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10N60

器件型号:10N60
厂商名称:UTC [Unisonic Technologies]
厂商官网:http://www.utc-ic.com/
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10N60器件文档内容

          UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                   Power MOSFET

10N60

10 Amps,600/650 Volts
N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

    The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET,
designed to have better characteristics, such as fast switching time, low
gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed
switching applications in power supplies, PWM motor controls, high
efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES                                                                     *Pb-free plating product number: 10N60L

* 10A, 600V, RDS(ON) =0.73@VGS =10V
* Low gate charge ( typical 44 nC)
* Low Crss ( typical 18 pF)
* Fast switching
* 100% avalanche tested
* Improved dv/dt capability

SYMBOL

                            2.Drain

1.Gate

                3.Source

ORDERING INFORMATION

                Ordering Number                  Package                   Pin Assignment  Packing
                                                 TO-220                                     Tube
        Normal            Lead Free Plating                                1  2  3

10N60-x-TA3-T             10N60L-x-TA3-T                                   G  D  S

www.unisonic.com.tw                                                                                        1 of 7
Copyright 2007 Unisonic Technologies Co., Ltd                                                     QW-R502-119.A
10N60                                                                                        Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise specified)

                      PARAMETER                              SYMBOL                  RATINGS            UNIT
                                                                                         600              V
Drain-Source Voltage                             10N60-A        VDSS                     650              V
                                                 10N60-B                                  30             V
                                                                VGSS                      9.5             A
Gate-Source Voltage                                              IAR                      9.5
                                                                                          3.3             A
Avalanche Current                                (Note 1)         ID                      38
                                                                                         700              A
Continuous Drain Current                         TC = 25C       IDM                     15.6            mJ
                                                 TC = 100C     EAS                       4.5            mJ
                                                                EAR                      156            V/ns
Pulsed Drain Current (Note 1)                                   dv/dt                   +150              W
                                                                 PD                                       
Avalanche Energy               Single Pulsed (Note 2)            TJ                  -55 ~ +150           
                               Repetitive (Note 1)              TOPR                 -55 ~ +150           
                                                                TSTG
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)

Power Dissipation

Junction Temperature

Operating Temperature

Storage Temperature

THERMAL DATA

                             PARAMETER                       SYMBOL                  RATING             UNIT
Junction-to-Ambient                                              JA                    62.5             C/W
Junction-to-Case                                                 JC                     0.8             C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS( TC=25C, unless otherwise specified)

       PARAMETER                                 SYMBOL      TEST CONDITIONS             MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage 10N60-A           BVDSS VGS = 0V, ID = 250A              600                  V

                               10N60-B BVDSS VGS = 0V, ID = 250A                        650                  V

Drain-Source Leakage Current                     IDSS        VDS = 600V, VGS = 0V                       1 A

Gate-Source Leakage Current             Forward  IGSS        VGS = 30 V, VDS = 0 V                      100 nA
                                        Reverse              VGS = -30 V, VDS = 0 V                     -100 nA

Breakdown Voltage Temperature Coefficient BVDSS/TJ ID = 250 A, Referenced to 25C                0.7   V/C

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage                           VGS(TH) VDS = VGS, ID = 250A               2.0        4.0 V

Static Drain-Source On-State Resistance          RDS(ON) VGS = 10V, ID = 4.75A                    0.6 0.73
DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance                                CISS        VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHz           1570 2040 pF
Output Capacitance                               COSS                                             166 215 pF

Reverse Transfer Capacitance                     CRSS                                             18 24 pF

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time                               tD(ON)                                           23 55 ns

Turn-On Rise Time                                  tR        VDD=300V, ID =10A, RG =25            69 150 ns
Turn-Off Delay Time                              tD(OFF)     (Note 4, 5)                          144 300 ns

Turn-Off Fall Time                               tF                                               77 165 ns

Total Gate Charge                                QG          VDS=480V, ID=10A, VGS=10 V           44 57 nC
Gate-Source Charge                               QGS         (Note 4, 5)
Gate-Drain Charge                                                                                 6.7   nC

                                                 QGD                                              18.5  nC



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10N60                                                                            Power MOSFET

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.)

