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JCS6N70FH TO-220MF

器件型号:JCS6N70FH TO-220MF
器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   
厂商:吉林华微
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
厂商官网:http://www.hwdz.com.cn/About/164
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器件描述

漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 . N沟道增强型场效应晶体管

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.6Ω @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)40W(Tc)
类型N沟道

JCS6N70FH TO-220MF产品介绍

R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS6N70FH
主要参数
MAIN
CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Rdson-max
(@Vgs=10V)
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
6.0 A
700 V
1.6
31 nC
APPLICATIONS
High frequency switching
mode power supply
Electronic ballast
UPS
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 14pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 14pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
JCS6N70FH-O-F-N-B
Marking
JCS6N70F
Package
TO-220MF
无卤素
Halogen Free
NO
Packaging
条管
Tube
器件重量
Device Weight
2.20 g(typ)
版本:201805A
1/8
R
JCS6N70FH
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
符 号
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
数 值
Value
700
6.0*
3.9*
24*
½
Unit
V
A
A
A
Parameter
绝对最大额定值
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
最大脉冲漏极电流
(注
1)
Drain Current - pulse
(note
1)
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
(注
2)
Single Pulsed Avalanche
Energy(note 2)
V
GSS
±30
V
E
AS
270
mJ
雪崩电流
(注
1)
I
AR
Avalanche Current(note 1)
重复雪崩½量
(注
1)
Repetitive Avalanche
Energy(note 1)
二极管反向恢复最大电压变
化速率
(注
3)
Peak Diode Recovery dv/dt
(note
3)
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
E
AR
6.0
A
11.8
mJ
dv/dt
5.5
V/ns
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
T
J
,T
STG
40
0.31
W
W/℃
-55½+150
T
L
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本:201805A
2/8
R
JCS6N70FH
Parameter
符 号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
1620 1890 pF
125 170
14
20
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
referenced
to
700
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A,
T
J
25℃
-
0.73
-
V/℃
I
DSS
V
DS
=700V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=560V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100 nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=3.0A
-
1.26 1.6
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=6.0A
(note
4) -
4.9
-
S
版本:201805A
3/8
R
JCS6N70FH
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=560V ,
I
D
=6A
V
GS
=10V
(note
4,5)
V
DD
=350V,I
D
=6A,R
G
=25Ω
(note
4,5)
-
-
-
-
-
-
-
11
35
46
40
31
6
15
31
80
95
92
41
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅-源电荷
Gate-Source charge
栅-漏电荷
Gate-Drain charge
漏-源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction
to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance,
Junction to Ambient
注释:
1:脉冲½度由最高结温限制
2:L=14mH, I
AS
=6.0A, V
DD
=50V,
T
J
=25℃
3
I
SD
≤6.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,
起 始 结 温
T
J
=25℃
4:脉冲测试:脉冲½度≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工½温度无关
R
G
=25 Ω,起始结
I
S
-
-
6
A
I
SM
-
-
24
A
V
SD
V
GS
=0V,
I
S
=6.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=6.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s (note 4)
-
-
345
3.2
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
符 号
Symbol
Rth(j-c)
最大
Max
3.2
单 ½
Unit
℃/W
R
th(j-A)
Notes:
62.5
℃/W
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2
L=14mH, I
AS
=6.0A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3:I
SD
≤6.0A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting T
J
=25℃
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2%
5:Essentially independent of operating temperature
版本:201805A
4/8
R
JCS6N70FH
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
10
特征曲线
On-Region Characteristics
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
10
I
D
[A]
I
D
[A]
150
1
25
1
Notes
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
0.1
Notes
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
2
4
6
8
10
1
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.6
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
R
DS
(on) [ Ω ]
V
GS
=10V
I
DR
[A]
1.4
25
1
V
GS
=20V
1.2
150
Note
T
j
=25
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
Notes
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
I
D
[A]
V
SD
[V]
Capacitance Characteristics
12
Gate Charge Characteristics
V
DS
=560V
10
V
DS
=350V
V
DS
=140V
V
GS
Gate Source Voltage[V]
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本:201805A
5/8
小广播

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