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MMBZ5260BV

产品描述43 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

下载文档 详细参数

MMBZ5260BV概述

43 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

MMBZ5260BV规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压43 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%

MMBZ5260BV文档预览

下载PDF文档
MMBZ5221BV~MMBZ5267BV
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
200 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 200mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4V~75V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS
environment substance request
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-523, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Sandard packaging : 8mm tape
• Weigh : approximately 0.002gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation @ T
A
= 25
O
C(Note A)
Operating Junction and StorageTemperature Range
Symbol
P
D
T
J
Value
200
-55 to +150
Units
mW
O
C
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm
2
(.013mm thick) land areas.
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
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