电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 

ER300

器件型号:ER300
器件类别:分立半导体    二极管   
厂商:强茂(PANJIT)

强茂股份有限公司成立于1986年5月,为股票上市公司,并至1997年后,陆续通过ISO/TS-16949、ISO-9001、ISO-14001、OHSAS-18001等国际认证。

强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势,主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产;搭配洞察市场趋势的观察利,不断推出符合市场需求的薄型化封装。

强茂以提供客护更完整的产品服务为宗旨,行销及佈局全球;全球总部位于台湾高雄,在北美、欧洲、日本、中国大六、南韩和台湾台北等地均设有分公司或是办事处提供客护最完整和及时的业务以及技术服务。

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/
标准:
下载文档

器件描述

3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

ER300产品介绍

ER300~ER308
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage, high current capability.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Hermetically sealed.
• Low leakage.
• High surge capability.
.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
50 to 800 Volts
CURRENT
3.0 Ampere
DO-201AD
Unit: inch(mm)
• Superfast recovery times-epitaxial construction.
.052(1.3)
.048(1.2)
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.285(7.2)
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-201AD
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounce, 1.122 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 3 . 0 A D C
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l J u n c t i o n R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
E R 3 0 0 E R 3 0 1 E R 3 0 1 A E R 3 0 2 E R 3 0 3 E R 3 0 4 E R 3 0 6 E R 3 0 6 A E R 3 0 8
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
J A
T
J
, T
S T G
0 .9 5
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
300
210
300
3 .0
125
1 .2 5
1 .0
300
35
35
O
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
400
280
400
600
420
600
700
490
700
800
560
800
V
V
V
A
A
1 .7 0
2 .0
2 .5
V
µA
ns
pF
C /
W
C
20
-5 5 to +1 5 0
O
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
STAD-MAR.06.2009
PAGE . 1
ER300~ER308
RATING A ND CHARA CTERISTIC CURVES
50 W
Naninductive
10 W
Naninductive
t
rr
+ 0.5A
(- )
0
FORWARD SURGE CURRENT, A
MPERES pk
(HALF-SING WAVE)
125
100
75
(+ )
25Vdc
(approx)
(- )
PULSE
GENERATOR
NOTE 2
1W
Nani n d u c ti v e
(+ )
OSCIL L OSCOPE
NOTE 1
- 0.25
50
-1.0
SET TIME
B A SE FOR
10ns /cm
25
NOTES: 1.Ri s e Tim e = 7 s max.
n
Inp u t m p ed an ce = 1 m o hm . 2 F
I
eg
2p
2.Ri s e Ti m e = 1 s max .
0n
So ur c e Im ped an c e = 5 Ohm s
0
1cm
1
2
4
6
8 10
20
40 60 80 100
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.1 REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC
AND TEST CIRCUIT DIAGRAM
FIG.2 MAXIMUM NON-REPEITIVE SURGE CURRENT
100
4.0
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT AMPERES
AVERAGE FORWARD RECIFIED
CURRENT AMPERES
3.0
MAXIMUMAVERAGE CURRENT RATING
SINGLE PHASE, H
ALF-WAVE, 6 Hz RESISTIVE
0
OR INDUCTIVE LOAD .375" (9mm) LEAD LENGTHS
300-400V
700V
10
50-200V
2.0.
.
1.0.
.
0
0
20
40
60
80
100
120
O
600V
800V
1.0
140
160
180
AMBIENT TEMPERATURE, C
0.1
T
J
= 25 C
O
FIG.3 MAXIMUM AVERAGE FORWARD CURRENT RATING
1000
.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
INVSTANTANEOUS REVERSE CURRENT,
MICROAMPERES
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE VOLTS
100
T
J
= 125 C
O
FIG.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
T
J
= 75 C
O
100
JUNCTION CAPACITANCE, p
F
10
1.0
T
J
= 25 C
O
10
0.1
20
40
60
80
100
120
TJ = 2
O
C
5
f = 10 MHz
.
Vsig = 50 mVp-p
1
0.1
1
10
100
PERCENT OF RATED PEAK INVERSE VOLTGE, VOLTS
REVERSE VOLTAGE, V
OLTS
FIG.5 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG. 6 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
STAD-MAR.06.2009
PAGE . 2
一键下载TE样品应用工具包,查看秘笈!
TEConnectivity明星解决方案——电源系统 还在为电源、充电电池接口稳定连接困惑吗? 还在为功率继电器体积大电流小而迷茫吗? 还在为接线端子断针找不到问题所在而浪费时间吗? TE提供专业的继电器解决方案、端子互联解决方案、PCB连接器解决方案。 还在等什么,还不快来下载?查看秘笈! >>一键下载样品应用工具包,直达免费样片申请链接 一键下载TE样品应用工具包,查看秘笈!...
橙色凯 综合技术交流
级联BUCK,你用过吗?
在降压非隔离型DC/DC变换器中,BUCK电路的应用最为广泛,它有很多优势:很高的效率、简单的电路、优越的性能等。 但是,它并非处处表现理想,例如,在大的降压比时,它的占空比较小,此时的纹波指标就不太好,并且续流管的压力大,控制难。 由此想到使用级联型BUCK电路,它的基本形式如下: BUCK级联,并非使用完整的两级BUCK,它的控制部分只有一个, 对于单级BUCK电路,它的输出电压Uo为: Uo=Ui*D Ui为输入电压,D为占空比。 当使用级联BUC...
dontium 综合技术交流
wtv040-16p语音芯片烧录问题
我们是学生小组,想使用这款语音芯片,但是厂家烧录价格较贵,所以想自己进行烧录,可是找不到相关的资料。所以想请大家帮下忙,有没有有关烧录电路的资料或者指点下烧录电路应该怎么搭建?谢谢了wtv040-16p语音芯片烧录问题...
khc9355 综合技术交流
【新思科技IP资源】实现智能 IoT 应用的低功耗机器学习
机器学习(ML)技术用于构建具有高级功能的设备,已在许多领域有所应用。这些设备应用经过训练的机器学习技术,可以从一个或多个传感器捕获的数据(如麦克风捕获的语音命令)中识别某些复杂向量,继而执行适当的操作。例如,识别出语音命令“播放音乐”之后,智能扬声器就可以启动歌曲的播放。机器学习是指算法无需经过显式编程就能学习的能力。本文将重点讨论机器学习推理,这个流程采用经过训练的模型对传感器捕获的输入数据进行有用的预测,以推理它经过训练后要去识别的复杂向量。我们将考虑高效实现机...
arui1999 综合技术交流
今日直播:基于Source-down技术的全新英飞凌MOSFET,有效提升功率密度,肉眼可见
无论是开关电源还是马达驱动,工程师们通常都在孜孜不倦地追求三“高”:更高的效率,更高的功率密度,以及更高的可靠性。可是现有PCB空间已经非常狭小了,如何实现这些目标?这通常困扰着设计工程师。为了解决大家困扰已久的问题,英飞凌创新地推出了基于Source-down技术的全新功率OptiMOS™MOSFET,就是为了帮助客户工程师解决这些设计挑战。本次直播英飞凌与合作伙伴品佳集团一起为您全面详细的介绍英飞凌创新的OptiMOS™MOSFET。为您今...
EEWORLD社区 综合技术交流
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2022 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved