P4KE16_AY_10001,P4KE16_AY_10001 pdf中文资料,P4KE16_AY_10001引脚图,P4KE16_AY

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4KE16_AY_10001

P4KE16_AY_10001: 器件型号：P4KE16_AY_10001; 器件类别：分立半导体二极管; 厂商：强茂(PANJIT); 强茂股份有限公司成立于1986年5月，为股票上市公司，并至1997年后，陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产；搭配洞察市场趋势的观察利，不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨，行销及佈局全球；全球总部位于台湾高雄，在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。; 厂商官网：http://www.panjit.com.tw/; 标准：

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器件描述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12.9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压	17.6 V
最小击穿电压	14.4 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	12.9 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P4KE16_AY_10001产品介绍

P4KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

0.205(5.2)

0.160(4.1)

0.034(0.86)

0.028(0.71)

6.8 to 440 Volts

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

Rating

Peak Power Dissipation at T

=25

C, Tp=1ms (Notes 1)

Typical Thermal Resistance Junction to Air Lead Lengths .375",(9.5mm)

(Notes 2)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on

Rated Load (JECED Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

θJA

PPM

FSM

STG

1.0(25.4)MIN.

0.107(2.7)

0.080(2.0)

Value

400

see Table

-65 to +175

Units

Watts

C/W

Amps

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig. 2.

2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in

(40mm

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 22,2012-REV.04

PAGE . 1

P4KE SERIES

Reverse

Stand-off

Voltage

Part Number

RWM

(Notes 4)

B R

@ I

M i n.

UNI

M ax .

UNI

μA

UNI

@ V

RWM

@ I

Max.

