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SD1050CS

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小112KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

下载文档 详细参数

SD1050CS概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:SD1050CS


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:50V


最大平均整流电流Io:10A


最大前向浪涌电流I FSM:100A


正向压降VF:0.75V 当IF=5A时


最大反馈电流IR:100uA 当VR=50V


封装:TO-252/DPAK


SD1050CS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数4
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SD1050CS文档预览

下载PDF文档
SD1020CS~SD1060CS
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
20 to 60 Volts
CURRENT
10.0 Ampere
MECHANICALDATA
• Case: TO-252 molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
MAXIMUM RATINGS AND DELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d R e c t i f i e d C ur r e nt a t T
C
= 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a x i m u m In s t a n t a n e o u s F o r w a r d V o l t a g e a t 5 . 0 A p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
S D 1 0 2 0 C S S D 1 0 3 0 C S S D 1 0 4 0 C S S D 1 0 5 0 C S S D 1 0 6 0 C S
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J C
R
θ
J A
T
J
T
S TG
-5 5 to +1 2 5
0 .5 5
0 .2
20
5 .0
80
-5 5 to +1 5 0
-5 5 to +1 5 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
1 0 .0
100
0 .7 5
0 .1
20
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
V
mA
O
C /
W
C
C
O
O
NOTES:
1. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-APR.27.2009
2
PAGE . 1
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