1 A2
discharge ignition and voltage regulation circuits.                           G

Available in through-hole or surface-mount                             TO-263 (D2PAK)
packages, they provide an optimized performance                            (12PTxxH)
in a limited space.

                                                                                                                              2
                                                                                                                           (A2)

                                                                                                                   (G)3
                                                                                                                           1(A1)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER                                  SYMBOL               TEST CONDITIONS                                 VALUE                    UNIT
                                                                                                                                           A
RMS on-state current full sine wave        IT(RMS)  TO-251/TO-252/TO-220AB/TO-263               Tc=105C          12
(180 conduction angle )                    IT(AV)  TO-220AB insulated                          Tc=90C                                    A
                                                    TO-251/TO-252/TO-220AB/TO-263               Tc=105C            8
Average on-state current                            TO-220AB insulated                          Tc=90C            140                     A
(180 conduction angle)                                                                                            145                    A2s
                                                                                                                   98                    A/s
Non repetitive surge peak on-state         ITSM     F =50 Hz                        t = 20 ms                      50                      A
current (full cycle, Tj initial = 25C)                                            t = 16.7 ms                                             W
                                                    F =60 Hz                                                        4                     C
I2t Value for fusing                                                                                                1
                                           I2t                         tp = 10 ms                            - 40 to + 150
                                                                                                             - 40 to + 125
Critical rate of rise of on-state current  dI/dt F = 60 Hz                                      Tj = 125C
IG = 2xlGT, tr100ns                                                                             Tj = 125C
Peak gate current                           IGM     Tp = 20 s
                                           PG(AV)
Average gate power dissipation                                         Tj =125C
Storage temperature range                   Tstg

Operating junction temperature range       Tj

www.nellsemi.com

                                                          Page 1 of 7
SEMICONDUCTOR                                                  12PT Series RRooHHSS

STANDARD ELECTRICAL SPECIFICATIONS                    (TJ = 25 C, unless otherwise specified)

SYMBOL                                                                                                      12PTxxxx

                                 TEST CONDITIONS                                                                      Unit

                                                                     T                             -                  mA
                                                                                                                        V
IGT                                                           Min.  0.5                           2                    V
                                                               Max.                                                   mA
VGT       VD = 12 V, RL = 33                                   Max.  5                             15                 mA
VGD                                                                                                                   V/s
  IH      VD = VDRM, RL = 3.3K                                                               1.3                        V
          IT = 500 mA, gate open                                                                                        V
  IL      IG = 1.2 IGT                            Tj = 125C   Min.                          0.2                      m
dV/dt     VD = 67% VDRM, gate open                             Max.                                                    A
VTM       ITM = 24A, tP = 380 s                                     15                            30                 mA
          Threshold voltage
Vto      Dynamic resistance                                   Max.  30                            60                 Unit
Rd
IDRM      VDRM = VRRM                             Tj = 125C   Min.  40                            200                 A
IRRM                                               Tj = 25C   Max.                                                     V
                                                                                             1.6                        V
                                                                                                                        V
                                                  Tj = 125C   Max.                          0.85                     mA
                                                  Tj = 125C   Max.                           30                      mA
                                                  Tj = 25C    Max.                            5                      V/s
                                                  Tj = 125C                                   2                        V
                                                                                                                        V
SENSITIVE ELECTRICAL CHARACTERISTICS                  (Tj = 25 C, unless otherwise specified)                        m
                                                                                                                       A
SYMBOL                           TEST CONDITIONS                                                          12PTxxxx-S  mA

IGT      VD = 12 V, RL = 140                     Tj = 125C   Max.                          200
VGT                                                            Max.                          0.8
VGD       VD = VDRM, RL = 3.3K, RGK=220           Tj = 125C   Min.                           0.1
VRG       IRG = 10 A                              Tj = 25C   Min.                            8
  IH      IT = 50 mA, RGK = 1 K                   Tj = 125C   Max.                            5
  IL      IG = 1 mA, RGK = 1 K                    Tj = 125C   Max.                            6
dV/dt     VD = 67% VDRM, RGK = 220                Tj = 25C    Min.                            5
VTM       ITM = 24A, tP = 380 s                  Tj = 125C   Max.                          1.6
          Threshold voltage                                    Max.                          0.85
Vto      Dynamic resistance                                   Max.                           30
Rd                                                                                            5
IDRM      VDRM = VRRM, RGK = 220                               Max.
IRRM                                                                                           2

THERMAL RESISTANCE                       Parameter                                           VALUE                    UNIT
                                                                                                                      C/W
SYMBOL                                                                                         1.3
                                                                                                                      C/W
Rth(j-c)                                                       IPAK/DPAK/TO-220AB/TO-263       4.6
                                                                                                70
          Junction to case (DC)                                                                 45
                                                                                               100
Rth(j-a)  Junction to ambient (DC)       S = 0.5 cm2           TO-220AB insulated               60
                                         S = 1 cm2             D-PAK
                                                               DPAK
                                                               I-PAK
                                                               TO-220AB, TO-220AB insulated

S=Copper surface under tab

www.nellsemi.com

                                                  Page 2 of 7
SEMICONDUCTOR                                                             12PT Series RRooHHSS

PRODUCT SELECTOR                                 VOLTAGE (x x)

           PART NUMBER               600 V       800 V          1000 V    SENSITIVITY      PACKAGE
                                        V
     12PTxxA-S/12PTxxAl-S               V        V               V            200 A        TO-220AB
     12PTxxA-T/12PTxxAl-T               V                                    0.5~5 mA       TO-220AB
                                        V        V               V           2~15 mA        TO-220AB
        12PTxxA/12PTxxAl                V
              12PTxxF-S                 V        V               V            200 A           I-PAK
              12PTxxF-T                 V                                    0.5~5 mA          I-PAK
                12PTxxF                 V        V               V           2~15 mA           I-PAK
              12PTxxG-S                 V                                                     D-PAK
              12PTxxG-T                          V               V            200 A          D-PAK
                12PTxxG                 V                                    0.5~5 mA         D-PAK
              12PTxxH-S                 V        V               V           2~15 mA          D-PAK
              12PTxxH-T                 V                                                     D-PAK
                12PTxxH                          V               V             20 A          D-PAK
                                                                             0.5~5 mA
                                                 V               V           2~15 mA

                                                 V               V

                                                 V               V

                                                 V               V

                                                 V               V

ORDERING INFORMATION

ORDERING TYPE                        MARKING        PACKAGE               WEIGHT       BASE Q,TY DELIVERY MODE

12PTxxA-y                            12PTxxA-y      TO-220AB              2.0g         50  Tube

12PTxxAI-y                           12PTxxAI-y  TO-220AB (insulated)     2.3g         50  Tube

12PTxxF-y                            12PTxxF-y    TO-251(I-PAK)           0.40g        80  Tube
12PTxxG-y                            12PTxxG-y   TO-252(D-PAK)            0.38g
                                                 TO-263(D-PAK)           2.0g         80  Tube

12PTxxH-y                            12PTxxH-y                                         50  Tube

Note: xx = voltage, y = sensitivity

ORDERING INFORMATION SCHEME

                                                                12 PT 06  -S

                  Current

                  12 = 12A, IT(RMS)

                  SCR series

                  Voltage Code

                  06 = 600V
                  08 = 800V
                  10 = 1000V
                  Package type

                  A = TO-220AB (non-insulated)
                  AI = TO-220AB ( insulated)
                  F = TO-251 (I-PAK)
                  G = TO-252 (D-PAK)
                  H = TO-263 (DPAK)
                  IGT Sensitivity
                  S = 70~200 A
                  T = 0.5~5 mA
                  Blank = 2~15 mA

www.nellsemi.com                                    Page 3 of 7
               SEMICONDUCTOR                                                                                                   12PT Series RRooHHSS

Fig.1 Maximum average power dissipation versus                                                                         Fig.2 Average and DC on-state current versus
       average on-state current
                                                                                                                        case temperature

  P(W)                                                                                                              IT(AV)(A)

12                                                                                                              14                        DC

11 =180                                                                                                        12

10                                                                                                              10                                TO-251/TO-252
9

8                                                                                                                                         =180 TO-263/TO-220AB

7                                                                                                               8
6

5                                                                                                               6

4                                                                                                               4                                       TO-220AB
                                                                                                                                                         Insulated
3                                                                                      360

2                                                                                                               2

1                                     IT(AV)(A)                                                                 0                         Tcase(C)
0

0         1    234                                         56               789                                     0   25          50                  75          100  125

    Fig.3 Average and DC on-state current versus                                                                  Fig.4 Relative variation of thermal impedance
           ambient temperature (DPAK)                                                                                      junction to case versus pulse duration

    IT(AV)(A)                                                     Device mounted on FR4 with                        K=[Zth(j-c)/Rth(j-c)]
                                                                  Recommended pad layout
3.0                                                                                                             1.0
2.5                                   DC
2.0                                                                                                             0.5
                                                    DPAK

1.5                                                                                                             0.2

               =180                                                                                            0.1
                                                                                                                  1E+3
                                DPAK

1.0

0.5                                                                                                                                       tp(s)
                                                                                                                                                    1E+1
                                      Tamb(C)
0.0

     0         25                     50                          75        100               125                                   1E+2                                 1E+0

     Fig.5 Relative variation of thermal impedance                                                                  Fig.6 Relative variation of gate trigger and
             Junction to ambient versus pulse duration                                                                       holding current versus junction
              (DANK)                                                                                                        temperature for IGT=200A

        K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]                                                                                       IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL[Tj=25C]

   1.00                                                                                                         2.0
                                                                                                                1.8
                  Device mounted on FR4 with
                  Recommended pad layout                                                                        1.6            IGT
                                                                                                                1.4
                                                                               DPAK

                                      DPAK                                                                     1.2

    0.10                                                              TO-220AB/IPAK                             1.0                                               lH& IL
                                                                                                                                                               RGK=1K
                                                                                                                0.8                                         80 100 120 140

                                                                                                                0.6
                                                                                                                0.4

                                                           tp(s)                                                0.2                       Tj(C)
                                                                                                                0.0
    0.01
         1E-2      1E-1                      1E+0                     1E+1  1E+2 5E+2                               -40 -20 0 20 40 60

www.nellsemi.com                                                                                   Page 4 of 7
            SEMICONDUCTOR                                                                          12PT Series RRooHHSS

     Fig.7 Relative variation of gate trigger and                               Fig.8 Relative variation of holding current
             holding current versus junction                                            versus gate-cathode resistance
             temperature                                                                (typical values)

2.4 IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL[Tj=25C]                                               IH[RGK] / IH[RGK=1K]                                              Tj=25C

                                                                                5.0                                                                           1E+1

2.2                                           5mA & 15mA Series                 4.5                       200A Series

2.0         IGT                                                                 4.0

1.8                                                                             3.5

1.6

1.4                                                                             3.0

1.2                                                                             2.5

1.0                                                                             2.0

0.8                                                lH& IL

0.6                                                                             1.5

0.4                                                                             1.0

0.2                            Tj(C)                                           0.5                       RGK(K)
0.0
                                                                                0.0
     -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140                                             1E-2             1E-1                1E+0

Fig.9 Relative variation of dV/dt immunity                                           Fig.10 Relative variation of dV/dt immunity
                                                                                              versus gate-cathode capacitance
        versus gate-cathode resistance                                                        (typical values) for IGT=200A
        (Typical values)

     dV/dt[RGK] / dV/dt[RGK=220]                                                     dV/dt[CGK] / dV/dt[RGK=220]
                                                                                4.0 VD=0.67 X VDRM
10.0                                                   Tj=125C
                                                   VD=0.67 X VDRM
                                                                                3.5      Tj=125C
                                                                                         RGK=220

                                                                                3.0

                                                                                2.5

1.0                                                                             2.0
                                                                                1.5

                                                                                1.0

                                                                                0.5

0.1                            RGK(K)                                           0.0                       CGK(nF)
     0
            200         400    600            800 1000 1200                          0    25        50     75                                    100   125  150

     Fig.11 Surge peak on-state current versus                                  Fig.12 Non-repetitive surge peak on-state current
               number of cycles                                                           and corresponding values of lt versus
                                                                                          sinusoidal pulse width

         ISTM(A)                                                                      ITSM(A),It(As)

     150                                                                        2000

     140                                                                                                   ITSM                                        Tj inital=25C

     130                                                                        1000

     120                                           tp=10ms
                                                   One cycle
     110

     100                     Non repetitive
                             Tj initial=25C
     90                                                                                             dI/dt Iimitation

     80                                                                         100
                                                                                                                                            It
     70

     60

     50

     40

     30     Repetitive
            Tc=105C
     20                        Number of cycles                                                           tp(ms)
     10                                                                         10
     0                                                                              0.01

         1                 10                 100                  1000                             0.10                                         1.00       10.00

www.nellsemi.com                                                   Page 5 of 7
     SEMICONDUCTOR                                                                                                                   12PT Series RRooHHSS

Fig.13 On-state characteristics (maximum                                                                Fig.14 Thermal resistance junction to ambient
         values)                                                                                                 versus copper surface under tab (DPAK)

200  ITM(A)                                                                                                 Rth(j-a)(C/W)               Epoxy printed circuit board FR4
100                                                                                                                                      copper thickness = 35m
           Tjmax                                                                                        100
         Vt0=0.85V
         Rd=30m                                                                                         80

                Tj=max  Tj=25C                                                                         60