Breakdown Voltage

Test

Current

Reverse Leakage

Clamp

Voltage

Peak

Pulse

Current

Marking Code

10/1000μs 10/1000μs

400W Transient Voltage Suppressor

P4KE6.8

P4KE6.8A

P4KE7.5

P4KE7.5A

P4KE8.2

P4KE8.2A

P4KE9.1

P4KE9.1A

P4KE10

P4KE10A

P4KE11

P4KE11A

P4KE12

P4KE12A

P4KE13

P4KE13A

P4KE15

P4KE15A

P4KE16

P4KE16A

P4KE18

P4KE18A

P4KE20

P4KE20A

P4KE22

P4KE22A

P4KE24

P4KE24A

P4KE27

P4KE27A

P4KE30

P4KE30A

P4KE33

P4KE33A

P4KE36

P4KE36A

P4KE39

P4KE39A

P4KE43

P4KE43A

P4KE47

P4KE47A

P4KE51

P4KE6.8C

P4KE6.8CA

P4KE7.5C

P4KE7.5CA

P4KE8.2C

P4KE8.2CA

P4KE9.1C

P4KE9.1CA

P4KE10C

P4KE10CA

P4KE11C

P4KE11CA

P4KE12C

P4KE12CA

P4KE13C

P4KE13CA

P4KE15C

P4KE15CA

P4KE16C

P4KE16CA

P4KE18C

P4KE18CA

P4KE20C

P4KE20CA

P4KE22C

P4KE22CA

P4KE24C

P4KE24CA

P4KE27C

P4KE27CA

P4KE30C

P4KE30CA

P4KE33C

P4KE33CA

P4KE36C

P4KE36CA

P4KE39C

P4KE39CA

P4KE43C

P4KE43CA

P4KE47C

P4KE47CA

P4KE51C

5.5

5.8

6.05

6.4

6.63

7.02

7.37

7.78

8.1

8.55

8.9

9.4

9.72

10.2

10.5

11.1

12.1

12.8

12.9

13.6

14.5

15.3

16.2

17.1

17.8

18.8

19.4

20.5

21.8

23.1

24.3

25.6

26.8

28.2

29.1

30.8

31.6

33.3

34.8

36.8

38.1

40.2

41.3

6.12

6.45

6.75

7.13

7.38

7.79

8.19

8.65

9.5

9.9

10.5

10.8

11.4

11.7

12.4

13.5

14.3

14.4

15.2

16.2

17.1

19.8

20.9

21.6

22.8

24.3

25.7

28.5

29.7

31.4

32.4

34.2

35.1

37.1

38.7

40.9

42.3

44.7

45.9

7.48

7.14

8.25

7.88

9.02

8.61

9.5

10.5

12.1

11.6

13.2

12.6

14.3

13.7

16.5

15.8

17.6

16.8

19.8

18.9

24.2

23.1

26.4

25.2

29.7

28.4

31.5

36.3

34.7

39.6

37.8

42.9

47.3

45.2

51.7

49.4

56.1

1000

500

200

2000

1000

400

100

10.8

10.5

11.7

11.3

12.5

12.1

13.8

13.4

14.5

16.2

15.6

17.3

16.7

18.2

21.2

23.5

22.5

26.5

25.2

29.1

27.7

31.9

30.6

34.7

33.2

39.1

37.5

43.5

41.4

47.7

45.7

49.9

56.4

53.9

61.9

59.3

67.8

64.8

73.5

11.2

8.4

7.4

7.8

6.8

7.1

6.2

5.7

P4KE6.8

P4KE6.8A

P4KE7.5

P4KE7.5A

P4KE8.2

P4KE8.2A

P4KE9.1

P4KE9.1A

P4KE10

P4KE10A

P4KE11

P4KE11A

P4KE12

P4KE12A

P4KE13

P4KE13A

P4KE15

P4KE15A

P4KE16

P4KE16A

P4KE18

P4KE18A

P4KE20

P4KE20A

P4KE22

P4KE22A

P4KE24

P4KE24A

P4KE27

P4KE27A

P4KE30

P4KE30A

P4KE33

P4KE33A

P4KE36

P4KE36A

P4KE39

P4KE39A

P4KE43

P4KE43A

P4KE47

P4KE47A

P4KE51

P4KE6.8C

P4KE6.8CA

P4KE7.5C

P4KE7.5CA

P4KE8.2C

P4KE8.2CA

P4KE9.1C

P4KE9.1CA

P4KE10C

P4KE10CA

P4KE11C

P4KE11CA

P4KE12C

P4KE12CA

P4KE13C

P4KE13CA

P4KE15C

P4KE15CA

P4KE16C

P4KE16CA

P4KE18C

P4KE18CA

P4KE20C

P4KE20CA

P4KE22C

P4KE22CA

P4KE24C

P4KE24CA

P4KE27

P4KE27CA

P4KE30C

P4KE30CA

P4KE33C

P4KE33CA

P4KE36C

P4KE36CA

P4KE39C

P4KE39CA

P4KE43C

P4KE43CA

P4KE47C

P4KE47CA

P4KE51C

November 22,2012-REV.04

PAGE . 2

P4KE SERIES

Reverse

Stand-off

Voltage

Part Number

RWM

(Notes 4)

@ I

M i n.

UNI

M ax .

UNI

μA

U NI

@ V

RWM

@ I

Max.

