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0204-125

器件型号:0204-125
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Microsemi
厂商官网:https://www.microsemi.com
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器件描述

RF MOSFET Transistors Comm/Bipolar Transistor

参数

产品属性属性值
产品种类:
Product Category:
RF MOSFET Transistors
制造商:
Manufacturer:
Microsemi
RoHS:YES
技术:
Technology:
Si
商标:
Brand:
Microsemi
工厂包装数量:
Factory Pack Quantity:
1

0204-125器件文档内容

                                                                                 0204-125

                                                                           125 Watts, 28 Volts, Class AB

                                                                             Defcom 225 - 400 MHz

GENERAL DESCRIPTION                                                                   CASE OUTLINE

The 0204-125 is a double input matched COMMON EMITTER broadband                       55JT- Style 2

transistor specifically intended for use in the 225-400 MHz frequency band.  It

may be operated in Class AB or C. Gold metallization and silicon diffused

resistors ensure ruggedness and high reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Maximum Power Dissipation @ 25oC                   270 Watts

Maximum Voltage and Current

BVces   Collector to Emiter Voltage                65 Volts

BVebo   Emitter to Base Voltage                    4.0 Volts

Ic      Collector Current                          16.0 A

Maximum Temperatures

Storage Temperature                                - 65 to +150oC

Operating Junction Temperature                     +200oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS                                         @ 25 OC

SYMBOL            CHARACTERISTICS                  TEST CONDITIONS               MIN  TYP  MAX            UNITS

Pout              Power Output                     F   =           400 MHz       125                      Watts

Pin               Power Input                      Vcc = 28 Volts                          25             Watts

Pg                Power Gain                                                     7.0  8.5                  dB

ηc                Efficiency                                                          60                   %

VSWR              Load Mismatch Tolerance                                                  5:1

BVebo2  Emitter to Base Breakdown                  Ie  =           10 mA         4.0                      Volts

BVces2  Collector to Emitter Breakdown             Ic  =           100 mA        60                       Volts

BVceo2  Collector to Emitter Breakdown             Ie  =           100 mA        32                       Volts

Cob2    Output Capacitance                         Vcb = 28 V, F = 1 MHz              70                   pF

hFE2    DC - Current Gain                          Vce = 5 V, Ic = 1 A           20        100

θjc     Thermal Resistance                                                                 0.65           oC/W

Note 2: Per side

Issue August 1996

GHz TECHNOLOGY INC. RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE. GHz RECOMMENDS THAT

BEFORE THE PRODUCT(S) DESCRIBED HEREIN ARE WRITTEN INTO SPECIFICATIONS, OR USED IN CRITICAL APPLICATIONS,

THAT THE PERFORMANCE CHARACTERISTICS BE VERIFIED BY CONTACTING THE FACTORY.

GHz Technology Inc. 3000 Oakmead Village Drive, Santa Clara, CA 95051-0808 Tel. 408 / 986-8031 Fax 408 / 986-8120
0204-125
                                                                                      0204-125

                                          R1      L9

                                                                                          L7

                                                                            L5        C6

                  L1

          Zo=50W            C1            L3                 L13

RF INPUT                                                                                      Zo=50W       RF

                                      C3      C4                                   +  C5              C8   OUT

                            C2            L4                 L14

                                                  Q1                    C9  C10                       C12

C11

                  L2                                                        L6        C7

                                                                                          L8

                                          R2      L12

CAPACITORS                                        INDUCTORS                                   TRANSISTOR

C1,C2=39pF ceramic chip capacitor                 L1,L2,L3,L4,L5,L6,L7,L8=printed             Q1=0204-125

C3=33pF ceramic chip capacitor                    on the circuit board

C4=56pF ceramic chip capacitor                    L9,L12=4.7mH RF choke

C5=18pF ceramic chip capacitor                    L10,L11,L13,L14=0.1mH RF choke

C6,C7,C8=27pF ceramic chip capacitor

C9=0.1mF ceramic capacitor                        RESISTORS

C10=10mF electrolytic capacitor                   R1,R2=10 OHM, 1/4 W

C11,C12=.5-10pF Johanson

            August 1996
Mouser Electronics

Authorized Distributor

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Microsemi:

0204-125

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