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100NT

器件型号:100NT
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厂商名称:NAINA [Naina Semiconductor ltd.]
厂商官网:http://www.nainasemi.com/
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器件描述

100NT器件文档内容

            Naina Semiconductor Ltd.                                                   100NT

                              Phase Control Thyristors, 100A

Features
Improved glass passivation for high reliability
Exceptional stability at high temperatures
High di/dt and dv/dt capabilities
Metric thread type available
Low thermal resistance

Electrical Ratings (TJ = 250C, unless otherwise noted)

Parameters                                    Symbol    Values  Units
                                                IT(AV)   100      A
Maximum on-state average current 180O                             A
sinusoidal conduction @ TJ = 850C                                 A
                                                                 A2s
Maximum RMS on-state current                  IT(RMS)   157       V
                                                                  V
Maximum peak, one cycle non-repetitive        ITSM      2020     mA
surge current                                                    mA
Maximum I2t for fusing                        I2t       2400
                                                                A/s
Maximum repetitive peak on and off-state      VRRM,     400 to
voltage range                                 VDRM      1600    V/s
Maximum peak on-state voltage (TJ = 250C,
Ipeak = 79A)                                  VTM        1.39    mA

Maximum holding current @ TJ                  IH        150       V

Maximum latching current @TJ                  IL        400

Maximum rate of rise of turn-on current,      di/dt     200
VDRM  600V

Critical rate of rise of  TJ = TJ maximum,    dv/dt     100                     TO-209AC (TO-94)
off-state voltage         100% VDRM                     300

                          TJ = TJ maximum,
                          67% VDRM

Maximum gate              anode supply 6 V    IGT       150
current required to       resistive load @TJ
trigger

Maximum gate                                  VGT       1.9
voltage required to
trigger

Thermal and Mechanical Specifications (TJ = 250C, unless otherwise noted)

Parameters                                                             Symbol           Values        Units
                                                                                     - 60 to +125       0C
Maximum operating junction temperature range                               TJ        - 60 to +125       0C

Maximum storage temperature range                                      TStg              0. 36        0C/W
                                                                                0.2(min) to 0.3(max)
Maximum thermal resistance, junction to case                           Rth(JC)                        mkg
                                                                                           14
Mounting torque                                                                                         g

Approximate weight

1                    D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

                                              sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
   Naina Semiconductor Ltd.                 100NT

   ALL DIMENSIONS IN MM

2  D-95, Sector 63, Noida 201301, India Tel: 0120-4205450 Fax: 0120-4273653

   sales@nainasemi.com www.nainasemi.com
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