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MBR2040CT

器件型号:MBR2040CT
器件类别:分立半导体   
厂商:长电科技(JCET)

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

厂商官网:http://www.cj-elec.com/
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器件描述

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER肖特基整流器

产品简介

功能特点

产品名称:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER肖特基整流器


产品型号:MBR2040CT


产品描述:


Schottky Barrier Chip


Guard Ring Die Construction for Transient Protection


Low Power Loss,High Efficiency


High Surge Capability


High Current Capability and Low Forward Voltage Drop


For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,


and Polarity Protection Applications



参数:


PD(功耗):2W


Io(平均整流输出电流):20A


VR(直流闭锁电压):40V


VF(正向电压):0.7V


IR(反向电流):0.1mA


封装:TO-220-3L

MBR2040CT产品介绍

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220-3L Plastic-Encapsulate Diodes
MBR2030CT, 35CT, 40CT, 45CT, 50CT, 60CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
FEATURES
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for Transient Protection
Low Power Loss,High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters,Free Wheeling,
and Polarity Protection Applications
MAXIMUM RATINGS ( T
a
=25
unless otherwise noted )
Value
Symbol
Parameter
MBR
2030CT
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
P
D
R
ΘJA
T
j
T
stg
Peak repetitive reverse voltage
Working peak reverse voltage
DC blocking voltage
RMS reverse voltage
Average rectified output current @T
c
=125℃
Non-Repetitive peak forward surge current
8.3ms half sine wave
Power dissipation
Thermal resistance from junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
21
24.5
28
20
150
2
50
125
-55~+150
31.5
35
42
V
A
A
W
℃/W
30
35
40
45
50
60
V
MBR
2035CT
MBR
2040CT
MBR
2045CT
MBR
2050CT
MBR
2060CT
Unit
TO-220-3L
1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
A,Nov,2010
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25
unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Device
MBR2030CT
MBR2035CT
Reverse voltage
V
(BR)
MBR2040CT
MBR2045CT
MBR2050CT
MBR2060CT
MBR2030CT
MBR2035CT
Reverse current
I
R
MBR2040CT
MBR2045CT
MBR2050CT
MBR2060CT
Forward voltage
Typical total capacitance
V
F
C
tot
MBR2030CT-2045CT
MBR2050CT,2060CT
MBR2030CT-2060CT
V
R
=4V,f=1MHz
650
V
R
=30V
V
R
=35V
V
R
=40V
V
R
=45V
V
R
=50V
V
R
=60V
I
F
=10A
0.7
0.8
pF
V
0.1
mA
I
R
=0.1mA
Test conditions
Min
30
35
40
45
50
60
V
Typ
Max
Unit
A,Nov,2010
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