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MMBZ5256BTWT/R13

产品描述Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    二极管   
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

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MMBZ5256BTWT/R13概述

Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

MMBZ5256BTWT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量3
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
标称参考电压30 V
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压23 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%

MMBZ5256BTWT/R13文档预览

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MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Planar Die Construction
• 200mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4~51V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
2.4 to 51 Volts
POWER
200 mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0002 ounces, 0.006 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J
=25
O
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Power Dissipation (Note A)
Peak Forward Surge Current,8.3ms single half sine-wave superimposed on rated
load (JEDEC method) (Notes B)
Operating Junction Temperature and Storage Temperature Range
SYMBOL
P
D
I
F S M
VALUE
200
2.0
-55 to +150
UNITS
mW
A
O
T
J
,T
STG
C
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm (.013mm thick) land areas.
B. Me asured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum.
October 06,2011-REV.02
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