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100NTT

器件型号:100NTT
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厂商名称:NAINA [Naina Semiconductor ltd.]
厂商官网:http://www.nainasemi.com/
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器件描述

100NTT器件文档内容

           Naina Semiconductor Ltd.                                                100NTT

                               Thyristor Thyristor Module

Features

Improved glass passivation for high reliability
Exceptional stability at high temperatures
High di/dt and dv/dt capabilities
Low thermal resistance
Available in both M1 & M2 package

Maximum Ratings (TA = 250C unless otherwise noted)

Parameter                                 Symbol Values   Units
                                                            A
Maximum average forward current @ TJ =    IF(AV)    100     A
850C                                                        A

Maximum average RMS forward current       IF(RMS)   220   kA2s

Maximum non-repetitive surge current @ t  IFSM      2000
= 10ms

Maximum I2t for fusing @ t = 10ms         I2t       20

                                                                                 M1 & M2 PACKAGE

Thermal & Mechanical Specifications (TA = 250C unless otherwise noted)

Parameter                                                        Symbol              Values       Units
                                                                                   -65 to +125      0C
Operating junction temperature range                                      TJ
Thermal resistance, junction to case                                    Rth(JC)         1.1       0C/W

Electrical Characteristics (TA = 250C unless otherwise noted)    Symbol              Values       Units
Parameter
                                                                   IT(max)              100         A
Maximum average on-state current                                   VRRM            200 to 1600      V
Maximum repetitive peak reverse voltage range                      VFM                              V
Forward voltage drop                                                IGT                1.55         A
Gate current required to trigger                                    VGT                 100         V
Gate voltage required to trigger                                                                   mA
Holding current range                                                IH                  2         mA
Maximum latching current                                             IL              5 to 100     V/s
Critical rate of rise of off-state voltage                        dv/dt                             V
RMS isolated voltage                                               VISO                 400
                                                                                        300
                                                                                       2500

1          D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

                                          sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
   Naina Semiconductor Ltd.                                   100NTT

                     ALL DIMENSIONS IN MM

Diode Configuration

2  D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

                     sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
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