Breakdown Voltage

Test

Current

Reverse Leakage

Clamp

Voltage

Peak

Pulse

Current

Marking code

10/1000μs 10/1000μs

400W Transient Voltage Suppressor

P4KE51A

P4KE56

P4KE56A

P4KE62

P4KE62A

P4KE68

P4KE68A

P4KE75

P4KE75A

P4KE82

P4KE82A

P4KE91

P4KE91A

P4KE100

P4KE100A

P4KE110

P4KE110A

P4KE120

P4KE120A

P4KE130

P4KE130A

P4KE150

P4KE150A

P4KE160

P4KE160A

P4KE170

P4KE170A

P4KE180

P4KE180A

P4KE200

P4KE200A

P4KE220

P4KE220A

P4KE250

P4KE250A

P4KE300

P4KE300A

P4KE350

P4KE350A

P4KE400

P4KE400A

P4KE440

P4KE440A

P4KE51CA

P4KE56C

P4KE56CA

P4KE62C

P4KE62CA

P4KE68C

P4KE68CA

P4KE75C

P4KE75CA

P4KE82C

P4KE82CA

P4KE91C

P4KE91CA

P4KE100C

P4KE100CA

P4KE110C

P4KE110CA

P4KE120C

P4KE120CA

P4KE130C

P4KE130CA

P4KE150C

P4KE150CA

P4KE160C

P4KE160CA

P4KE170C

P4KE170CA

P4KE180C

P4KE180CA

P4KE200C

P4KE200CA

P4KE220C

P4KE220CA

P4KE250C

P4KE250CA

P4KE300C

P4KE300CA

P4KE350C

P4KE350CA

P4KE400C

P4KE400CA

P4KE440C

P4KE440CA

43.6

45.6

47.8

50.2

55.1

58.1

60.7

64.1

66.4

70.1

73.7

77.8

85.5

89.2

97.2

102

105

111

121

128

130

136

138

145

146

154

162

171

175

185

202

214

243

256

284

300

324

342

356

376

48.5

50.4

53.2

55.8

58.9

61.2

64.6

67.5

71.3

73.8

77.9

81.9

86.5

105

108

114

117

124

135

143

144

152

153

162

171

180

190

198

209

225

237

270

285

315

332

360

380

396

418

53.6

61.6

58.8

68.2

65.1

74.8

71.4

82.5

78.8

90.2

86.1

100

95.5

110

105

121

116

132

126

143

137

165

158

176

168

187

179

198

189

220

210

242

231

275

263

330

315

385

368

440

420

484

462

70.1

80.5

108

103

118

113

131

125

144

137

158

152

173

165

187

179

215

207

230

219

244

234

258

246

287

274

344

328

360

344

430

414

504

482

574

548

631

600

5.2

5.5

4.7

4.3

4.6

3.9

4.1

3.6

3.7

3.2

3.4

2.9

3.1

2.7

2.8

2.4

2.5

2.2

2.3

1.8

1.9

1.7

1.8

1.6

1.7

1.5

1.2

1.1

1.2

0.9

0.8

0.7

P4KE51A

P4KE56

P4KE56A

P4KE62

P4KE62A

P4KE68

P4KE68A

P4KE75

P4KE75A

P4KE82

P4KE82A

P4KE91

P4KE91A

P4KE100

P4KE100A

P4KE110

P4KE110A

P4KE120

P4KE120A

P4KE130

P4KE130A

P4KE150

P4KE150A

P4KE160

P4KE160A

P4KE170

P4KE170A

P4KE180

P4KE180A

P4KE200

P4KE200A

P4KE220

P4KE220A

P4KE250

P4KE250A

P4KE300

P4KE300A

P4KE350

P4KE350A

P4KE400

P4KE400A

P4KE440

P4KE440A

P4KE51CA

P4KE56C

P4KE56CA

P4KE62C

P4KE62CA

P4KE68C

P4KE68CA

P4KE75C

P4KE75CA

P4KE82C

P4KE82CA

P4KE91C

P4KE91CA

P4KE100C

P4KE100CA

P4KE110C

P4KE110CA

P4KE120C

P4KE120CA

P4KE130C

P4KE130CA

P4KE150C

P4KE150CA

P4KE160C

P4KE160CA

P4KE170C

P4KE170CA

P4KE180C

P4KE180CA

P4KE200C

P4KE200CA

P4KE220C

P4KE220CA

P4KE250C

P4KE250CA

P4KE300C

P4KE300CA

P4KE350C

P4KE350CA

P4KE400C

P4KE400CA

P4KE440C

P4KE440CA

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PAGE . 3

P4KE SERIES

November 22,2012-REV.04

PAGE . 4

P4KE SERIES

Part No_packing code_Version

P4KE6.8_AY_00001

P4KE6.8_AY_10001

P4KE6.8_B0_00001

P4KE6.8_B0_10001

P4KE6.8_R2_00001

P4KE6.8_R2_10001

For example :

RB500V-40_R2_00001

Part No.

Serial number

Version code means HF

Packing size code means 13"

Packing type means T/R

Packing Code

Packing type

Tape and Ammunition Box

(T/B)

Tape and Reel

(T/R)

Bulk Packing

(B/P)

Tube Packing

(T/P)

Tape and Reel (Right Oriented)

(TRR)

Tape and Reel (Left Oriented)

(TRL)

FORMING

Code

Packing size code

N/A

13"

26mm

52mm

PANASERT T/B CATHODE UP

(PBCU)

PANASERT T/B CATHODE DOWN

(PBCD)

