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MF5853CS

器件型号:MF5853CS
器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   
厂商:Megapower(瑞信)
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器件描述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.9A(Tj=150°C) 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.3W(MOS),1.4W(Schottky) 类型:P沟道,肖特基 集成P-MOS和肖特基二极管,

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.9A(Tj=150°C)
栅源极阈值电压900mV @ 250uA
漏源导通电阻110mΩ @ 3.6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.3W(MOS),1.4W(Schottky)
类型P沟道,肖特基

MF5853CS产品介绍

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