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P6SMB6.8CA

器件型号:P6SMB6.8CA
文件大小:248KB,共6页
厂商:扬杰科技(YANGJIE)

扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,现拥有注册资本16480万人民币。公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于芯片、二极管、整流桥、电力电子模块等半导体分立器件高端领域的产业发展,是中国优秀的半导体企业之一。

公司经过不断努力,已成功通过ISO9001:2008质量体系认证、ISO14001:2004环境体系认证和TS16949:2002汽车行业质量体系认证,2011年公司通过了全球汽车行业统一现行的汽车品质ISO/TS16949:2009体系认证,主要产品获得美国UL安全认证,并符合最新欧盟RoHS指令的环保要求。公司是国家科技部火炬高技术产业开发中心认定的国家火炬计划重点高新技术企业(批准文号:国科火字[2010]287号),2009年经江苏省科技厅、财政厅、国家税务局与地方税务局联合认定的国家高新技术企业、江苏省AAA级信用单位、江苏省创新型企业。公司主营产品“UFG215S型 Epi Gpp芯片”、“光伏专用二极管”、“高性能三相桥式整流器”等30项产品被江苏省科学技术厅认定为高新技术产品,扬杰及图形已获得江苏省著名商标、扬杰牌硅桥式整流器和二极管荣获江苏省名牌产品称号。公司现拥有国家专利共126项,其中国家发明专利18项,实用新型专利104项,外观设计专利4项。

公司现拥有三处自主的生产、办公基地,合计占地178亩。产品应用于汽车电子、LED照明、通讯电源、开关电源、家用电器、太阳能光伏等众多领域。国内设有广州、深圳、厦门、宁波、温州、杭州、上海、武汉、重庆、成都、青岛、天津等14个办事处,为国内各大终端客户提供直接的技术支持服务。于2008年专门设立国际贸易部,全力开拓国际市场。通过全体销售人员的共同努力,产品不仅在国内热销,还远销韩国、德国、美国、印度、俄罗斯、意大利、台湾、香港等多个国家和地区,销售业绩每年保持约30%的增长。

公司致力领跑于半导体分立器件行业前沿,近年来先后研发的旁路二极管、配套LED照明的迷你整流桥、配套风力发电的三向桥等一系列新产品不仅填补了国内空白,而且有效的替代了同类进口产品,在市场上取得了较高的占有率。其中公司自主研发的光伏二极管产品取代德国进口,荣获中国国际专利与名牌博览会金奖;公司作为主编单位制定《光伏组件接线盒用二极管技术要求》国家标准;汽车电子芯片产品指标达到国际先进水平,成功填补国内汽车发电机芯片市场空白;整流桥产品的质量和销量在国内同行中处于领先地位。

公司历来注重技术人才队伍的建设和培养。在激烈的市场竞争中,始终以技术创新为先导,以产品质量为保证,创造了良好的经济效益和社会效益。先后和东南大学、华中科技大学、西安电子科技大学、沈阳工业大学、扬州大学、山东省半导体研究所等多家研究机构签订产学研协议,建立了长期的项目开发合作关系。与东南大学共建了“江苏省功率半导体芯片及器件封装工程技术研究中心”和“江苏省企业技术中心”;与中国科学院院士、南京大学教授郑有炓先生共建了企业院士工作站。这一系列的举措,使公司的研发力量更上一层台阶。

扬州扬杰电子科技股份有限公司以全球化视野整合公司资源、打造扬杰品牌、实施人才战略。公司通过引进科学管理模式,完善企业内部管理制度,夯实内部管理基础;对外通过采用兼并、扩大融资、与国际知名公司合作等方式,为公司做强做大打下坚实基础。经历了四年的努力与艰辛,扬杰科技荣登资本市场,于2014年1月23日在深交所创业板挂牌上市,成为“创业板扬州第一股”。

下一步,扬杰科技将以上市为契机,抓住机遇、乘势而上,全面实施国际化精品产业战略,立志成为二十一世纪中国半导体行业内规模一流、品牌一流、团队一流的综合性企业。

厂商官网:http://www.21yangjie.com/
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器件描述

参数
参数名称属性值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5.8V
击穿电压(最小值)6.46V
击穿电压(最大值)7.14V
反向漏电流(Ir)1mA
峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs57.14A
最大钳位电压10.5V
峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs600W

参考设计

LS1C300B-SOM 龙芯1C核心板
这是一个搭载了龙芯1C300B处理器的SOM(System On Module),使用DDR3接口引出了全部引脚。 在一块核心板上集成了龙芯1C300B、8M的SDRAM、8MB的NOR Flash、1.2V和3.3V电源。同时它的体积也被我压缩到了笔记本DDR3内存条大小(6.76 X 3.82cm)。 因此,我可以在未来我的任何项目上简单的使用这块核心板,而不需要再绘制核心部分PCB、各种...

