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JCS8N65FC-220MF

器件型号:JCS8N65FC-220MF
器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   
厂商:吉林华微
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
厂商官网:http://www.hwdz.com.cn/About/164
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器件描述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54.34W(Tc) 类型:N沟道 N沟道增强型场效应晶体管

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.35Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)54.34W(Tc)
类型N沟道

JCS8N65FC-220MF产品介绍

R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS8N65C
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
I
D
V
DSS
Rdson-max
(@Vgs=10V)
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
LED
电源
.0 A
封装
Package
650 V
1.35
32 nC
APPLICATIONS
High frequency switching
mode power supply
Electronic ballast
LED
po
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 14pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 14pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
版本:201804B
1/17
R
JCS8N65C
无卤素
Halogen
Free
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
NO
YES
器件重量
Device
Weight
0.35 g(typ)
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
0.30 g(typ)
2.15 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
2.20 g(typ)
2.20 g(typ)
2.19 g(typ)
2.20 g(typ)
2.19 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
1.37 g(typ)
1.71 g(typ)
1.71 g(typ)
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
JCS8N65VC-O-V-N-B
JCS8N65VC-R-V-N-B
JCS8N65RC-O-R-N-B
JCS8N65RC-R-R-N-B
JCS8N65RC-O-R-N-A
JCS8N65RC-R-R-N-A
JCS8N65CC-O-C-N-B
JCS8N65CC-R-C-N-B
JCS8N65FC-O-F-N-B
JCS8N65FC-R-F-N-B
JCS8N65FC-O-F1-N-B
JCS8N65FC-R-F1-N-B
JCS8N65FC-O-F2-N-B
JCS8N65FC-R-F2-N-B
JCS8N65SC-O-S-N-B
JCS8N65SC-R-S-N-B
JCS8N65SC-O-S-N-A
JCS8N65SC-R-S-N-A
JCS8N65BC-O-B-N-B
JCS8N65BC-R-B-N-B
Marking
JCS8N65V
JCS8N65V
JCS8N65R
JCS8N65R
JCS8N65R
JCS8N65R
JCS8N65C
JCS8N65C
JCS8N65F
JCS8N65F
JCS8N65F
JCS8N65F
JCS8N65F
JCS8N65F
JCS8N65S
JCS8N65S
JCS8N65S
JCS8N65S
JCS8N65B
JCS8N65B
Package
IPAK
IPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
TO-220C
TO-220C
TO-220MF
TO-220MF
TO-220MF-K1
TO-220MF-K1
TO-220MF-K2
TO-220MF-K2
TO-263
TO-263
TO-263
TO-263
TO-262
TO-262
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
编带
Reel
编带
Reel
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
编带
Reel
编带
Reel
条管
Tube
条管
Tube
版本:201804B
2/17
R
JCS8N65C
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
数 值
Value
JCS8N65CC/SC/BC/VC/RC
650
8.0
4.6
28
±30
JCS8N65FC
650
8.0*
4.6*
28*
½
Unit
V
A
A
A
V
绝对最大额定值
Parameter
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
符 号
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
最大脉冲漏极电流
(注
1)
I
DM
Drain Current - pulse
(note
1)
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
(注
2)
Single Pulsed Avalanche
Energy(note 2)
V
GSS
E
AS
710
mJ
雪崩电流
(注
1)
I
AR
Avalanche Current(note 1)
重复雪崩½量
(注
1)
Repetitive Avalanche
Energy(note 1)
二极管反向恢复最大电压变
化速率
(注
3)
Peak Diode
Recovery dv/dt(note 3)
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
E
AR
8.0
A
12.6
mJ
dv/dt
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
T
J
,T
STG
4.5
V/ns
120.0
1.04
54.34
0.434
W
W/
-55½+150
T
L
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本:201804B
3/17
R
JCS8N65C
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
栅极电阻
Gate resistance
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Rg
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
referenced
to
650
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A,
T
J
25℃
-
0.64
-
V/℃
I
DSS
V
DS
=650V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=520V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100 nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=3.5A
0.3
1.05 1.35
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=8.0A
(note
4) -
5.6
-
S
F=1.0MH
Z
open drain
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
0.8
-
4.0
500 1100 1600 pF
120
5
251 300
14
20
pF
pF
版本:201804B
4/17
R
JCS8N65C
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=520V ,
I
D
=8A
V
GS
=10V
(note
4,5)
V
DD
=325V,I
D
=8A,R
G
=25Ω
(note
4,5)
-
-
-
-
-
-
-
11
35
46
40
32
6
15
31
80
95
92
41
15
40
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅-源电荷
Gate-Source charge
栅-漏电荷
Gate-Drain charge
漏-源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
注释:
1:脉冲½度由最高结温限制
2:L=27mH, I
AS
=8.0A, V
DD
=50V,
T
J
=25℃
3
I
SD
≤8.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,
起 始 结 温
T
J
=25
4:脉冲测试:脉冲½度≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结
I
S
-
-
8.0
A
I
SM
-
-
28
A
V
SD
V
GS
=0V,
I
S
=8.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=8.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
345 800 ns
3.2 8.0 μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
最大
Max
符 号
Symbol
JCS8N65VC/RC/CC/SC/BC
Rth(j-c)
1.04
JCS8N65FC
单 ½
Unit
℃/W
2.3
R
th(j-A)
62.5
Notes:
35.67
℃/W
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2
L=27mH, I
AS
=8.0A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3:I
SD
≤8.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2%
5:Essentially independent of operating temperature
版本:201804B
5/17
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