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SS8050

器件型号:SS8050
器件类别:分立半导体    三极管   
厂商:CJ江苏长电(授权代理)
江苏长电科技股份有限公司是中国著名的半导体封装测试生产基地,为客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案,是国家重点高新技术企业和中国电子百强企业,拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站和国内第一家高密度集成电路国家工程实验室。公司在传统IC封装规模化生产的基础上,致力于高端封装技术的研究与开发,在国内率先实现了WL-CSP、SiP、铜柱凸块、Flip-Chip等技术的规模化生产,其中25um超薄芯片制造工艺技术、25um超薄芯片堆叠工艺技术、高密度金丝/铜丝键合技术、微小型集成系统基板工艺技术(MIS)、高密度铜柱凸块工艺技术已达到国际先进水平,拥有多项自主知识产权,公司未来将继续在高密度、系统集成、微小体积封装技术领域寻求更大突破。公司先后通过 ISO9001、 QS9000、ISO14001、TSI6949、QCO80000 和 SONY绿色伙伴等体系认证。 “ 长江 ”品牌荣获 “ 中国半导体十大品牌 ”、“ 江苏省名牌 ”等称号。 公司于 2003 年 6 月在上交所A板成功上市 (股票代码 600584 )。 公司拥有三家下属企业:江阴长电先进封装有限公司、江阴新顺微电子有限公司、江阴新基电子设备有限公司。江阴长电先进封装有限公司成立于2003年8月,主要从事于半导体凸块(Bumping)及其封装产品(TCP,COF,COG,FCQFN,FCBGA,WLCSP,WBBGA, Stacked Die Packaging)的开发、制造和销售。公司拥有多项国内外发明专利的自主知识产权专利技术,致力于IC高端封装技术的开发,以较强的竞争力保持技术领先优势。江阴新顺微电子有限公司专业从事于半导体分立器件芯片的研究开发、生产销售和应用服务。开发产品有外延平面小功率管系列、功率管、可控硅、彩电视放管、稳压二极管、肖特基二极管、变容二极管、开关二极管等晶体管芯片,产品质量处于国内领先水平。江阴新基电子设备有限公司专业研发制造半导体封装测试测设、精密模具、刀具和精密机械加工,拥有一支集研发制造于一体的高级人才组成的科技队伍。公司愿景:建成世界一流的半导体封装测试知名企业。
厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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器件描述

额定功率:300mW 集电极电流Ic:1.5A 集射极击穿电压Vce:25V 晶体管类型:NPN . NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A,hfe=200~350,丝印Y1

参数
产品属性属性值
属性:参数值
商品目录:三极管
额定功率:300mW
集电极电流Ic:1.5A
集射极击穿电压Vce:25V
晶体管类型:NPN

SS8050产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
SS8050
SOT-23
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Complimentary to SS8550
MARKING: Y1
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Value
40
25
5
1.5
0.3
150
-55-150
Unit
V
V
V
A
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE(1)
DC current gain
h
FE(2)
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
V
CE
=1V, I
C
= 800mA
I
C
=800mA, I
B
= 80mA
I
C
=800mA, I
B
= 80mA
V
CE
=10V, I
C
= 50mA
f=30MHz
100
40
0.5
1.2
V
V
MHz
Test conditions
I
C
= 100μA, I
E
=0
I
C
= 0.1mA, I
B
=0
I
E
=100μA, I
C
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
V
EB
= 5V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
= 100mA
120
Min
40
25
5
0.1
0.1
0.1
400
Typ
Max
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank
Range
L
120-200
H
200-350
J
300-400
B,Jan,2012
Typical Characterisitics
140
SS8050
h
FE
——
I
C
COMMON EMITTER
V
CE
=1V
T
a
=100
Static Characteristic
500uA
1000
(mA)
120
450uA
400uA
350uA
COMMON
EMITTER
T
a
=25
h
FE
300
I
C
100
COLLECTOR CURRENT
80
300uA
250uA
200uA
DC CURRENT GAIN
T
a
=25
100
60
40
150uA
100uA
I
B
=50uA
30
20
0
0.0
10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1
3
10
30
100
300
1000 1500
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
1000
V
CEsat
——
I
C
1.2
V
BEsat
——
I
C
COLLECTOR-EMITTER SATURATION
VOLTAGE V
CEsat
(mV)
300
100
T
a
=100
BASE-EMITTER SATURATION
VOLTAGE V
BEsat
(V)
1.0
0.8
T
a
=25
T
a
=100
30
T
a
=25
0.6
10
0.4
3
β=10
1
1
3
10
30
100
300
1000 1500
0.2
1
3
10
30
100
300
β=10
1000 1500
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
1500
1000
V
BE
—— I
C
200
C
ob
/ C
ib
—— V
CB
/ V
EB
f=1MHz
I
E
=0/I
C
=0
C
ib
100
300
T
a
=25
(mA)
I
C
C
100
T
a
=100
(pF)
30
COLLCETOR CURRENT
30
CAPACITANCE
C
ob
10
10
T
a
=25
3
3
COMMON EMITTER
V
CE
=1V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.1
0.3
1
3
10
20
1
0.2
BASE-EMMITER VOLTAGE
V
BE
(V)
REVERSE VOLTAGE
V
(V)
1000
f
T
——
I
C
350
P
C
——
T
a
(MHz)
300
COLLECTOR POWER DISSIPATION
P
C
(mW)
V
CE
=10V
T
a
=25
30
1
10
100
300
f
T
250
100
TRANSITION FREQUENCY
200
30
150
10
100
3
50
1
3
0
0
25
50
75
100
125
150
COLLECTOR CURRENT
I
C
(mA)
AMBIENT TEMPERATURE
T
a
(
)
B,Jan,2012
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