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10T06AIB

器件型号:10T06AIB
厂商名称:Nell
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TRIACs, 10A Snubberless and Standard

10T06AIB器件文档内容

SEMICONDUCTOR                                   10T Series RRooHHSS

                           TRIACs, 10A

                  Snubberless and Standard

MAIN FEATURES      VALUE                   UNIT                                    A2
                        10                    A
     SYMBOL                                   V                   A1
         IT(RMS)  600 to 1000               mA                       A2
                    25 to 50                                            G
      VDRM/VRRM
         IGT(Q1)

                                                                                            1
                                                                                              2
                                                                                                 3

DESCRIPTION                                                       TO-220AB (non-Insulated)  TO-220AB (lnsulated)
                                                                              (10TxxA)                (10TxxAI)
The 10T triac series is suitable for general purpose AC
switching. They can be used as an ON/OFF function in
applications such as static relays, heating regulation,
induction motor starting circuits... or for phase control
operation in light dimmers, motor speed controllers,...

The snubberless version are specially recommended
for use on inductive loads, thanks to their high
commutation performances.

By using an internal ceramic pad, the 10T series provides
voltage insulated tab (rated at 2500VRMS) complying
with UL standards (File ref. :E320098)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS                   SYMBOL                 TEST CONDITIONS           VALUE          UNIT
                                                                                                             A
PARAMETER                                  IT(RMS)  TO-220AB               Tc = 105C          10
                                                    TO-220AB insulated     Tc = 95C          100            A
RMS on-state current (full sine wave)                                                         105           A2s
                                                        F =50 Hz           t = 20 ms           50          A/s
Non repetitive surge peak on-state         ITSM                            t = 16.7 ms         50            A
current (full cycle, Tj initial = 25C)                                                                      W
I2t Value for fusing                                    F =60 Hz                                            C
Critical rate of rise of on-state current
IG = 2xlGT, tr100ns                         2       tp = 10 ms
Peak gate current
Average gate power dissipation             It
Storage temperature range
Operating junction temperature range       dI/dt F =100 Hz                 Tj =125C

                                            IGM     Tp =20 s              Tj =125C               4
                                           PG(AV)   Tj =125C                                       1
                                                                                            - 40 to + 150
                                            Tstg                                            - 40 to + 125
                                             Tj

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    SEMICONDUCTOR                                                           10T Series RRooHHSS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ= 25 C unless otherwise specified)

SNUBBERLESS (3 quadrants)

                                                                                 10Txxxx

SYMBOL             TEST CONDITIONS                   QUADRANT                                  Unit
                                                       I - II - III                             mA
                                                        I - II - III        CW            BW     V
                                                                                                 V
IGT(1)                                                                MAX.  35            50    mA
VGT                                                                   MAX.                      mA
             VD = 12 V, RL = 30                                                                V/s
                                                                                               A/ms
                                                                                 1.3

               VD = VDRM, RL = 3.3K                  I - II - III     MIN.       0.2
VGD                                                                   MAX.
                                                       I - III        MAX.
               Tj = 125C                                II

IH(2)        IT = 500 mA                                                    35            50

                                                                            50            70

IL           IG = 1.2 IGT

                                                                            60            80

dV/dt(2)    VD = 67% VDRM, gate open, Tj = 125C                     MIN.  500         1000
(dI/dt)c(2)  Without snubber, Tj = 125C                              MIN.
                                                                            5.5           9

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ= 25 C unless otherwise specified)

Standard (4 quadrants)

                                                                                 10Txxxx

SYMBOL             TEST CONDITIONS                   QUADRANT                                  UNIT

                                                       I - II - III         C             B     mA
                                                           IV                                    V
IGT(1)                                                    ALL               25            50     V
                                                          ALL                                   mA
VGT          VD = 12 V, RL = 30                                       MAX.  50            100   mA
VGD                                                                   MAX.                     V/s
IH(2)        VD = VDRM, RL = 3.3K, Tj = 125C                                    1.3           V/s
             IT = 500 mA
                                                                                 0.2

                                                                            25            50

                                                     I - III - IV           40            50
                                                          II
IL           IG = 1.2 IGT                                             MAX.