Version Code

XXXXX

Code

HF or RoHS

Code 2

Code

RoHS

serial number

November 22,2012-REV.04

PAGE . 5

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机房环境监控平台: [i=s] 本帖最后由 tobot 于 2020-7-5 21:52 编辑 [/i]忽然发现已经最后一天了，卡点提交。简单介绍一下我的项目：一、项目背景大家都知道，温度过高，印刷电路板的结构强度会变弱，温度过低，绝缘材料会变脆，同样会使结构强度变弱；对记录介质而言，温度过高或过低都会导致数据的丢失或存取故障。湿度对计算机设备的影响也同样明显，当相对湿度较高时，水蒸汽在电子元器件或电介质材料表面形成...; tobot ST MEMS传感器创意设计大赛专区

SIA：五月全球半导体销售额同比增长22.6%

TI培训消息，半导体产业协会(SIA)3日公布，2017年5月份全球半导体销售额来到319亿美元，和前月相比，攀升1.9%。和去年同期相比，暴冲22.6%，年增率创2010年9月份以来新高，所有主要市场的年增幅都达15%以上。SIA总裁兼执行长JohnNeuffer声明稿指出，2017年全球半导体市场进入显著稳定的成长时期，5月份销售远胜去年同期。近来市场的攀升趋势，发生在所有主要区域市...[详细]
英特尔明年或将在蓉建创新中心

3月7日，英特尔全球副总裁、中国区总裁杨叙在成都发布2013年英特尔的全新战略、革新技术、创新理念和市场路线。据他透露，明年英特尔或将在成都建立创新中心。 2012年，在全球IT大市场不断萎缩的发展趋势下，英特尔中国市场一枝独秀。英特尔全球营业收入达533亿美元，基于英特尔的PC出货量稳定增长，超过6500万台，140款超级本面世，“PC、平板二合一”成为英特尔平台产品创新的最大亮点。今年...[详细]
应对3D NAND新挑战，泛林Striker ICEFill电介质填充技术

对3DNAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说，高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。对此，泛林集团副总裁兼电介质原子层沉积(ALD)产品总经理AaronFellis介绍了Striker®FE增强型ALD平台将如何以其高性能推进技术路线图的发展。沉积技术是推进存储器件进步的关键要素。但随着3DNAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性已开始凸显。泛林集团去年推出的Strik...[详细]
华为参投XMOS 融资2600万美元

据英国《金融时报》报道,华为(Huawei)向一家英国科技公司进行了首次股权投资,面对全球其他市场的敌意,这家中国的网络和电信集团寻求在英国扩张业务。华为与其他一些企业投资者——包括德国工业供应商博世(Bosch)和美国技术制造商赛灵思(Xilinx)——对位于布里斯托尔的半导体公司XMOS作出了“战略性”投资。这3家企业参加了该芯片设计公司一轮2600万美元的融资。...[详细]
谁会接手？传松下裁员并将出售半导体业务股份

　　据报道，松下(Panasonic)计划对无法盈利的多个业务部门进行裁员，并可能出售液晶面板生产线和半导体业务股份。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。谁会接手？传松下裁员并将出售半导体业务股份　　报道称，本次被列为裁员对象的6个业务部门，其2016年销售额预计为3800亿日元，占公司整体销售额的5%，并且还出现约460亿日元的亏损。　　松下曾在2011年至2...[详细]
半导体业态势好转能支撑未来的发展

　相比于2009年今年全球半导体业的态势好了许多，但是仍有少部分人提出质疑，2010年有那么好吗?即具备条件了吗? 　　在今年1月由SEMI主办的工业策略年会上(ISS)，有些演讲者表示一些担忧，认为虽然半导体业正在复苏的路上，但是制造商们仍缺少激情，不肯继续大幅的投资，以及不太愿意重新扩大招慕员工。　　恐怕更大的担心来自全球半导体业间的兼并与重组到来，以及产业能否支持得起...[详细]
Rambus从Inapac技术公司收购SiP技术

Rambus公司已经从Inapac技术公司手中收购了大量未公开专利,后者为一家系统级封装(SiP)技术的供应商。这些被收购的技术对于SiP的设计至关重要。SiP包含了大量堆叠集成电路(IC)——如媒体处理器、DRAM以及闪存设备，这些都采用了单级封装或者单级模块形式。据悉，这些专利技术将有力地补充了Rambus公司的移动内存倡议。交易的具体条款目前尚未透露。 ...[详细]
《华尔街日报》：英特尔或收购博通后者盘后涨6%

据《华尔街日报》周五报道，英特尔正在权衡一系列收购方案，其中包括对博通（Broadcom）的收购。　　与此同时，博通正在积极争取竞购高通。如果博通收购高通成功，英特尔将面对更强大的竞争对手。不过，知情人士向华尔街日报表示，英特尔未必会提出收购。　　华尔街见闻此前提到，博通拟收购高通一案已经成为半导体行业乃至整个科技产业历史上的最大并购案，两大半导体巨头总市值将超过2000亿美元。如果...[详细]
联发科5G芯片M70 明年亮相

5G世代即将来临，联发科（2454）昨（5）日宣布，明年将推出首款5G基带芯片M70。联发科总经理陈冠州表示，联发科在5G起步得比过去的4G世代还要早上许多，目前在5G世代绝对是领先群，预计今年下半年会有更多消息对外释出。联发科昨日在台北国际电脑展（Computex）开展首日召开记者会，由联发科执行长蔡力行领军，陈冠州、技术长周渔君、副总经理游人杰及财务长顾大为等一线经营团队皆到场，分享联...[详细]
曹杰和他的团队默默地为集成电路封装技术国产化努力着

坐在一间以自己名字命名的工作室里，沉静的曹杰口中不断说出各种集成电路封装行业的专业名词。虽然外人听来晦涩难懂，但对于曹杰来说，这些名词犹如日常生活中的柴米油盐，不仅烂熟于胸而且习以为常。在集成电路行业，曹杰是一位为中国制造孜孜追求以期贡献力量，却并不被外人所熟知的人。让集成电路封装模具国产化集成电路是一种微型电子器件或部件。所谓“封装”技术，是一种将集成电路芯片用绝缘塑料或陶...[详细]
AMD执行长：“身历其境”运算时代来临

“运算性能的下一个阶段进展，特别是对消费者来说，实际上是环绕着“身历其境运算”(immersivecomputing)，以及我们所有人生活周遭数不清的连网装置。”AMD执行长苏姿丰(LisaSu)在日前于美国旧金山举行的2017年度EEE国际电子元件会议(IEDM)上，呼吁产业界共同努力满足对更高运算性能的需求，以持续改善终端使用者体验并协助解决部份世界上最困难的问题。苏姿丰在...[详细]
耐威科技与中国航天某院合作推广精确制导产品

耐威科技日前公告称，公司全资子公司耐威时代与中国航天某院签订《合作协议书》，双方决定在某类航空器地面综合防控体系的验证推广及惯性（MEMS）-卫星（北斗）精确制导产品的产业化应用方面建立紧密、深度的合作关系等。此次合作有利于公司精确制导产品在各军兵种及空域管理领域的推广应用。...[详细]
NXP S32R274微控制器在贸泽开售

2018年4月20日–最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货NXPSemiconductors的S32R274雷达微控制器。S32R274结合了信号处理加速与多核架构，其在工业和自动化应用中的性能最高可达前代产品的四倍，能满足现代波束成形以及快速线性调频雷达系统的高性能计算需求。贸泽电子供应的NXP...[详细]
上海未来3年将投入逾300亿元建设“新型无线城市”

中新社上海1月11日电(郑莹莹)记者从11日在上海举行的“新型无线城市发展高峰论坛”上获悉，按计划上海未来3年将累计投入超过300亿元人民币资金，用于新型无线城市建设，共包括网络、平台、示范、产业集聚和公共服务平台打造等五个领域。上海市经济和信息化委员会主任陈鸣波在致辞中表示，上海要加快布局下一代城市信息基础设施，打造智慧城市的升级版，建设新型无线城市是下一步的重中之重。近年来上海...[详细]
外媒：美国打压中国，全球芯片公司遭重创

美国“汤姆硬件”网站报道，超威半导体、英伟达和英特尔等企业对华出售大量先进芯片，美国打压将不可避免地伤害这些美国公司。若美政府不允许他们履行现有订单并与中国伙伴继续合作一段时间，英伟达的季度收入可能减少4亿美元。同时，美政府的决定将加速壁仞科技等中国公司对高性能GPU计算的开发。对中国来说，好消息是日本的芯片设备公司，如尼康、佳能、东京电子等公司将受到美国打压的影响，因此可能考虑开发不使用...[详细]

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