       PARAMETER                       SYMBOL        TEST CONDITIONS             MIN TYP MAX UNIT

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Drain-Source Diode Forward Voltage     VSD     VGS = 0 V, IS =10A                     1.4 V
                                                                                      10 A
Maximum Continuous Drain-Source Diode  IS

Forward Current

Maximum Pulsed Drain-Source Diode      ISM                                            38 A

Forward Current

Reverse Recovery Time                  tRR     VGS = 0 V, IS = 10A,              420  ns

Reverse Recovery Charge                QRR dIF / dt = 100 A/s (Note 4)          4.2  C

Note: 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

2. L = 14.2mH, IAS = 10A, VDD = 50V, RG = 25  Starting TJ = 25C
3. ISD  9.5A, di/dt 200A/s, VDD BVDSS, Starting TJ = 25C
4. Pulse Test : Pulse width 300s, Duty cycle 2%

5. Essentially independent of operating temperature

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10N60                                                                          Power MOSFET

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

                        D.U.T.          +

                                        VDS

                                                -
                +

                 -                                 L

                    RG

                                        Driver                                       VDD

                                                   * dv/dt controlled by RG

           VGS          Same Type                  * ISD controlled by pulse period
                                                   * D.U.T.-Device Under Test
                        as D.U.T.

                 Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

   VGS                          Period                         P. W.
(Driver)                                             D=
           P.W.
   ISD                                                         Period
(D.U.T.)
                                                                                     VGS= 10V
    VDS
(D.U.T.)               IFM, Body Diode Forward Current
                                                                                 di/dt

                                                              IRM
                                                 Body Diode Reverse Current

                                           Body Diode Recovery dv/dt
                                                                                                      VDD

                                Body Diode         Forward Voltage Drop                     

                                  Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms               4 of 9

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10N60                                                                                                  Power MOSFET

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS (Cont.)

                                                                                                                                      





                  Fig. 2A Switching Test Circuit                        Fig. 2B Switching Waveforms

Fig. 3A Gate Charge Test Circuit                             Fig. 3B Gate Charge Waveform

                                                 L
                             VDS

                                                    BVDSS
                                                        IAS

                         RD                      VDD                                                   VDS(t)
10V                                                                                         ID(t)

                                                                   VDD
                             D.U.T.

tp

                                                                                                   tp  Time

                                                                                                                 


  Fig. 4A Unclamped Inductive Switching Test Circuit    Fig. 4B Unclamped Inductive Switching Waveforms

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                5 of 9

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10N60                                                                                                                                 Power MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

Drain-Source On-Resistance, RDS(ON) ()                                                                                                 Reverse Drain Current, IDR (A)
                                                                        

                                                                                                                                         

Capacitance, (pF)                                                                                       Gate-Source Voltage, VCG (V)

                                        UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                       6 of 9

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10N60                                                                                                                                   Power MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)

Drain-Source Breakdown Voltage,                                                                Drain-Source On-Resistance, RDS(ON)
   BVDSS (Normalized)                                                                             (Normalized)

                                       Maximum Safe Operating Area                              Maximum Drain Current vs. Case Temperature
                                                                                               10
                                  102

                                       Operation in this Area is United by RDM       10s

                                                                     100s                                             8
                                                             1ms
    101    Drain Current, ID (A)                                                               Drain Current, ID (A)  6
    100                                                10ms
    10-1100                                     100ms
                                            DC

                                                                                                                      4

                                            Notes:                                                                    2
                                            1.TC=25
                                            2.TJ=150
                                            3.Single Pulse

                                       101                                      102       103                         0
                                                                                                                      25            50  75 100 125 150

                                       Drain-Source Voltage, VDS (V)                                                                Case Temperature, TC ()  

                                       UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                                                7 of 9

                                       www.unisonic.com.tw                                                                                                    QW-R502-119.A
10N60                                                                            Power MOSFET

                            Transient Thermal Response Curve
100

D=0.5

                  0.2                                       NOTES:
                                                   1.ZJC(t)=2.5D/W Max
   10-1 0.1                                        2.Duty Factor,D=t1/t2
                                                   3.TJW-TC=PDW-ZJC(t)
                   0.05
                   0.02  Single pulse              PDW
                 0.01
                                                                    t1
   10-2                                                             t2

      10-5               10-4          10-3  10-2  10-1              100  101

                               Square Wave Pulse Duration, t1 (sec)            

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10N60                                  Power MOSFET

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