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0603YC103KAT

器件型号:0603YC103KAT
器件类别:电容   
厂商名称:TriQuint Semiconductor Inc. (Qorvo)
厂商官网:http://www.triquint.com
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器件描述

CAPACITOR, TANTALUM, SOLID, POLARIZED, 16 V, 10 uF, SURFACE MOUNT, 1206

参数

0603YC103KAT最大工作温度 85 Cel
0603YC103KAT最小工作温度 -55 Cel
0603YC103KAT负偏差 10 %
0603YC103KAT正偏差 10 %
0603YC103KAT额定直流电压urdc 16 V
0603YC103KAT加工封装描述 芯片, 铅 FREE
0603YC103KAT无铅 Yes
0603YC103KAT欧盟RoHS规范 Yes
0603YC103KAT中国RoHS规范 Yes
0603YC103KAT状态 DISCONTINUED
0603YC103KAT端子涂层 MATTE 锡
0603YC103KAT安装特点 表面贴装
0603YC103KAT制造商系列 TAJ
0603YC103KAT尺寸编码 1206
0603YC103KAT电容 10 uF
0603YC103KAT包装形状 矩形的 PACKAGE
0603YC103KAT电容类型 固体
0603YC103KAT端子形状 J BEND
0603YC103KAT极性 偏振
0603YC103KAT正切角 0.08
0603YC103KAT漏电流 1.6uA

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0603YC103KAT器件文档内容

                                                                Advance Product Datasheet

                                                                                                                     June 10, 2003

9.9-11.2Gb/s Optical Modulator Driver                           TGA4953-EPU

OC-192 Metro and Long Haul Applications
Surface Mount Package

                                                                Key Features and Performance

                                                                Metro MSA Compatible

                                                                Wide Drive Range (3V to 10V)

                                                                Single-ended Input / Output

                                                                Low Power Dissipation (1W at Vo=6V)

                                                                Very Low Rail Ripple

                                                                25 ps Edge Rates (20/80)

                                                                Small Form Factor

                                                                - 11.4 x 8.9 x 2 mm

                                                                - 0.450 x 0.350 x 0.080 inches

                                                                Evaluation Board Available.

Description                                                     Primary Applications

The TriQuint TGA4953-EPU is part of a series of surface          Mach-Zehnder Modulator Driver for
mount modulator drivers suitable for a variety of driver              Metro and Long Haul.
applications and is compatible with Metro MSA standards.
                                                                Measured Performance
The 4953 consists of two high performance wideband
amplifiers combined with off chip circuitry assembled in a         TGA4953 Evaluation Board (Metro MSA Conditions)
surface mount package. A single 4953 placed between                10.7 Gb/s, Vplus=5 V, Id=210 mA, (Pdc=1.1 Watt)
the MUX and Optical Modulator provides OEMs with a                 Vout=6 Vpp, CPC=50%, Vin = 500 mVpp
board level modulator driver surface mount solution.               Scale: 2 V/div, 15 ps/div

The 4953 provides Metro and Long Haul designers with
system critical features such as: low power dissipation
(1.1 W at Vo=6 V), very low rail ripple, high voltage drive
capability at 5V bias (6 V amplitude adjustable to 3 V), low
output jitter (10 ps typical), and low input drive sensitivity
(250 mV at Vo=6 V).

The 4953 requires external DC blocks, a low frequency
choke, and control circuitry.

The TGA4953-EPU is available on an evaluation board.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

TriQuint Semiconductor Texas : (972)994 8465 Fax (972)994 8504 Web: www.triquint.com                                                  1
                                                     Advance Product Datasheet

                                                                                     TGA4953EPU

                                MAXIMUM RATINGS

SYMBOL                          PARAMETER 6/         VALUE                                  NOTES
Vd1, Vd2T  POSITIVE SUPPLY VOLTAGE                     8V                                      1/
                                                                                               2/
             Drain Voltage                                                                     3/

           POSITIVE SUPPLY CURRENT                                                            4/ 5/

Id1        Drain Current                                100 mA
                                                        300mA
Id2T       Drain Current
                                                          4W
Pd         POWER DISSIPATION
                                                     0 V to 3 V
           NEGATIVE GATE                                 5 mA

Vg1, Vg2 Voltage                                     Vd/2 to 3 V
                                                         5 mA
Ig1, Ig2   Gate Current
                                                        23 dBm
           CONTROL GATE                                  4 Vpp
                                                        150 0C
Vctrl1, Vctrl2 Voltage                               -40 to 125 0C

Ictrl1, Ictrl2 Gate Current

           RF INPUT

PIN        Sinusoidal Continuous Wave Power

VIN        10.7Gb/s PRBS Input Voltage Peak to Peak

TCH        OPERATING CHANNEL TEMPERATURE

TSTG       STORAGE TEMPERATURE

Notes:

