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10N65

器件型号:10N65
厂商名称:ISC
厂商官网:http://www.iscsemi.cn/
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器件描述

10N65器件文档内容

INCHANGE Semiconductor                                         isc Product Specification

isc N-Channel MOSFET Transistor                                                      2N65

FEATURES
Drain Current ID= 2A@ TC=25
Drain Source Voltage-

  : VDSS= 650V(Min)
Static Drain-Source On-Resistance

  : RDS(on) = 5.0(Max)
Fast Switching

APPLICATIONS
Switching power supplies,converters,AC and DC motor controls

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

SYMBOL   PARAMETER                                VALUE  UNIT

VDSS     Drain-Source Voltage                     650    V
VGS      Gate-Source Voltage-Continuous
                                                  30    V

ID       Drain Current-Continuous                 2      A

IDM      Drain Current-Single Plused              8      A

PD       Total Dissipation @TC=25                 54     W

Tj       Max. Operating Junction Temperature      150   

Tstg     Storage Temperature                      -55~150

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL   PARAMETER                                MAX UNIT

Rth j-c  Thermal Resistance, Junction to Case     2.32 /W
Rth j-a  Thermal Resistance, Junction to Ambient  62.5 /W

isc websitewww.iscsemi.com                        1 isc & iscsemi is registered trademark
INCHANGE Semiconductor                                          isc Product Specification

isc N-Channel MOSFET Transistor                                                       2N65

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

    TC=25 unless otherwise specified

   SYMBOL  PARAMETER                        CONDITIONS          MIN TYPE MAX UNIT

   V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage  VGS= 0; ID=250A    650       V

   VGS(th) Gate Threshold Voltage           VDS= VGS; ID=250A  2.0  4.0  V
                                            IS= 2A ;VGS= 0
   VSD     Diode Forward On-voltage                                  1.4  V

   RDS(on) Drain-Source On-Resistance       VGS= 10V; ID= 1A         5.0  
                                            VGS= 30V;VDS= 0
   IGSS    Gate-Body Leakage Current                                 100 nA

   IDSS    Zero Gate Voltage Drain Current  VDS=650V; VGS= 0         10   A



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