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MMBZ5226BW

器件型号:MMBZ5226BW
器件类别:分立半导体   
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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器件描述

齐纳二极管

产品简介

功能特点

产品名称:齐纳二极管


产品型号:MMBZ5226BW


产品特征:


Planar Die Construction


200mW Power Dissipation on FR-4 PCB


General purpose, Medium Current


Ideally Suited for Automated Assembly




产品参数:


Pd 耗散功率 :200mW


Vz 稳定电压 :Nom=3.33V Min=3.14V Max=3.47V


Zzt击穿阻抗 :28Ω


Zzk击穿阻抗 :1600Ω


IR 反向电流 :25uA


Vf 正向压降:0.9V



封装:SOT-323

MMBZ5226BW产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-323 Plastic-Encapsulate Diode
SOT- 323
MMBZ5221BW-MMBZ5259BW
FEATURES:
Planar Die Construction
200mW Power Dissipation on FR-4 PCB
General purpose, Medium Current
Ideally Suited for Automated Assembly
Marking: see table on page2 The first code
ZENER DIODE
Maximum Ratings(T
a
= 25℃ unless otherwise specified)
Characteristic
Forward Voltage @ I
F
= 10mA
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
V
F
P
D
R
θ
JA
T
j
, T
STG
Value
0.9
200
625
-65
~
+150
Unit
V
mW
℃/W
A,Jun,2011
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Type Number
Marking
Code
Zener Voltage Range (Note 1)
V
Z
@ I
ZT
Nom (V)
Min (V)
2.28
2.38
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.70
5.89
6.46
7.13
7.79
8.27
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
13.30
14.25
15.20
16.15
17.10
18.05
19.00
20.90
22.80
23.75
25.65
26.60
28.50
31.35
34.20
37.05
Max (V)
2.52
2.63
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.30
6.51
7.14
7.88
8.61
9.14
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
14.70
15.75
16.80
17.85
18.90
19.95
21.00
23.10
25.20
26.25
28.35
29.40
31.50
34.65
37.80
40.95
Test
Current
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
5.2
5.0
5.0
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
Maximum Zener
Impedance (Note 2)
Z
ZT
@
I
ZT
30
30
30
30
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
Z
ZK
@ I
ZK
=
0.25mA
Maximum Reverse
Leakage Current
(Note 1)
I
R
µA
@V
R
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
1200
1250
1300
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
MMBZ5221BW
MMBZ5222BW
MMBZ5223BW
MMBZ5225BW
MMBZ5226BW
MMBZ5227BW
MMBZ5228BW
MMBZ5229BW
MMBZ5230BW
MMBZ5231BW
MMBZ5232BW
MMBZ5233BW
MMBZ5234BW
MMBZ5235BW
MMBZ5236BW
MMBZ5237BW
MMBZ5238BW
MMBZ5239BW
MMBZ5240BW
MMBZ5241BW
MMBZ5242BW
MMBZ5243BW
MMBZ5244BW
MMBZ5245BW
MMBZ5246BW
MMBA5247BW
MMBZ5248BW
MMBZ5249BW
MMBZ5250BW
MMBZ5251BW
MMBZ5252BW
MMBZ5253BW
MMBZ5254BW
MMBZ5255BW
MMBZ5256BW
MMBZ5257BW
MMBZ5258BW
MMBZ5259BW
KC1
KC2
KC3
KC5
KG1
KG2
KG3
KG4
KG5
KE1
KE2
KE3
KE4
KE5
KF1
KF2
KF3
KF4
KF5
KH1
KH2
KH3
KH4
KH5
KJ1
KJ2
KJ3
KJ4
KJ5
KK1
KK2
KK3
KK4
KK5
KM1
KM2
KM3
KM4
2.4
2.5
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
100
100
75
50
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
Notes: 1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
2. f = 1KHz.
A,Jun,2011
小广播

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