1/ Assure the combination of Vd and Id does not exceed maximum power dissipation rating.
2/ When operated at this bias condition with a base plate temperature of 800C, the median life is reduced.
3/ Assure Vctl1 never exceeds Vd1 and assure Vctrl2 never exceeds Vd2 during bias up and down sequences.
4/ These ratings apply to each individual FET.
5/ Junction operating temperature will directly affect the device median time to failure (MTTF). For maximum

   life, it is recommended that junction temperatures be maintained at the lowest possible levels.
6/ These ratings represent the maximum operable values for the device.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                            Advance Product Datasheet

                                                                            TGA4953EPU

                          THERMAL INFORMATION

         Parameter          Test Condition  Pdiss  TBase  TCH  RJC                                MTTF
                                            (W)    (C)
RJC Thermal Resistance         Vd2T=4.7V,                 (C) (C/W) (HRS)
(channel to backside of  Id2T=150mA +/-5%  .71     80
            carrier)                                      98   26                                 >1E6

Notes:

1. Based on a detailed thermal model of the output stage where channel temperature is highest.
    Assumes worst case power dissipation condition (where no RF is applied at the input (no
    power is dissipated in the load).

2. Thermal transfer is conducted thru the bottom of the TGA4953EPU package into the motherboard.
    Design the motherboard to assure adequate thermal transfer to the base plate.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                         Advance Product Datasheet

                                                                         TGA4953EPU

                                RF SPECIFICATIONS
                                 (TA = 25C Nominal)

NOTE    TEST                    MEASUREMENT                      VALUE                        UNITS
                                  CONDITIONS
1/, 2/  SMALL SIGNAL BW                               MIN TYP MAX                              GHz
        SATURATED POWER BW         2 and 4 GHz                                                 GHz
        SMALL-SIGNAL                   6 GHz                        8
        GAIN MAGNITUDE                10 GHz                       12                           dB
                                      14 GHz           30
                                      18 GHz           28
                                                       26
                                                       19
                                                       12

        GAIN FLATNESS           500KHz thru 5GHz                       +/-1                    dB
                                                                                               dB
        SMALL SIGNAL AGC RANGE  Midband                   30                                   dB

        NOISE FIGURE            3 GHz                     2.5                                 Vpp

3/, 4/ EYE AMPLITUDE            VD2T=8.0V             10                                       ps
  5/ ADDITIVE JITTER (rms)      VD2T=6.5V             8.0                                     dBm
                                VD2T=5.5V             7.0                                      dB
                                VD2T=4.5V             6.0                                      dB
                                VD2T=4.0V             5.5
                                                                                               ps
                                                                   .5

6/, 7/  SATURATED OUTPUT        2, 4, 6, 8, and       25
1/, 2/  POWER
1/, 2/  INPUT RETURN LOSS       10 GHz
        MAGNITUDE
                                2, 4, 6, 10, 14, and 10   15
        OUTPUT RETURN LOSS
        MAGNITUDE               18GHz

        RISE TIME (20/80)       2, 4, 6, 10, 14, and 10   15

                                18GHz

                                                          25           30

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
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                                                     Advance Product Datasheet

                                                                                                       TGA4953EPU

                                                         RF SPECIFICATION
                                                               (Continued)

Notes:
1/ Verified at package level RF test.
2/ Package RF Test Bias: Vd=5 V, adjust Vg1 to achieve Id=65 mA then adjust Vg2 to achieve

   Id=200mA, Vctrl=+0.2 V
3/ Verified by design, SMT assembled onto a demonstration board detailed on sheet 6.
4/ Vin=250mV, Data Rate = 10.7Gb/s, VD1=VD2T or greater, VCTRL2 and VG2 are adjusted for maximum output.
5/ Computed using RSS Method where Jrms_additive = SQRT(Jrms_out2 - Jrms_in2)
6/ Verified at die level on-wafer probe.
7/ Power Bias Die Probe: Vtee=8 V, adjust Vg to achieve Id=175 mA+/-5%, Vctrl=1.5 V

   Note: At the die level, drain bias is applied thru the RF output port using a bias tee, voltage
   is at the DC input to the bias tee.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
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                                     Advance Product Datasheet

                                                                              TGA4953EPU

                Demonstration Board

      DC Block  Mother Board            DC Block

RFin                                                                                                                                        RFout

                TGA4953 Driver Package

      Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
      specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                  Advance Product Datasheet

                                                                               TGA4953EPU

Demonstration Board Application Circuit

                                                      L1
    VCTRL1

                                                      L2

Note:

1. C3 and C4 extend low frequency performance thru 30 KHz. For applications requiring low
frequency performance thru 100 KHz, C3 and C4 may be omitted.

