电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 

JCS1SN60VC-IPAK

器件型号:JCS1SN60VC-IPAK
器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   
厂商:吉林华微
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年330万片,封装资源为24亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利,各系列产品采用IGBT、MOS、双极技术及集成电路等核心制造技术,公司主要生产功率半导体器件及IC,应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。目前公司已形成IGBT、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等为营销主线的系列产品,成为功率半导体器件领域为客户提供解决方案的制造商、LED照明解决方案提供商。
厂商官网:http://www.hwdz.com.cn/About/164
下载文档

器件描述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 N沟道增强型场效应晶体管

参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.2A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻8.5Ω @ 600mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)
类型N沟道

JCS1SN60VC-IPAK产品介绍

R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS1SN60C
主要参数
I
D
V
DSS
Rdson-max
(Vgs=10V)
Qg-typ
用途
高频开关电源
电子镇流器
MAIN CHARACTERISTICS
0.6A
1.2 A
600 V
8.5Ω
4.5nC
TO-92
IPAK/DPKA
封装
Package
APPLICATIONS
High
efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 4.9pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 4.9pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
TO-92
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
JCS1SN60TC-O-T-N-A
JCS1SN60VC-O-V-N-B
JCS1SN60RC-O-R-N-B
无卤素
Halogen Free
NO
NO
NO
器件重量
Device
Weight
0.216 g(typ)
0.350 g(typ)
0.300 g(typ)
Marking
JCS1SN60TC
JCS1SN60VC
JCS1SN60RC
Package
TO-92
IPAK-S2
DPAK
Packaging
编带
Brede
条管
Tube
条管
Tube
版本:201510B
1/11
R
JCS1SN60C
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
数 值
Value
JCS1SN60TC
600
0.6
0.36
2.0
JCS1SN60VC/RC
600
1.2
0.75
4.0
单 ½
Unit
V
A
A
A
绝对最大额定值
Parameter
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
最大脉冲漏极电流
(注
1)
Drain Current - pulse
(note
1)
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
(注
2)
Single
Pulsed
Avalanche
Energy(note 2)
雪崩电流
(注
1)
Avalanche Current(note 1)
重复雪崩½量
(注
1)
Repetitive Avalanche Current
(note
1)
二极管反向恢复最大电压变化速
(注
3)
Peak Diode Recovery dv/dt
(note
3)
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating
and
Temperature Range
V
GSS
±
30
V
E
AS
48
mJ
I
AR
1.0
A
E
AR
3.6
mJ
dv/dt
4.0
4.0
V/ns
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above 25℃
Storage
T
J
,T
STG
3.0
0.025
30
0.24
W
W/℃
-55½+150
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
T
L
300
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本:201510B
2/11
R
JCS1SN60C
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单 ½
Min Typ Max Units
Parameter
Symbol
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
247 319
23
30
pF
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
600
-
-
V
ΔBV
DSS
I
D
=1mA, referenced to 25℃
T
J
I
DSS
V
DS
=600V,V
GS
=0V, T
C
=25℃
V
DS
=480V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
0.60
-
-
-
-
10
100
100
V/℃
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V, V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V, V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=0.6A
-
8
8.5
g
fs
V
DS
= 40V , I
D
=0.5(note 4)
-
0.8
-
S
4.9 6.4
版本:201510B
3/11
R
JCS1SN60C
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=1.2A
V
GS
=10V
(note
4,5)
V
DD
=300V,I
D
=1.2A,R
G
=25Ω
(note
4,5)
-
-
-
-
-
-
-
15
26
37
1.0
2.5
45
62
82
-
-
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅-源电荷
Gate-Source charge
栅-漏电荷
Gate-Drain charge
46 105
4.5 4.9
漏-源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
1.2
A
I
SM
-
-
4.8
A
V
GS
=0V,
I
S
=1.2A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=1.2A
dI
F
/dt=100A/
μ
s
(note 4)
-
-
185
0.51
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
符 号
Symbol
R
th(j-c)
R
th(j-A)
Notes:
1
Pulse width limited by maximum junction
R
G
=25 Ω,起始结
temperature
2:L=59mH, I
AS
=1.2A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω, Starting
T
J
=25℃
3
I
SD
≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2%
5:Essentially independent of operating temperature
Parameter
最大
Max
JCS1SN60TC JCS1SN60VC/RC
120
4.75
105
单 ½
Unit
℃/W
℃/W
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释:
1:脉冲½度由最高结温限制
2:L=59mH, I
AS
=1.2A, V
DD
=50V,
T
J
=25℃
3:I
SD
≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4:脉冲测试:脉冲½度≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工½温度无关
版本:201510B
4/11
R
JCS1SN60C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
特征曲线
On-Region Characteristics
Top
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
10
[A]
1
150
I
D
[A]
1
(on )
I
DS
25
Notes
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
0.1
1
10
0.1
Notes
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
2
4
6
8
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
13
12
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
R
DS (on )
[ Ω ]
11
V
GS
=20V
9
8
7
I
DR
[A]
10
1
V
GS
=10V
150
25
Note
T
j
=25
6
5
0.0
0.5
1.0
1.5
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
I
D
[A]
V
SD
[V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
版本:201510B
5/11
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved