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100NT3

器件型号:100NT3
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厂商名称:NAINA [Naina Semiconductor ltd.]
厂商官网:http://www.nainasemi.com/
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器件描述

100NT3器件文档内容

           Naina Semiconductor Ltd.                                                             100NT3

                              Non-isolated Thyristor Module

Features

Low voltage three-phase
High surge current of 2500A @ 60Hz
Easy construction
Non-isolated
Mounting base as common anode

Voltage Ratings (TC = 25OC unless otherwise specified)

Parameter                       Symbol Values Units

Maximum repetitive peak         VRRM        300         V
reverse voltage

Maximum non-repetitive          VRSM        360         V
peak reverse voltage

Maximum repetitive peak         VDRM        300         V
off-state voltage
                                                                                                NT3

Electrical Characteristics (TC = 25OC unless otherwise specified)

Parameter                                        Conditions                          Symbol          Values  Units

Average on-state current                    Single phase, half-wave, 1800              IT(AV)          100     A
R.M.S. on-state current                     conduction @ TC = 1160C                   IT(RMS)          157     A

On-state surge current                      half cycle, 50Hz/60Hz, peak value,         ITSM           3300     A
I2t required for fusing                     non-repetitive                              I2t                   A2S
                                                                                       PGM           51500     W
Peak gate power dissipation                                                           PGM(AV)           10     W
                                                                                        IGM             1      A
Average gate power dissipation                                                        VFGM              3      V
                                                                                      VRGM              10     V
Peak gate current                                                                                       5
                                                                                       di/dt                 A/s
Peak gate voltage (forward)                                                                             50
                                                                                      dv/dt                  V/s
Peak gate voltage (reverse)                                                                             50
                                                                                         IH                   mA
Critical rate of rise of on-state current   I0 = 200mA, V0 = VDRM , dIG/dt = 1                        70
Critical rate of rise of off-state voltage  A/s
                                            TJ = 1500C, V0 = 2/3 VDRM , exponential
                                            wave

Holding current

Thermal & Mechanical Specifications (TC = 25OC unless otherwise specified)           Symbol       Values     Units
Parameter
                                                                                         TJ     -30 to +150    0C
Operating junction temperature range                                                   TSTG     -30 to +125    0C
Storage temperature range                                                              Rth(JC)               0C/W
Thermal resistance, junction to case                                                                0.30

1                  D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

                                            sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
   Naina Semiconductor Ltd.                                   100NT3

                     ALL DIMENSIONS IN MM

Diode Configuration

2  D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

                     sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
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