2. C5 is a power supply decoupling capacitor and may be omitted.

3. C6 and C7 are power supply decoupling capacitors and may be omitted when driven
directly with an op-amp. Impedance looking into VCTRL1 and VCTRL2 is 10Kohms real.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                              Advance Product Datasheet

                                                                                           TGA4953EPU

            Demonstration Board Application Circuit

                                     (Continued)

Recommended Components:

DESIGNATOR  DESCRIPTION                   MANUFACTURER  PART NUMBER

C1, C2      DC Block, Broadband           Presidio      BB0502X7R104M16VNT9820
C3, C4, C5  10uF Capacitor MLC Ceramic    AVX           0802YC106KAT
C6, C7      0.01 uFCapacitor MLC Ceramic  AVX           0603YC103KAT
C8          10 uF Capacitor Tantalum      AVX           TAJA106K016R
L1          220 uH Inductor               Belfuse       S581-4000-14
L2          330 nH Inductor               Panasonic     ELJ-FAR33MF2
R1, R2      274  Resistor                 Panasonic     ERJ-2RKF2740X

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                                Advance Product Datasheet

                                                                TGA4953EPU

        TGA4953 Typical Performance Data
        Measured on a Demonstration Board

        Id1         Demo-Board            Idd
                                                  Vdd

                                Id2T

             4953 SMT Driver

RF(in)                                          RF(out)

        Vctrl1 Vg1  Vctrl2 Vg2

             Demonstration Board Block Diagram

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       Advance Product Datasheet

                                       TGA4953EPU

Typical Measured Performance on Demonstration Board
                      10.7Gb/s 2^31-1, Vdd=5V
                                 CPC=50%

Vo=6V  Vo=5V

Vo=4V  Vo=3V

       Input Signal Vin=500mV

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                        Advance Product Datasheet

                                                                TGA4953EPU

   Typical Bias Conditions
              Vdd=5V

Vo(V) Vg1(V) Vg2(V)  Id                Vctrl2
                                       +0.22
6  -0.66  -0.57      221               +0.04
                                       -0.14
5  -0.66  -0.59      198               -0.34

4  -0.66  -0.67      172

3  -0.66  -0.74      147

Notes:
1. Vdd=5V, Id1=65mA, and Vctrl1=-0.2V
2. Vin=500mVpp
3. 50%CPC

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                                                       Advance Product Datasheet

                                                                                       TGA4953EPU

                            Bias Procedure

                     Vdd=5V, Vo=6Vamp, CPC=50%

Bias ON                                                Bias OFF

1. Disable the output of the PPG                       1. Disable the output of the PPG

2. Set Vd=0V Vctrl1=0V Vctrl2=0 Vg1=0V                 2. Set Vctrl2=0V

and Vg2=0V                                             3. Set Vd=0V

3. Set Vg1=-1.5V Vg2=-1.5V Vctrl1=-0.2V                4. Set Vctrl1=0V

4. Increase Vd to 5V observing Id.                     5. Set Vg2=0V

- Assure Id=0mA                                        6. Set Vg1=0V

5. Set Vctrl2=+0.2V

- Id should still be 0mA

6. Make Vg1 more positive until Idd=65mA.

- This is Id1 (current into the first stage)

- Typical value for Vg1 is -0.65V

7. Make Vg2 more positive until Idd=220mA.

- This sets Id2T to 155mA.

- Typical value for Vg2 is -0.55V

8. Enable the output of the PPG.

- Set Vin=500mV

9. Output Swing Adjust: Adjust Vctrl2 slightly positive to increase output swing or adjust

Vctrl slightly negative to decrease the output swing.

- Typical value for Vctrl2 is +0.22V for

Vo=6V.

10. Crossover Adjust: Adjust Vg2 slightly positive to push the crossover down or adjust

Vg2 slightly negative to push the crossover up.

- Typical value for Vg2 is -0.57V to center

crossover with Vo=6V.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
specifications. Specifications are subject to change without notice.

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                             Advance Product Datasheet

                                                                         TGA4953EPU

TGA4953 Mechanical Drawing

                           Notes:
                           1. Dimensions: Inches. Tolerance: Length and Width: +/-.003 inches.

                               Height +/-.006 inches. Adjacent pad to pad spacing: +/- .0002 inches.
                               Pad Size: +/- .001 inches.
                           2. Surface Mount Interface:
                               Material: RO4003 (thickness=.008 inches), 1/2oz copper (thickness=.0007 inches)
                               Plating Finish: 100-350 microinches nickel underplate, with 5-10 microinches
                               flash gold overplate.

Note: Devices designated as EPU are typically early in their characterization process prior to finalizing all electrical and process
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