                                                                            80            100

dV/dt(2)    VD = 67% VDRM, gate open, Tj = 125C                     MIN.  200           400
(dV/dt)c(2)  (dI/dt)c = 4.4 A/ms, Tj = 125C
                                                                      MIN.  5             10

STATIC CHARACTERISTICS

SYMBOL                                               TEST CONDITIONS             VALUE         UNIT
                                                          Tj = 25C               1.55           V
VTM(2)       ITM = 14 A, tP = 380 s                      Tj = 125C  MAX.        0.85           V
                                                          Tj = 125C  MAX.          40          m
Vt0(2)       Threshold voltage                            Tj = 25C   MAX.           5          A
                                                          Tj = 125C                 1          mA
Rd(2)        Dynamic resistance                                       MAX.

IDRM         VDRM = VRRM
IRRM

Note 1: Minimum lGT is guaranted at 5% of lGT max.
Note 2: For both polarities of A2 referenced to A1.

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SEMICONDUCTOR                                                            10T Series RRooHHSS

THERMAL RESISTANCE

SYMBOL                                                                                VALUE        UNIT
                                                                                        1.5        C/W
Rth(j-c)  Junction to case (AC)                  TO-220AB                               2.4        C/W
                                                 TO-220AB Insulated
Rth(j-a)  Junction to ambient                    TO-220AB                                60
                                                 TO-220AB Insulated

PRODUCT SELECTOR                                 VOLTAGE (x x)

           PART NUMBER                600 V      800 V          1000 V   SENSITIVITY       TYPE    PACKAGE
                                        V
        10TxxA-B/10TxxAl-B              V        V              V            50 mA      Standard   TO-220AB
     10TxxA-BW/10TxxAl-BW               V                                    50 mA    Snubberless  TO-220AB
                                        V        V              V            25 mA                 TO-220AB
        10TxxA-C/10TxxAl-C                                                   35 mA      Standard   TO-220AB
     10TxxA-CW/10TxxAl-CW                        V              V                     Snubberless

                                                 V              V

ORDERING INFORMATION

ORDERING TYPE                         MARKING            PACKAGE         WEIGHT       BASE Q,TY DELIVERY MODE
                                                         TO-220AB          2.0g
10TxxA-yy                             10TxxA-yy  TO-220AB (insulated)      2.3g       50           Tube

10TxxAI-yy                  10TxxAI-yy                                                50           Tube

Note: xx = voltage, yy = sensitivity

ORDERING INFORMATION SCHEME

                                                                10 T 06  A - BW

                  Current
                  10 = 10A
                  Triac series

                  Voltage
                  06 = 600V
                  08 = 800V
                  10 = 1000V

                  Package type

                  A = TO-220AB (non-insulated)
                  AI = TO-220AB ( insulated)

                  IGT Sensitivity                BW = 50mA Standard
                  B = 50mA Standard              CW = 35mA Standard
                  C = 25mA Standard

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                                                 Page 3 of 6
      SEMICONDUCTOR                                                                                             10T Series RRooHHSS

    Fig.1 Maximum power dissipation versus RMS on-state                               Fig.2 RMS on-state current versus case temperature
            current (full cycle)                                                              (full cycle)

     P(W)                                                                            IT(RMS)(A)
13
                                                                                  12
12
                                                                                  11

11                                                                                10                                                                               TO-220AB
                                                                                  9
10                                                                                8                                                               TO-220AB
                                                                                                                                                   insulated
9

8

7                                                                                 7
                                                                                  6
6                                                                                 5

5

4                                                                                 4
                                                                                  3
3                                                                                 2

2                               IT(RMS)(A)

1                                                                                 1                                                   Tc(C)

0                                                                                 0

    01          234                    5        6       7 8 9 10                      0          25                             50            75        100                  125