10                                                                                                                                                               DPAK

                                     VTM(V)                                                             40

     1                                                                                                                                       DPAK
        0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
                                                                                                        20
Case Style
                                                                                                                                             S(cm)
                                                                                                         0

                                                                                                            0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

                                 TO-220AB

                                                        10.54 (0.415) MAX.  3.91 (0.154)                                  4.70 (0.185)
                                                                            3.74 (0.148)                                  4.44 (0.1754)
                                                            9.40 (0.370)                                                  1.39 (0.055)
                                                            9.14 (0.360)    2.87 (0.113)                                  1.14 (0.045)
                                                                            2.62 (0.103)
                                                                                                                        15.32 (0.603)
                                                                PIN         16.13 (0.635)                3.68 (0.145)   14.55 (0.573)
                                                           123              15.87 (0.625)                3.43 (0.135)
                                                                                                                           2.79 (0.110)
                                          4.06 (0.160)                                                    8.89 (0.350)     2.54 (0.100)
                                          3.56 (0.140)                                                    8.38 (0.330)
                                                                                           29.16 (1.148)
                                                                                           28.40 (1.118)

                                           1.45 (0.057)              0.90 (0.035)             14.22 (0.560)
                                           1.14 (0.045)              0.70 (0.028)             13.46 (0.530)
                                                                     5.20 (0.205)
                                            2.67 (0.105)             4.95 (0.195)          0.56 (0.022)
                                            2.41 (0.095)                                   0.36 (0.014)
                                             2.65 (0.104)
                                             2.45 (0.096)

                                 TO-251                    6.6(0.26)                                                    2.4(0.095)
                                 (I-PAK)                   6.4(0.52)                                                    2.2(0.086)
                                                                                                                        0.62(0.024)
                                           5.4(0.212)                                      1.5(0.059)                   0.48(0.019)
                                           5.2(0.204)                                      1.37(0.054)
                                                                                                                          6.2(0.244)
                                                           4T                                                              6(0.236)

                                          1.9(0.075)                                   16.3(0.641)
                                          1.8(0.071)                                   15.9(0.626)

                                                                         9.4(0.37)
                                                                         9(0.354)

                                           0.85(0.033)                      0.65(0.026)
                                           0.76(0.03)                       0.55(0.021)

                                            4.6(0.181)                                                                  0.62(0.024)                 2
                                            4.4(0.173)                                                                  0.45(0.017)              (A2)

                                                                                                                                         (G)3
                                                                                                                                                 1(A1)

www.nellsemi.com                                                            Page 6 of 7
            SEMICONDUCTOR                                                                                                12PT Series RRooHHSS

Case Style

                           TO-252                                                                       1.5(0.059)       2.4(0.095)
                           (D-PAK)                                                                     1.37(0.054)       2.2(0.086)
                                                                                                                         0.62(0.024)
                                                                          6.6(0.259)                  9.35(0.368)        0.48(0.019)
                                                                          6.4(0.251)                  10.1(0.397)
                                                                                                                           6.2(0.244)
                                                     5.4(0.212)                                                              6(0.236)
                                                     5.2(0.204)
                                                                                                                         0.62(0.024)
                                                                                              2                          0.45(0.017)

                                          1  2                                                     3

                           1.14(0.045)                                                                  0.89(0.035)
                           0.76(0.030)                                                                  0.64(0.025)

                             2.28(0.090)                                                              4.57(0.180)

                           TO-263(D2PAK)                                                              4.83 (0.190)             1.40 (0.055)                     RoHS
                                                                                                      4.06 (0.160)             1.14 (0.045)
                                                                                    10.45 (0.411)                                                               2
                                                                                     9.65 (0.380)                        1.40 (0.055)                        (A2)
                                                                                    6.22 (0.245)                         1.19 (0.047)                (G)3
                                                                                                                                                             1(A1)
                           9.14 (0.360)                                                                  15.85 (0.624)       0 to 0.254 (0 to 0.01)
                           8.13 (0.320)                                                                   15.00 (0.591)         2.79 (0.110)
                                                                                                                                2.29 (0.090)
                           0.940 (0.037)                                                              5.20 (0.205)              0.53 (0.021)
                           0.686 (0.027)                                                              4.95 (0.195)              0.36 (0.014)
                           2.67 (0.105)                                                                                         3.56 (0.140)
                           2.41 (0.095)                                                                                         2.79 (0.110)

www.nellsemi.com                                                                                   Page 7 of 7
This datasheet has been downloaded from:
            datasheet.eeworld.com.cn

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.EEworld.com.cn

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved