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100N20G-TN3-T

器件型号:100N20G-TN3-T
厂商名称:UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
厂商官网:http://www.unisonic.com.tw/
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器件描述

100N20G-TN3-T器件文档内容

           UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

100N02                                  Preliminary                                  Power MOSFET

100A, 15V N-CHANNEL
POWER TRENCH MOSFET

DESCRIPTION

    The UTC 100N02 is an N-channel Power Trench MOSFET,
it uses UTC's advanced technology to provide customers with a
minimum on-state resistance, low gate charge and high
switching speed.

    The UTC 100N02 is generally applied in synchronous
Rectification or DC to DC convertor.

FEATURES

* RDS(ON)<12m@ VGS=10V, ID =55A
* Low Gate Charge (Typical 46nC)
* High Switching Speed
* High Power and Current Handling Capability

ORDERING INFORMATION

        Ordering Number                         Package           Pin Assignment      Packing

Lead Free      Halogen Free                     TO-251         1  2               3     Tube
                                                TO-252                                  Tube
100N20L-TM3-T  100N20G-TM3-T                    TO-252         G  D               S  Tape Reel
                                        S: Source
100N20L-TN3-T  100N20G-TN3-T                                   G  D               S

100N20L-TN3-R  100N20G-TN3-R                                   G  D               S

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

www.unisonic.com.tw                                                                         1 of 3
Copyright 2012 Unisonic Technologies Co., Ltd
                                                                                     QW-R502-860.a
100N02                                        Preliminary                          Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

               PARAMETER                      SYMBOL                    RATINGS                        UNIT

Drain-Source Voltage                          VDSS                      15                             V

Gate-Source Voltage                           VGSS                      8                             V

Drain Current                  Continuous         ID                    100                            A

                               Pulsed             IDM                   400                            A

Avalanche Energy               Single Pulsed  EAS                       12                             mJ

Power Dissipation                                 PD                    54                             W

Junction Temperature                              TJ                    +150                           C

Storage Temperature Range                     TSTG                      -55~+150                       C

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

THERMAL CHARACTERISTICS

                    PARAMETER                 SYMBOL                    RATINGS                        UNIT
Junction to Ambient                               JA                       62.5                        C/W
Junction to Case                                  JC                        2.3                        C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

               PARAMETER                      SYMBOL           TEST CONDITIONS     MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage                BVDSS ID=250A, VGS=0V               15                        V

Drain-Source Leakage Current                  IDSS     VDS=15V                                         1 A

Gate-Source Leakage Current    Forward        IGSS     VGS=+8V                                         100 nA
ON CHARACTERISTICS             Reverse                 VGS=-8V
                                                                                                       100 nA

Gate Threshold Voltage                        VGS(TH) ID=250A                     0.5                 1.2 V

Static Drain-Source On-State Resistance       RDS(ON) VGS=4.5V, ID=55A                                 12 m

DYNAMIC PARAMETERS

Input Capacitance                             CISS                                      3565                 pF

Output Capacitance                            COSS     VGS=0V, VDS=20V, f=1.0MHz        1310                 pF

Reverse Transfer Capacitance                  CRSS                                                395        pF

SWITCHING PARAMETERS

Total Gate Charge                             QG       VGS=10V, VDD=12V, ID=0.3A,                 46 60 nC
Gate to Source Charge                         QGS      IG=100A
Gate to Drain Charge                          QGD                                                 6.9        nC

                                                                                                  9.8        nC

Turn-ON Delay Time                            tD(ON)                                              9          ns

Rise Time                                       tR     VDD=10V, ID=0.16A, RG=25,                  106        ns
Turn-OFF Delay Time                           tD(OFF)  VGS=0~10V
                                                                                                  53         ns

Fall-Time                                     tF                                                  41         ns

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage            VSD      IS=55A                                          1.3 V

           UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD                                                                     2 of 3

           www.unisonic.com.tw                                                                         QW-R502-860.a
100N02  Preliminary             Power MOSFET

UTC assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or
other parameters) listed in products specifications of any and all UTC products described or contained
herein. UTC products are not designed for use in life support appliances, devices or systems where
malfunction of these products can be reasonably expected to result in personal injury. Reproduction in
whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information
presented in this document does not form part of any quotation or contract, is believed to be accurate
and reliable and may be changed without notice.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD         3 of 3

www.unisonic.com.tw             QW-R502-860.a
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