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P6SMB6.8CA产品介绍

P6SMB SERIES 
 
RoHS
COMPLIANT
Surface Mount Transient Voltage Suppressors
Uni-directional
Features
For surface mounted applications
Low-profile package
Ideal for automated placement
Available in Unidirectional and Bidirectional
600 W peak pulse power capability with a 10/1000
μs
waveform
Low incremental surge resistance, excellent clamping
capability
Very fast response time
High temperature soldering guaranteed: 260 °C/10 s at
terminals
Bi-directional
Meets MSL level 1
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
Typical Applications
Use in sensitive electronics protection against voltage transients
induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET,
signal lines of sensor units for consumer, computer, industrial,
telecommunication.
Mechanical Data
Package:
DO-214AA (SMB)
 
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
Polarity
: For uni-directional types the band denotes cathode
end, no marking on bi-directional types
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Peak power dissipation, with a 10/1000us waveform (1) (2) (Fig.1)
Peak pulse current, with a 10/1000us waveform(1)
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave unidirectional
only (2)
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
I
FSM
T
J
,T
STG
UNIT
W
A
A
Max
600
See Next Table
100
-55 to +150
■Electrical
Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward voltage
@ at 50A for unidirectional only (3)
SYMBOL
V
F
UNIT
V
VALUE
3.5
1/6
S-S155
Rev. 2.4, 17-Apr-19
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P6SMB SERIES 
 
Thermal Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
R
θJL
Thermal resistance(Typical)
R
θJA
Notes:
(1)
(2)
(3)
Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
= 25
per Fig.2.
Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal.
V
F
<3.5V for devices of V
BR
<200V and V
F
<5.0V for devices of V
BR
>201V.
℃/W
junction to ambient
100
UNIT
℃/W
Conditions
junction to lead
VALUE
20
■Electrical
Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
Part Number
(Uni)
P6SMB6.8A
P6SMB7.5A
P6SMB8.2A
P6SMB9.1A
P6SMB10A
P6SMB11A
P6SMB12A
P6SMB13A
P6SMB15A
P6SMB16A
P6SMB18A
P6SMB20A
P6SMB22A
P6SMB24A
P6SMB27A
P6SMB30A
P6SMB33A
P6SMB36A
P6SMB39A
P6SMB43A
P6SMB47A
P6SMB51A
P6SMB56A
P6SMB62A
P6SMB68A
Part Number
(Bi)
P6SMB6.8CA
P6SMB7.5CA
P6SMB8.2CA
P6SMB9.1CA
P6SMB10CA
P6SMB11CA
P6SMB12CA
P6SMB13CA
P6SMB15CA
P6SMB16CA
P6SMB18CA
P6SMB20CA
P6SMB22CA
P6SMB24CA
P6SMB27CA
P6SMB30CA
P6SMB33CA
P6SMB36CA
P6SMB39CA
P6SMB43CA
P6SMB47CA
P6SMB51CA
P6SMB56CA
P6SMB62CA
P6SMB68CA
Breakdown Voltage V
BR
@I
T
Min(V)
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
Max (V)
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
I
T
(mA)
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
(4)
Maximum
Working Peak
Reverse Leakage
Reverse Voltage
(6)
I
R
@ V
RWM
V
RWM
(V)
(μA)
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5.8
6.4
7.0
7.8
8.6
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53.0
58.1
Maximum
Reverse Surge
(5)
Current I
PP
(A)
57.14
53.10
49.59
44.78
41.38
38.46
35.93
32.97
28.30
26.67
23.81
21.66
19.61
18.07
16.00
14.49
13.13
12.02
11.13
10.12
9.26
8.56
7.79
7.06
6.52
Maximum
Clamping
Voltage Vc
@ I
PP
(V)
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77.0
85.0
92.0
2/6
S-S155
Rev. 2.4, 17-Apr-19
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
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P6SMB SERIES 
 
■Electrical
Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
Part Number
(Uni)
P6SMB75A
P6SMB82A
P6SMB91A
P6SMB100A
P6SMB110A
P6SMB120A
P6SMB130A
P6SMB150A
P6SMB160A
P6SMB170A
P6SMB180A
P6SMB200A
P6SMB220A
P6SMB250A
P6SMB300A
P6SMB350A
P6SMB380A
P6SMB400A
P6SMB440A
P6SMB500A
P6SMB520A
P6SMB550A
P6SMB600A
Notes:
(4) Pulse test: t
p
≤50ms.
(5) Surge current waveform per Fig. 3 and derated per Fig.2.
(6) For bi-directional types having VRWM of 10 V and less, the I
R
limit is doubled.
Part Number
(Bi)
P6SMB75CA
P6SMB82CA
P6SMB91CA
P6SMB100CA
P6SMB110CA
P6SMB120CA
P6SMB130CA
P6SMB150CA
P6SMB160CA
P6SMB170CA
P6SMB180CA
P6SMB200CA
P6SMB220CA
P6SMB250CA
P6SMB300CA
P6SMB350CA
P6SMB380CA
P6SMB400CA
P6SMB440CA
P6SMB500CA
P6SMB520CA
P6SMB550CA
P6SMB600CA
Breakdown Voltage V
BR
@I
T
Min(V)
71.25
77.90
86.45
95.00
104.50
114.00
123.50
142.50
152.00
161.50
171.00
190.00
209.00
237.50
285.00
332.50
361.00
380.00
418.00
475.00
494.00
522.50
570.00
Max (V)
78.75
86.10
95.35
105.00
115.50
126.00
136.50
157.50
168.00
178.50
189.00
210.00
231.00
262.50
315.00
367.50
399.00
420.00
462.00
525.00
546.00
577.50
630.00
I
T
(mA)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
(4)
Maximum
Working Peak
Reverse Leakage
Reverse Voltage
(6)
I
R
@ V
RWM
V
RWM
(V)
(μA)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
64.1
70.1
77.8
85.5
94.0
102.0
111.0
128.0
136.0
145.0
154.0
171.0
185.0
214.0
256.0
299.3
324.9
342.0
376.2
427.5
444.6
470.3
513.0
Maximum
Reverse Surge
(5)
Current I
PP
(A)
5.83
5.31
4.80
4.38
3.95
3.64
3.35
2.90
2.74
2.56
2.44
2.19
1.83
1.74
1.45
1.24
1.14
1.09
0.99
0.87
0.84
0.79
0.72
Maximum
Clamping
Voltage Vc
@ I
PP
(V)
103.0
113.0
125.0
137.0
152.0
165.0
179.0
207.0
219.0
234.0
246.0
274.0
328.0
344.0
414.0
482.0
524.4
548.0
607.2
690.0
717.6
759.0
828.0
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P6SMB SERIES 
 
Characteristics (Typical)
PPPM(KW)
100
FIG1:Peak Pulse Power Rating Curve
Non-Repetitive Pulse
Waveform shown in Fige.3
TA=25
FIG2: Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature
PPP or IPP(%)
100
10
75
50
1.0
25
0.1
0.2×0.2"(5.0×5.0mm)
Copper Pad Areas
0.1μs
1μs
10μs
100μs
1.0ms
10ms
td(μs)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TJ
(℃)
IPPM(%)
Rth(
/W)
150
FIG3: Pulse Waveform
tr=10μs
TJ=25
Pulse Width(td) is defined as
the Point where the Peak
Current Decays to 50% of IPPM
FIG4:Typical Transient Thermal Impedance
100
Peak Value
IPPM
100
Half Value - IPP
2
IPPM
10
50
10/1000μs Waveform as
Defined by R.E.A.
1
td
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t
ms
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
tp(s)
FIG5: Maximum Non-Repetitive Surge Current
200
Peak Forward Surge Current(A)
100
TJ=TJMax.
8.3ms Single Half Sine-Wave
50
10
0
10
Number of Cycles
100
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Ordering Information (Example)
PREFERED P/N
P6SMB6.8A-
P6SMB600CA
P6SMB6.8A-
P6SMB600CA
P6SMB6.8A-
P6SMB600CA
PACKING
CODE
F1
F2
F3
UNIT WEIGHT(g)
0.0975
0.0975
0.0975
MINIMUM
PACKAGE(pcs)
3000
750
500
INNER BOX
QUANTITY(pcs)
6000
3000
2000
OUTER CARTON
QUANTITY(pcs)
48000
24000
16000
DELIVERY
MODE
13” reel
7” reel
7” reel
Outline Dimensions
DO-214AA(SMB)
Dim
A
B
C
D
E
F
G
H
DO-214AA(SMB)
Min
1.85
3.30
4.25
1.99
5.21
0.90
0.10
0.15
Max
2.15
3.94
4.75
2.61
5.59
1.41
0.20
0.31
A
C
B
D
F
G
E
Dimensions in millimeters
H
Suggested pad layout
P2
Dim
P1
P2
DO-214AA(SMB)
Millimeters
6.8
4.3
1.8
2.5
2.3
Q2
Q1
P3
P1
P3
Q1 
Q2 
Dimensions in millimeters
5/6
S-S155
Rev. 2.4, 17-Apr-19
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吸铁石上 RF/无线
求一个最简单的能在MIPS平台上的bootloader下运行的C程序!
通过请教高人,人家说所有的程序编译后都是由三部分组成的,第一部分就是你要编译成的文件格式的一些标志性代码(比如是ELF,EXE等)。第二部分是程序段,第三部分是数据段。若是要裸机(即操作系统没起来的时候)上运行的话必须要把第一部分去掉,有两种方法1、修改ld.script和对应的Makefile文件2、用GCC编译时用-E编译成汇编语言,然后再修改感觉这两种...
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关于F28335
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hi5 聊聊、笑笑、闹闹
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