         Fig.3 Relative variation of thermal impedance                                   Fig.4 On-state characteristics (maximum values)
                 versus pulse duration
                                                                                         ITM(A)
        K=[Z th /Rth]
                                                                                  100
1E+0
                                                                                          Tj max
                                    Zth(j-c)                                             Vto=0.85V
                                                                                         Rd=40m

                                              Zth(j-a)                                         Tj=Tj max

1E-1                                                                              10

                                                                                                             Tj=25C

                                       tp(s)                                                                                  VTM(V)
                                                                                     1
1E-2            1E-2        1E-1          1E+0          1E+1  1E+2 5E+2
       1E-3                                                                             0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

      Fig.5 Surge peak on-state current versus number                                    Fig.6 Non-repetitive surge peak on-state current
              of cycles                                                                          for a sinusoidal pulse with width tp < 10ms.
                                                                                                 and corresponding value of l2t

       ITSM(A)                                                                                            2  2
                                                                                         ITSM(A), I t (A s)
    110
    100                                                                           1000
     90
     80                                                                                                                                                 Tj initial=25C
     70
     60               Non repetitive                          t=20ms                                          dl/dt limitation                               ITSM
     50               Tj initial=25C                           One cycle                                          50A/s                                      lt
     40
     30                                                                     1000      100
     20
    10          Repetitive
                Tc=95C
     0
       1                        Number of cycles                                                                                      tp(ms)

                            10                          100                            10                                       0.10              1.00              10.00
                                                                                           0.01

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   Fig.7 Relative variation of gate trigger current,holding      Fig.8 Relative variation of critical rate of decrease
           current and latching current versus junction                   of main current versus (dV/dt)c (typical values)
           temperature (typical values)

     IGT,IH,IL[Tj] / IGT,IH,IL[Tj=25C ]                              (dI/dt)c [(dV/dt)c] / Specified (dI/dt)c

2.5                                                              2.0

2.0                                                              1.8

                           lGT                                   1.6
1.5
                                                                            BC
                  IH&IL                                          1.4
1.0
                                                                 1.2                                                  BW/CW
0.5
                                                     Tj(C)      1.0                                                           100.0

0.0                                                              0.8
    -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
                                                                 0.6                 (dV/dt)c (V/s)

                                                                 0.4            1.0                             10.0
                                                                     0.1

      Fig.9 Relative variation of critical rate of decrease of
                main current versus junction temperature

  (dI/dt)c [Tj] / (dI/dt)c [Tj specified]

6

5

4

3

2

1

                         Tj(C)

0

   0  25             50                    75  100  125

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SEMICONDUCTOR                                                                                     10T Series RRooHHSS

Case Style

                  TO-220AB

                                10.54 (0.415) MAX.    3.91 (0.154)                                  4.70 (0.185)
                                                      3.74 (0.148)                                  4.44 (0.1754)
                                    9.40 (0.370)                                                    1.39 (0.055)
                                    9.14 (0.360)      2.87 (0.113)                                  1.14 (0.045)
                                                      2.62 (0.103)
                                                                                                  15.32 (0.603)    RoHS
                                                                                                  14.55 (0.573)
                                                 PIN  16.13 (0.635)                3.68 (0.145)
                                            123       15.87 (0.625)                3.43 (0.135)      2.79 (0.110)
                                                                                                     2.54 (0.100)
                  4.06 (0.160)                                                      8.89 (0.350)
                  3.56 (0.140)                                                      8.38 (0.330)
                                                                     29.16 (1.148)
                                                                     28.40 (1.118)

                            1.45 (0.057)              0.90 (0.035)      14.22 (0.560)
                            1.14 (0.045)              0.70 (0.028)      13.46 (0.530)
                                                      5.20 (0.205)
                             2.67 (0.105)             4.95 (0.195)   0.56 (0.022)
                             2.41 (0.095)                            0.36 (0.014)
                              2.65 (0.104)
                              2.45 (0.096)

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