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MBR360

器件型号:MBR360
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:强茂(PANJIT)

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/
标准:
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器件描述

肖特基二极管

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-201AD
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

产品简介

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR360


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:60V


最大平均整流电流Io:3A


最大前向浪涌电流I FSM:80A


正向压降VF:0.74V 当IF=3A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=60V


封装:DO-201AD


MBR360产品介绍

MBR340 SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Low Power Loss, High Efficiency
• High Surge Capability
• High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
• Surge Overload Rating to 80A Peak
0.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
40 to 200 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
• Guard Ring Die Construction for Transient Protection
0.052(1.3)
0.048(1.2)
and Polarity Protection Applications .
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.285(7.2)
• For Use in Low Voltage,High Frequency Inverters ,Free Wheeling ,
• Case: DO-201AD Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounce, 1.122 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
A ve ra g e Re c ti fi e d Outp ut C urre nt
(S e e F i g ure 1 )
No n-Re p e ti ti ve P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms
s i ng le ha lf s i ne -wa ve s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d
F o rwa rd Vo lta g e a t 3 .0 A (No te 3 )
P e a k Re ve rs e C urre nt a t Ra te d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e (No te 2 )
(No te 1 )
(No te 1 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
A
R
θJ
C
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
1.0(25.4)MIN.
MECHANICAL DATA
0.210(5.3)
0.188(4.8)
MB R3 4 0
MB R3 4 5 MB R3 5 0 MB R3 6 0 MB R3 8 0 MB R3 9 0 MB R3 1 0 0 MB R3 1 5 0 MB R3 2 0 0
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
3 .0
80
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 4
0 .0 5
10
50
12
15
0 .8 0
0.9
V
mA
O
C / W
-5 5 to + 1 5 0
-6 5 to +1 5 0
O
C
Notes :
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Minimum Pad Area
3. Pulse test : 300μs pulse width , 1% duty cycle
August 18,2010-REV.01
PAGE . 1
MBR340 SERIES
80
I
FSM
,PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)
3.0
2.5
2.0
1.5
.375" 9.5mmLEADLENGHTS
RESISTIVEORINDUCTIVELOAD
8.3ms Single Half-Sine-Wave
(JEDEC Method) T
J
= T
J(MAX)
64
48
32
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
O
16
140
160
180
0
1
10
100
LEAD TEMPERATURE, C
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.2- MAXIMUM NON-REPETITIVEPEAKFORWARD
SURGE CURRENT
I
R
,INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (mA)
10
T
J
= 125 C
1
T
J
= 75 C
0.1
o
o
I
F
,INSTAN TANEOU S FORWARD CURR ENT (A)
10
1.0
0.01
T
J
= 25
o
C
0.001
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0
20
40
60
80
100
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE (%)
Fig.3-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
1000
C
T
,TOTAL CAPA CITANC E(pF)
T
J
= 25 C
f = 1.0MHz
Vsig = 50mVp-p
O
Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
100
10
0.1
1
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
100
Fig.5- TYPICAL TOTAL CHARACTERISTIC
August 18,2010-REV.01
PAGE . 2
在USB3.0连接的ESD防护元件连接要求
第一、ESD防护元件本身的寄生电容必须要小,为不影响USB3.04.8Gbps的传输速率,其寄生电容必须小于0.3pF。   第二、防护元件对ESD的耐受能力必须要高,最少要能承受IEC61000-4-2接触模式8kVESD的轰击。   第三、也是最重要的一项要求,防护元件在ESD事件发生期间所提供的箝制电压必须要够低,不能造成传输资料的损坏。在USB3.0连接的ESD防护元件连接要求...
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