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RS1M

产品描述1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小124KB,共2页
制造商南晶电子(DGNJDZ)
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RS1M概述

1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

1 A, 1000 V, 硅, 信号二极管, DO-214交流

RS1M规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料, SMA, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大0.5000 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流1 A

RS1M文档预览

RS1A
THRU
RS1M
1.0 AMP
GLASS PASSIVATED
FAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
FEATURES
* Ideal for surface mount applications
* Easy pick and place
* Built-in strain relief
* High surge current capability
1.0 Ampere
DO-214AC
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
* Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-202F,
method 208 guranteed
* Polarity: Color band denotes cathode end
* Mounting position: Any
* Weight: 0.063 gram
* Both normal and Pb free product are available:
* Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
* Pb free:99 Sn above can meet Rohs enviroment substance
directive request
.058(1.47)
.052(1.32)
.110(2.79)
.100(2.54)
.177(4.50)
.157(3.99)
.012(0.31)
.006(0.15)
.090(2.29)
.078(1.98)
.060(1.52)
.030(0.76)
.005
MAX.
(.127)
.208(5.28)
.194(4.93)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta=125 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG
NOTES:
RS1A
RS1B
RS1D
RS1G
RS1J
RS1K
RS1M
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
35
1.3
2.0
100
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
uA
150
15
-65 +150
250
500
uA
nS
pF
C
1. Reverse Recovery Time test condition: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (RS1A THRU RS1M)
FIG.1-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.2-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
50
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive Or Inductive Load
10
3.0
1.0
Tj=25 C
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
AMBIENT TEMPERATURE ( C)
FIG.4-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
PEAK FORWAARD SURGE CURRENT,(A)
35
0.1
.01
.6
.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
FORWARD VOLT
AGE,(V)
28
FIG.3- TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE
RECOVERY TIME CHARACTERISTICS
50
W
NONINDUCTIVE
10
W
NONINDUCTIVE
21
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
14
7
(+)
25Vdc
(approx.)
( )
1
W
NON-
INDUCTIVE
OSCILLISCOPE
(NOTE 1)
D.U.T.
( )
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
(+)
0
1
5
10
50
100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
NOTES: 1. Rise Time= 7ns max., Input Impedance= 1 megohm.22pF.
2. Rise Time= 10ns max., Source Impedance= 50 ohms.
FIG.5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
35
30
25
20
15
10
5
trr
+0.5A
|
|
|
|
|
|
|
|
0
-0.25A
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
-1.0A
1cm
SET TIME BASE FOR
50 / 10ns / cm
0
.01
.05
.1
.5
1
5
10
50
100
REVERSE VOLTAGE,(V)
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