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SE3401

器件型号:SE3401
器件类别:分立半导体   
厂商:SINO-IC(光宇睿芯)

上海光宇睿芯微电子有限公司座落于上海浦东张江高科技园区内,是专业从事半导体过电压保护器件、集成电路的设计与销售的高新技术企业,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路设计核心技术的供应商之一。公司主要产品有:通讯系统的接口保护、便携产品接口保护、锂电池的过充过放保护、电源系统的过压保护和LED过压保护器件;以及稳压管、功率MOSFET器件、肖特基器件和LED驱动电路等。

公司得益于中国电子信息产业的飞速发展,持之以恒地专注于技术的提升、团队的建设、管理的完善、市场的开拓、运作模式的创新。公司已在中国的微电子设计业取得了初步的成功;成为国内半导体过电压保护器件的主要设计单位,其产品质量、产品规格和性价比均处于业界领先,并成功开发出多款国外同类产品替代品。

公司秉承“以人为本”的发展理念,力求为员工创造良好的工作环境和一流的基础设施。目前公司凝聚了一支以博士、硕士为主体的高素质人才队伍,其技术水平、研发规模在国内同行中均名列前茅。

睿芯微电子本着客户第一、与供应商共存共荣、每个员工都是一个责任单元,公司是一个团队的理念;愿与业界同仁和各界客户精诚合作,直面机遇,迎接挑战,用信息技术共创未来。

厂商官网:http://www.sino-ic.net
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器件描述

MOS管 场效应管 -30V -4.2A P沟道

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.2A
栅源极阈值电压1.3V @ 250uA
漏源导通电阻60mΩ @ 4.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W
类型P沟道

产品简介

功能特点

产品名称:MOS管 场效应管 -30V -4.2A P沟道


产品型号:SE3401


产品描述:


The MOSFETs from SINO-IC provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectivenessXS


产品特征:


VDS (V) =-30V


ID =-4.2A (VGS = -10V)


RDS(ON) <60mΩ (VGS = -10V)


RDS(ON) <75mΩ (VGS = -4.5V)


RDS(ON) <120mΩ (VGS = -2.5V)



封装:SOT-23


SE3401产品介绍

SHANGHAI
MICROELECTRONICS CO., LTD.
July 2008
SE3401
-4.2A,-30V P-Channel MOSFET
Revision:B
General Description
The MOSFETs from SINO-IC provide
the best combination of fast switching, low
on-resistance and cost-effectiveness.
Features
V
DS
(V) =-30V
I
D
=-4.2A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
<60mΩ (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
<75mΩ (V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
<120mΩ (V
GS
= -2.5V)
Pin configurations
See Diagram below
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V
DS
V
GS
Rating
-30
±12
Units
V
V
A
Drain Current (Note 1)
Total Power Dissipation
Continuous
70℃
I
D
-4.2
-3.5
1.4
-50 to 150
P
D
T
J
W
°C
Operating Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-
- Case
Steady-State
Steady-State
Symbol
Typ
65
0.8
Max
90
-
Units
℃/W
℃/W
R
θ
JA
R
θ
JC
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
1.
SE3401
Electrical Characteristics
Symbol
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
Test Conditions
I
D
=-250μA, V
GS
=0 V
V
DS
=-24 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
=±12 V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250μA
V
GS
=-10V, I
D
=-4.2A
-0.7
-1.1
53
64
86
Parameter
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body leakage current
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
2
Min
-30
Typ
Max
Units
V
OFF/ON CHARACTERISTICS (Note 2)
-1
±100
-1.3
60
75
120
-1
μA
nA
V
V
-
R
DS(ON)
V
GS
=-4.5V, I
D
=-4A
V
GS
=-2.5V, I
D
=-1A
V
SD
Diode Forward Voltage
V
GS
=0V, I
D
=-1A
-
-0.7
DYNAMIC PARAMETERS
C
iss
C
oss
C
rss
T
ON
T
OFF
Tr
Tf
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Time
850
V
GS
=0V, V
DS
=-15V, f=1MHz
105
68
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-
V
DS
=-15V, R
L
= 3.6Ω,
R
GEN
= 6Ω,V
GS
=-10 V
9.5
36
3.0
5.2
7.3
Turn-Off Time
Turn-on Rise Time
Turn-on Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Body Diode Reverse Recovery
Time
-
-
-
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
rr
Q
rr
V
DS
=-4.5V,I
D
=-4A,V
GS
=-15V
2.2
2
I
F
=-4A, dI/dt=100A/μs
20.2
11.2
ns
nC
Body Diode Reverse Recovery
Charge
I
F
=-4A, dI/dt=100A/μs
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
2.
SE3401
Typical Characteristics
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
3.
SE3401
`
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
4.
SE3401
The SINO-IC logo is a registered trademark of ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
© 2005 SINO-IC – Printed in China – All rights reserved.
SHANGHAI SINO-IC MICROELECTRONICS CO., LTD
Add:
Building 3, Room 3401-03, No.200 Zhangheng Road, ZhangJiang Hi-Tech Park, Pudong,
Shanghai 201203, China
Phone:
+86-21-33932402 33932403 33932405 33933508 33933608
Fax:
+86-21-33932401
Email:
webmaster@sino-ic.com
Website:
http://www.sino-ic.com
ShangHai Sino-IC Microelectronics Co., Ltd.
5.
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