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10A05

器件型号:10A05
器件类别:分立半导体
文件大小:1278.34KB,共0页
厂商名称:NAINA [Naina Semiconductor ltd.]
厂商官网:http://www.nainasemi.com/
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10A05器件文档内容

        Naina Semiconductor Ltd.                                                     10A05 - 10A10

                                   Silicon Rectifier, 10.0A

Features
Diffused junction
Low cost
Low reverse leakage current
High current capability & low forward voltage drop
Plastic material carrying UL recognition 94V-0
Polarity: Color Band denotes Cathode
Lead free finish

Thermal and Mechanical Specifications (TA = 250C unless otherwise
specified)

Parameters                               Symbol Values Units

Maximum operating junction               TJ      - 55 to +         0C
temperature range                                  125

Maximum storage temperature              TStg    - 55 to +         0C
range                                              150

Typical thermal resistance junction      RJA     10                0C/W                    JEDEC R-6
to ambient

Approximate weight                       W       2.1               g

Electrical Characteristics (TA = 250C unless otherwise specified)

Parameter                                Symbol 10A05 10A1               10A2  10A4  10A6  10A8       10A10  Units
                                                                          200   400   600   800        1000    V
Maximum repetitive peak reverse          VRRM    50 100                   140   280   420   560         700    V
voltage                                                                   200   400   600   800        1000    V
                                                                                 10                            A
Maximum RMS voltage                      VRMS    35 70
                                         VDC     50 100                         600                            A
Maximum DC blocking voltage              IF(AV)
                                                                                1.0                            V
Maximum average forward output           IFSM                                   150                           pF
current @ TA = 500C                                                              10                           A
Peak forward surge current (8.3ms)                                              100
single half sine-wave superimposed
on rated load

Maximum DC forward voltage drop          VF
per element @ 10 A

Typical junction capacitance             CJ

Maximum DC reverse            TA = 250C

current at rated DC  TA = 1000C          IR
blocking voltage

1           D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

                                         sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
   Naina Semiconductor Ltd.                10A05 - 10A10

   Dimensions in inches and (millimeters)

2  D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

   sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
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