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040C7

器件型号:040C7
厂商名称:New Jersey Semiconductor
厂商官网:http://www.njsemi.com
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器件描述

30-50 VOLTS .5 AMP, 6.25 WATTS

040C7器件文档内容

tSs-mi-donduckoi ^Pioaucta, One.

20 STERN AVE.                                              D40C Series                     TELEPHONE: (973) 376-2922
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081                                                                                  (212)227-6005
                                                                   30-50 VOLTS
U.S.A.                                                        .5 AMP, 6.25 WATTS                       FAX: (973) 376-8960

Designed for driver, regulator, touch switch, I.C. driver, audio                                                                                           NFN
output, relay substitute, oscillator, servo-amplifier, and                                                                                                              COLLECTOR
capacitor multiplier applications.
                                                                                      CASE STYLE TO-202
Features:
                                                                              DIMENSIONS ARE IN INCHES AND (MILLIMETER*)
hFE Min. -- 10,000 and 40,000
                                                                                        0.360-0.410
1.33Watt power dissipation at TA =25

                                                                               TYPE   TERM. 1  TERM 2    TEM. 3       TAB
                                                                              TO-202  EMIT^E*    BASE  COLLECTOR
                                                                                                                  COLLECTOR

maximum ratings (TA = 25 C) (unless otherwise specified)

                        RATING                         SYMBOL       D40C1            D40C4                040C7              UNITS
Collector-Emitter Voltage                                              30               40                   50               Volts
                                                         VCEO          30               40                   50               Volts
Collector-Emitter Voltage                                VCES          13               13                   13               Volts
                                                         VEBO          .5               .5                   .5
Emitter Base Voltage                                                  1.0               1.0                 1.0                 A
                                                         'CM          0.1              0.1                  0.1
Collector Current -- Continuous                           IB          1.33             1.33                 1.33                A
                            Peak'1>                       PD          6.25             6.25                 6.25             Watts

Base Current -- Continuous                             TJ, TSTG  -55 to +150      -5510+150            -55to+150               C

Total Power Dissipation @ T^ = 25C
                                 @TC = 25C

Operating and Storage
Junction Temperature Range

thermal characteristics

Thermal Resistance, Junction to Ambient                R0JA      75                   75               75                    "C/W

Thermal Resistance, Junction to Case                   RffJC     20                   20               20                    C/W

Maximum Lead Temperature tor Soldering

Purposes: W from Case for 5 Seconds                    TL        260                  260              260                                                                         C

(1) Pulse Test: Pulse Width = 300ms. Duty Cycle < 2%.

                  NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without
                  notice. Information furnished b> NJ Semi-Conductors is believed to be both accurate and reliable at the time of going
                  to press. However, NJ Semi-Conductors assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in itsuse.
                  NJ Semi-Conductors encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Qurtllh/
electrical Characteristics (Tc= 25 C) (unless otherwise specified)

                    CHARACTERISTIC                              SYMBOL WIN        TYP       MAX  UNIT
                                                                                                 Volts
off characteristics11*                           D40C1 VCEO                  30                   "A
                                                                                                  *A
  Collector-Emitter Voltage                      D40C4                       40   --        --
     (lc = 10mA)                                                                                   V
                                                 D40C7                       50                  Volts
  Collector Cut-off Current
      (VCE = Rated VCES)                         (Tc = 25 C) ICES           --   --        0.5    pF
                                                                                                 MHz
   Emitter Cutoff Current                      (Tc = 1 50C) ICBO                           20
     (VEB=13V)                                                                                     ns
                                                                IEBO         --   --        0.1

second breakdown                                                FBSOA             SEE FIGURE 2

| Second Breakdown with Base Forward Biased

on characteristics                                              rFE         10K  --        60K

  DC Current Gain
     (lc = 200mA, VCE = 5V)

Collector-Emitter Saturation Voltage                            VCE(sat)     --   --        1.5
   (lc = 500mA, IB = 0.5mA)
                                                                vBE(sat)     --   --        2.0
Base-Emitter Saturation Voltage
   (lc = 500mA, IB = 0.5mA)

dynamic characteristics                                         CCBO         --   --        220

  Collector Capacitance                                         h            --   75        --
     (VCE = 10V, f =1MHz)

  Current Gain - Bandwidth Product
     (IC = 20mA, VCE = 5V)

switching characteristics

Resistive Load

Delay Time + Rise Time                lc = 1A, IBI = iB2 = 1mA  td + tr      --   100       --

Storage Time                          VCG = 30V, tp = 25 Msec   t.           --   350       --

Fall Time                                                       tf           --   800       --

(1) Pulse Test: PW < 300ms Duty Cycle < 2%.

IOOK
80K

6 OK

20K

I OK
  8K
  6K

  IK                PULSED MEASUREMENT
800                  PULSE WIOTH 2 MILLISEC
00                  DUTY CYCLE S 2 %
                       c -5 VOLTS

                     040CI.4. ANO 7

200

                                                                          

           46       20       6O :00   IOC 800                                     4 6 * tO  20   0 60 80 100

       2      6 K>      40 8d 200 ^ O O I O O O                              VCE-COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE-VOLTS

           IC-COLLECTOR CURRENT-MILLIAMPERES                                 FIG. 2 SAFE REGION OF OPERATION

           FIG 1. TYPICAL hpE vs. lc

                                                 372
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